The object of research, development or design (in Russian) : Компьютерные модели полупроводниковых структур

The object of research, development or design (in Kazakh) : Жартылай өткізгіш құрылымдардың компьютерлік модельдері

Aim of work (in Russian) : Целью проекта является исследование процесса разрушения полупроводниковых структур при воздействии электромагнитных импульсов методами атомистического моделирования.

Aim of work (in Kazakh) : Жобаның мақсаты – атомдық модельдеудің әдістері арқылы электромагниттік импульстардың әсерінен жартылай өткізгіш құрылымдардың бұзылу процесін зерттеу.

Методы исследования (на русском) : теория функционала электронной плотности, полуэмпирические квантово-химические методы (модель Слейтера-Костера, модель Хюккеля и т.п.)

Методы исследования (на казахском) : электрон тығыздығының функционалдық теориясы, жартылай эмпирикалық кванттық-химиялық әдістер (Слейтер-Костер моделі, Хюккель моделі және т. б.)

Obtained results and novelty (in Russian) : Разработаны компьютерные модели электронно-дырочного перехода на основе распространенных полупроводников, которые будут использованы в дальнейшем для изучения влияния электромагнитного импульса. Определены основные электротранспортные характеристики разработанных электронно-дырочных переходов.

Obtained results and novelty (in Kazakh) : Кең таралған жартылай өткізгіштер негізінде электронды-кемтік ауысымының модельдері әзірленді, бұдан әрі олар электромагниттік импульстің әсерін зерттеу үшін пайдаланылатын болады. Әзірленген электронды-кемтікті ауысымдардың негізгі электр тасымалдау сипаттамалары анықталды.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : -

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : -

Level of implementation (in Russian) :

Level of implementation (in Kazakh) :

Efficiency (in Russian) : Разработаны атомистические (компьютерные) модели электронно-дырочных переходов. Полученные модели будут использованы в дальнейшем (2023 г.) для изучения влияния электромагнитного импульса.

Efficiency (in Kazakh) : Электронды-кемтіктік ауысымдардың атомистік (компьютерлік) модельдері жасалды. Алынған модельдер болашақта (2023 ж.) электромагниттік импульстің әсерін зерттеу үшін қолданылады.

Field of application (in Russian) : Полученные фундаментальные закономерности могут быть полезными для дальнейшего развития технологии создания стойких к воздействию электромагнитного импульса полупроводниковых компонентов электроники, могут быть применены для надежного прогнозирования уровня стойкости полупроводниковых структур к воздействию электромагнитного импульса.

Field of application (in Kazakh) : Алынған іргелі заңдылықтар электрмагниттік импульс әсеріне төзімді жартылай өткізгіш электроника компоненттерін жасау технологиясын одан әрі дамыту үшін пайдалы болуы мүмкін, жартылай өткізгіш құрылымдардың электрмагниттік импульсне әсеріне төзімділік деңгейін сенімді болжау үшін қолданылуы мүмкін.