The object of research, development or design (in Russian) : Наноструктуры с уникальными электрическими и магнитными свойствами

The object of research, development or design (in Kazakh) : Бірегей электрлік және магниттік қасиеттері бар наноқұрылымдар

Aim of work (in Russian) : В рамках теории функционала электронной плотности (из первых принципов) в сочетании с методом неравновесных гриновских функций и других методов численного моделирования: подбор наноструктур с уникальными функциональными свойствами для создания эффективных наноустройств; на их основе создание различных моделей наноустройств – нанодиоды, нанотранзисторы, нанопереключатели и другие; исследование квантово-транспортных характеристик наноустройств, изучение их электромагнитных свойств.

Aim of work (in Kazakh) : Электрондық тығыздық функционалы теориясының (бірінші қағидаттардан), тепе-теңдіксіз Грин функциясының әдісінің және басқа сандық модельдеу әдістерінің шеңберінде жүзеге асырылады: тиімді наноэлемент жасау үшін бірегей функционалдық қасиеттері бар наноқұрылымдарды таңдау; олардың негізінде наноқұрылғылардың әр түрлі модельдерін жасау - нанодиодтар, нанотранзисторлар, нано ажыратып-қосқыштар және басқалары; наноқұрылғылардың кванттық-транспорттық сипаттамаларын зерттеу, олардың электрмагниттік қасиеттерін зерттеу.

Методы исследования (на русском) : Объединенная схема теории функционала плотности и метода неравновесных гриновских функций (DFT+NEGF) с применением квантово-химических программных комплексов (Atomistix ToolKit with Virtual NanoLab, Gaussian, TranSIESTA)

Методы исследования (на казахском) : Кванттық-химиялық бағдарламалық кешендерді (Atomistix ToolKit with Virtual NanoLab, Gaussian, TranSIESTA) қолдана отырып, тығыздық функционалы теориясының және тепе-тең емес Грин функциялары әдісінің біріктірілген схемасы (DFT+NEGF)

Obtained results and novelty (in Russian) : Исследованы электротранспортные свойства телескопирующих призмановых нанотрубок С[14,17]–С[14,11]–С[14,5] и С[14,16]–С[14,10]–С[14,4], выявлены их вентильные свойства, что позволяет применить их для создания нанодиода; исследованы электротранспортные свойства модельных нанопереходов “Au–C180–Au”, “Au–C80@C180–Au” и “Au–(C20@C80)@C180–Au”. Выявлено увеличение количества резонансных пиков спектра пропускания при внедрении в полость фуллерена C180 фуллеренов малого радиуса C20, C80. Показано, что для вывода С180-транзистора из режима кулоновской блокады требуется большое напряжение исток-сток по сравнению с транзисторами на основе С80@C180-, (С20@С80)@C180-нанопереходов; исследованы транспортные характеристики наноустройства, состоящие из комбинации графена, силицена и дисульфида молибдена, связанные между собой Ван-дер-Ваальсовой связью. Показано, что при взаимодействии силицена и дисульфида молибдена образуется новая наносистема преимущественно с металлическими свойствами.

Obtained results and novelty (in Kazakh) : С[14,17]–С[14,11]–С[14,5] және С[14,16]–С[14,10]–С[14,4] телескопиялық призмандық нанотүтікшелердің электр тасымалдау қасиеттері, олардың вентильдік қасиеттері анықталды, бұл оларды нанодиодты жасау үшін қолдануға мүмкіндік береді; “Au–C180–Au”, “Au–C80@C180–Au” және “Au–(C20@C80)@C180–Au” модельдік наноөткізгіштердің электрлік тасымалдау қасиеттері зерттелді. C180 фуллерен қуысына шағын радиусты C20, C80 фуллерендерін енгізген кезде өткізу спектрінің резонанстық шыңдары санының көбеюі анықталды. C180-транзисторын кулондық блокада режимінен шығару үшін C80@C180-, (C20@C80)@C180-наноауысымдарына негізделген транзисторлармен салыстырғанда жоғары бастапқы кернеу қажет екендігі көрсетілді; Ван-дер-Ваальс байланысы арқылы байланысқан графен, силицен және молибден дисульфидінің қосындысынан тұратын наноқұрылғылардың тасымалдық сипаттамалары зерттелді. Силицен мен молибден дисульфидінің өзара әрекеттесуі салдарынан металл қасиеттері бар жаңа наножүйе пайда болатыны көрсетілді.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : -

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : -

Level of implementation (in Russian) : Разработаны компьютерные модели нанодиодов, нанопереключателей, одноэлектронных транзисторов

Level of implementation (in Kazakh) : Нанодиод, наноайырып-қосқыш, бірэлектрондық транзисторлар компьютерлік модельдері жасалды

Efficiency (in Russian) : Результаты могут быть применены для создания элементов наноэлектроники

Efficiency (in Kazakh) : Нәтижелер наноэлектроника элементтерін жасауда қолданылуы мүмкін

Field of application (in Russian) : Научные результаты могут быть применены для расчета и создания элементов наноэлектроники

Field of application (in Kazakh) : Алынған ғылыми нәтижелер наноэлектроника элементтерін есептеу және жасау үшін қолданыла алады