Inventory number IRN Number of state registration
0220РК00750 AP05133471-OT-20 0118РК00624
Document type Terms of distribution Availability of implementation
Заключительный Gratis Number of implementation: 0
Not implemented
Publications
Native publications: 3
International publications: 4 Publications Web of science: 1 Publications Scopus: 1
Number of books Appendicies Sources
0 3 26
Total number of pages Patents Illustrations
42 0 21
Amount of funding Code of the program Table
7000000 AP05133471 13
Name of work
Использование DFTB метода для моделирования влияния дипольного момента и формы наноразмерных кластеров CdS на электронные переходы в них
Report title
Type of work Source of funding The product offerred for implementation
Fundamental Модель
Report authors
Алдонгаров Ануар Акылханович , Иргибаева Ирина Смаиловна , Асильбекова Алия Молдабековна , Мантель Артур Игоревич ,
0
0
1
0
Customer МНВО РК
Information on the executing organization
Short name of the ministry (establishment) МНВО РК
Full name of the service recipient
Некоммерческое акционерное общество "Евразийский Национальный университет имени Л.Н. Гумилева"
Abbreviated name of the service recipient НАО "ЕНУ им.Л.Н.Гумилева"
Abstract

кластеры сульфида кадмия вюрцитовой структуры

вюрцит құрылымды кадмий сульфидінің кластерлері

определение влияния электростатического поля на электронные спектры кластеров CdS; рассмотрение эффекта самоагрегирования на электронные спектры наноразмерных кластеров сульфида кадмия

CdS кластерлерінің электрондық спектрлеріне электростатикалық өріс әсерін анықтау; кадмий сульфидінің наноөлшемді кластерлерінің электрондық спектрлеріне өзіндік агрегация әсерін қарастыру

для исследования использовался метод функционала плотности сильной связи, в частности для расчета оптимизированных структур и электронных спектров использовался метод DFTB

зерттеулер үшін күшті байланыстың тығыздық функционалы әдісі қолданылды, әсіресе электрондық спектрлерге есептеулер жүргізілгенде DFTB әдісі қолданылды

были рассчитаны оптимизированные структуры и проведены расчеты электронных спектров кластеров сульфида кадмия методами DFT и DFTB. Было рассмотрено влияние электростатического поля на электронные переходы и положение граничных молекулярных орбиталей. Наложение внешнего поля производилось против, по направлению и перпендикулярно направления дипольного момента. Также было оценено влияние самоагрегирования вдоль направления дипольного момента на пассивирование кластеров сульфида кадмия

оптимизацияланған құрылымдар есептелді, DFT және DFTB әдістерімен кадмий сульфиді кластерлерінің электрондық спектрлеріне есептеулер жүргізілді. Электростатикалық өрістің электронды ауысуларға және шекаралық молекулалық орбитальдардың орналасуына әсері қарастырылды. Сыртқы өріс диполь моментінің бағытына қарама-қарсы, оның бағытымен және перпендикуляр бағыттарда қолданылды. Сонымен қатар, кадмий сульфиді кластерлердің пассивациялауына дипольдік моменттің бағыты бойынша өзіндік агрегация әсері де бағаланды

Модель кластера CdS

CdS кластері моделі

полученные результаты могут быть использованы для разработки методики получения полупроводниковых квантовых точек с относительно высоким квантовым выходом свечения и в фотоэлектрических преобразователях

алынған нәтижелер жарқырауы салыстырмалы жоғары кванттық шығумен сипатталатын жартылай өткізгіш кванттық нүктелерді алу әдісін жасау үшін және фотоэлектрлік түрлендіргіштерде қолданылуы мүмкін

UDC indices
544.182.3
International classifier codes
29.19.00; 29.29.00; 29.31.00;
Readiness of the development for implementation
Key words in Russian
кластеры CdS; локализованные состояния; теория функционала плотности сильной связи; пассивирование; дипольный момент;
Key words in Kazakh
наноөлшемді CdS кластерлері; оқшауланған күйлер; күшті байланыстың тығыздық функционалы теориясы; пассивация; диполь моменті;
Head of the organization Сыдыков Ерлан Батташевич доктор исторических наук / Профессор
Head of work Алдонгаров Ануар Акылханович PhD / доцент
Native executive in charge