The object of research, development or design (in Russian) : Аморфные и кристаллические тонкие пленки халькогенидного полупроводника с фазовой памятью состава Ge2Sb2Te5 (GST), модифицированные N и Bi, NGST(Bi) методом ВЧ магнетронного распыления.

The object of research, development or design (in Kazakh) : ЖЖ магнетронды тозаңдату әдісімен алынған фазалық жадысы бар Ge2Sb2Te5 (GST) халькогенидті жартылайөткізгішінің N және Bi, NGST(Bi) модификацияланған аморфты және кристаллды жұқа қабықшалары.

Aim of work (in Russian) : Выявление закономерностей трансформации структуры и электронных процессов при фазовом переходе стекло-кристалл в тонких пленках GST, модифицированных путем одновременного введения примесей разной химической природы (азота и висмута).

Aim of work (in Kazakh) : Әртүрлі химиялық табиғаттағы қоспаларды (азот пен висмут) бір мезгілде қосу арқылы модификацияланған GST жұқа қабаттарындағы шыны-кристалл фазалық ауысуы кезінде құрылымның және электрондық процестердің трансформациялану заңдылықтарын анықтау.

Методы исследования (на русском) : EDX, XPS, XPD, СЭМ, РС, оптические и электрические методы

Методы исследования (на казахском) : EDX, XPS, XRD, СЭМ, РС, оптикалық және электрлік әдістер

Obtained results and novelty (in Russian) : Впервые получены аморфные пленки на основе полупроводникового материала с фазовой памятью одновременно модифицированного примесями разной химической природы (азота и висмута) a-NGST(Bi). Изучена структура и электронные свойства аморфных и кристаллических пленок. Показана возможность эффективного управления термодинамическими и электронными параметрами модифицированных пленок путем варьирования концентрацией примеси и перспективы их применения для оптической и электрической записи информации

Obtained results and novelty (in Kazakh) : Бірінші рет табиғаты әртүрлі химиялық қоспалармен (азот пен висмут) бір мезгілде модификацияланған фазалық жады жартылайөткізгіш материал негізіндегі аморфты қабықшалар a-NGST(Bi) алынды. Аморфты және кристаллды қабаттарының құрылымы мен электрондық қасиеттері зерттелді. Қоспа концентрациясын өзгерту арқылы модификацияланған қабаттардың термодинамикалық және электрондық параметрлерін тиімді басқару мүмкіндігі көрсетілді және оларды оптикалық және электрлік ақпарат жазу үшін қолдану перспективалары анықталды.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Исследования проведены с использованием современных приборов: СЭМ Quanta 3D 200i, рентгеновский спектрометр Rigaku MiniFlex 600, рамановский спектрометр Solver Spectrum 600/600, спектрофотометр Carry UV-IR 500, пикоамперметр KEITHLEY, генератор Актаком АНР-1011, осциллограф Gwinstek GDS-71062A.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : Зерттеулер қазіргі заманғы құралдарды пайдалана отырып жүргізілді: СЭМ Quanta 3D 200i, рентгендік спектрометр Rigaku MiniFlex 600, рамандық спектрометр Solver Spectrum 600/600, спектрофотометр Cary UV-IR 500, пикоамперметр KEITHLEY, генератор Актаком АНР-1011, осциллограф Gwinstek GDS-71062A.

Level of implementation (in Russian) : Опубликовано 4 печатных работы, из них 1 статьи, входящих в базу данных Web of Science и Scopus и 3 публикации в материалах международных конференции.

Level of implementation (in Kazakh) : Жоба орындалған кезеңде 4 баспа жұмысы жарияланды, оның ішінде Web of Science және Scopus деректер базасына кіретін 1 мақала және халықаралық конференция материалдарына 3 жариялым.

Efficiency (in Russian) : Выработаны научные и практические рекомендации для управления параметрами фазового перехода в пленках GST при одновременном введении в них примесей разной химической природы для применения их при создании устройств для записи информации

Efficiency (in Kazakh) : GST қабаттарында фазалық ауысу параметрлерін түрлі химиялық табиғаттағы қоспаларды бір мезгілде қосу арқылы басқаруға арналған ғылыми және практикалық ұсыныстар жасалды, оларды ақпаратты жазу құрылғыларын жасауда қолдану үшін дайындалды.

Field of application (in Russian) : Физическое материаловедения, электроника и цифровые технологии.

Field of application (in Kazakh) : Физикалық материалтану, электроника және цифрлық технологиялар.