The object of research, development or design (in Russian) : гетероструктуры, синтезированные трековым темплэйтным синтезом.

The object of research, development or design (in Kazakh) : тректік темплэйттік синтез әдісімен синтезделген гетероқұрылымдар.

Aim of work (in Russian) : Разработать малозатратный, контролируемый метод синтеза недопированных и допированных наногетероструктур ZnO-НП/SiO2/Si и SnO2-НП/SiO2/Si, с массивами p-n переходов, гетероструктуры SiO2/Si(n/p)/SiO2 с заполнением нанопор нанопроволоками ZnO-НП или SnO2-НП и массивами n-p-n переходов. Провести экспериментально-теоретический анализ свойств, для применения в нано- и оптоэлектронике. (НП - нанопроволока).

Aim of work (in Kazakh) : Таза және қоспасы бар p-n ауысымы бар массивтерімен ZnO-НС/SiO2/Si мен SnO2-НС/SiO2/Si, сонымен қатар, ZnO-НС, SnO2-НС наносымдарымен толтырылған, n-p-n ауысымы бар массивтерімен SiO2/Si(n/p)/SiO2 наногетороқұрылымдары үшін бақыланатын, арзан синтездеу әдісін құрастыру. Нано- және оптоэлектроникада пайдалану үшін қасиеттердің эксперименттік және теориялық талдауын жүргізу. (НС - наносым).

Методы исследования (на русском) : СЭМ, ФЛ, РСА, ВАХ, квантово-химические расчеты из первых принципов.

Методы исследования (на казахском) : СЭМ, ФЛ, РҚТ, ВАС, бірінші принциптерінен кванттық химиялық есептеулер.

Obtained results and novelty (in Russian) : 1) синтезированы ЭХО структуры SnO₂-НПs/SiO₂/S с орторомбической структурой SnO₂ и ZnO-НП/SiO2/Si, где ZnO с кристаллической структурой типа сфалерита; 2) исследование ВАХ показало, что SnO₂-НПs/SiO₂/S и ZnO-НП/SiO2/Si имеют проводимость n-типа, таким образом создаются массивы p-n переходов, формируя гетероструктуры нового типа; 3) трековый темплэйт нового типа был создан на основе двухсторонней структуры SiO2/Si/SiO2.; 4) нанопоры трекового темплэйта SiO2/Si/SiO2. были заполнены SnO2 с примесью Zn. С увеличением времени осаждения Zn остается в кристаллической гексагональной структуре с увеличением параметров решетки, SnO2 переходит из ромбической фазы в тетрагональную с уменьшением параметров решетки. Вероятно, замена Sn на ион Zn будет приводить к уменьшению решеточных параметров диоксида олова; имеет нелинейный характер, близкий к диодному типу 5) в спектре ФЛ доминирует свечение связанное с вакансионными дефектами, ВАХ имеет нелинейный характер, близкий к диодному типу ; 6) проведены обширные расчёты с ис

Obtained results and novelty (in Kazakh) : 1) SnO₂ орторомбты құрылымы бар SnO₂-НС/SiO₂/S және ZnO сфалерит типті кристалдық құрылымы бар ZnO-НС/SiO2/Si электрохимиялық тұндыру әдісімен синтезделген құрылымдары; 2) вольтамперлік сипаттамаларын зерттеу SnO₂-НС/SiO₂/S және ZnO-НС/SiO2/Si n-типті өткізгіштікке ие екенін көрсетті, осылайша p-n өтімдерінің массивтері жаңа типтегі гетероқұрылымдарды құра отырып жасалады; 3) екі жақты SiO2/Si/SiO2 құрылымы негізінде жаңа үлгідегі тректік темплэйті құрылды; 4) SiO2/Si/SiO2 тректік темплэйттегі нанокеуектер Zn қоспасы бар SnO2 толтырылды. Тұндыру уақытының ұлғаюымен Zn тор параметрлері гексагональ кристалдық құрылымында қалады, SnO2 тор параметрлерінің төмендеуімен ромбты фазадан тетрагональ фазаға өтеді. Sn-ны Zn ионымен ауыстыру қалайы диоксидінің тор параметрлерінің төмендеуіне әкеледі; диод түріне жақын сызықты емес сипатқа ие; 5) ФЛ спектрінде бос орын ақауларымен байланысты жарқырау басым, вольтамперлік сипаттамасы диод түріне жақын сызықты емес сипатқа ие; 6) Құрамында алмастырушы Mg, Si және Zn қо

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Разработанные технологические приемы синтеза наногетероструктур ZnO-NW/SiO2/Si и SnO2-NW/SiO2/Si, с массивами p-n переходов, гетероструктуры SiO2/Si(n/p)/SiO2 с заполнением нанопор нанопроволоками ZnO-NW или SnO2-NW и массивами n-p-n переходов будут высокотехнологичными и конкурентоспособными, поскольку это связано с возможностью применений при разработке новых поколений приборов опто- и наноэлектроники.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : ZnО-НС/SiO2/Si және SnO2-НС/SiO2/Si наногетроқұрылымдарын, p-n ауысу массивтерімен, ZnO-мен толтырылған SiO2/Si(n/p)/SiO2 гетероқұрылымдарын синтездеудің технологиялық әдістері әзірленді. -НС наноөткізгіштері мен массивтерінің n-p-n ауысулары жоғары технологиялық және бәсекеге қабілетті болады, өйткені бұл опто- және наноэлектроника құрылғыларының жаңа буындарын әзірлеуде қолдану мүмкіндігіне байланысты.

Level of implementation (in Russian) : Полученные в ходе выполнения Проекта результаты внедряются при чтении спецкурсов у докторантов, таких как Ионно-лучевая модификация материалов и Трековые технологии.

Level of implementation (in Kazakh) : Жобаны жүзеге асыру барысында алынған нәтижелер докторанттарға Материалдарды ионды-сәулелік модификациялау және Тректік технологиялар сияқты арнайы курстарды оқыту кезінде жүзеге асырылады

Efficiency (in Russian) : Публикация результатов в научных журналах с квартилем Q2 свидетельствует о востребованности полученных результатов, особенно при прогнозировании поведения материалов в полях жесткой радиации.

Efficiency (in Kazakh) : Q2 квартильі бар ғылыми журналдарда нәтижелерді жариялау, әсіресе жоғары сәулелену өрістеріндегі материалдардың әрекетін болжау кезінде алынған нәтижелердің өзектілігін көрсетеді.

Field of application (in Russian) : для создания устройств оксидной полупроводниковой фотоники., наноэлектроники, сенсорики

Field of application (in Kazakh) : оксидті жартылай өткізгіш фотоника, наноэлектроника, сенсор құрылғыларын жасауға арналған