Inventory number IRN Number of state registration
0224РК00233 AP14870185-OT-24 0122РК00574
Document type Terms of distribution Availability of implementation
Заключительный Gratis Number of implementation: 0
Not implemented
Publications
Native publications: 2
International publications: 2 Publications Web of science: 1 Publications Scopus: 1
Number of books Appendicies Sources
1 2 20
Total number of pages Patents Illustrations
59 0 35
Amount of funding Code of the program Table
32850001.4 AP14870185 3
Name of work
Формирование электрон-дырочных селективных пассивирующих контактов на основе широкозонных полупроводников SiC, SnOх, TiOx, Ta2O5, ZnOx, MoOх методом магнетронного распыления
Report title
Type of work Source of funding The product offerred for implementation
Applied Технология
Report authors
Нусупов Каир Хамзаевич , Бейсенханов Нуржан Бейсенханович , Султанов Асанали Талгатбекулы , Кусайнова Айжан Жамбуловна , Бұғыбай Захида Қуанышқызы , Кривошеев Василий Васильевич , Шыныбаев Дархан Серикович , Эшанов Амир ,
0
2
3
0
Customer МНВО РК
Information on the executing organization
Short name of the ministry (establishment) МНВО РК
Full name of the service recipient
АО «Казахстанско-Британский технический университет»
Abbreviated name of the service recipient АО "КБТУ"
Abstract

Объектами исследования являются тонкие пленки SiC(n или p), SnOх, TiOx, Ta2O5, ZnOx и MoOх полученные методом магнетронного распыления для формирования пассивирующих электрон-дырочных селективных контактов для кремниевых солнечных элементов.

Кремний күн элементтеріне арналған пассивтеуші электрон-кемтіктік селективті контактілерді қалыптастыру үшін магнетронды шашырату әдісімен алынған SiC (n немесе p), SnOх, TiOx, Ta2O5, ZnOx және MoOх жұқа пленкалары зерттеу нысандары болып табылады.

Формирование электрон-дырочных селективных пассивирующих контактов на основе широкозонных полупроводников SiC(n или p), SnOх, TiOx, Ta2O5, ZnOx и MoOх методом магнетронного распыления с промежуточным туннельным слоем SiOx и антиотражающим покрытием SiC:H(n или p)/MgF2.

Магнетронды шашырату арқылы SiC(n немесе p), SnOx, TiOx, Ta2O5, ZnOx, MoOx кең жолақты жартылай өткізгіштер негізінде электронды-тесік селективті пассивтеуші контактілерді SiOx аралық туннель қабат және шағылысуға қарсы SiC:H(n немесе p)/MgF2 жабынмен қалыптастыру.

Синтез тонких пленок проводился химическими и физическими методами включая магнетронное распыление и быстрый термический отжиг. Исследование полученных образцов проводилсоь методами рентгеновской рефлектометрии, ИК спектроскопии, спектрофотометрии, измерения спада фотопроводимости, флуоресцентной спектроскопии, рентгеновской дифракции.

Жұқа пленкаларды синтездеу химиялық және физикалық әдістермен, соның ішінде магнетрондық шашырату және жылдам термиялық күйдіру арқылы жүргізілді. Алынған үлгілерді зерттеу рентгендік рефлектометрия, ИҚ-спектроскопия, спектрофотометрия, фотопроводимостьтің төмендеуін өлшеу, флуоресценттік спектроскопия, рентгендік дифракция әдістерімен жүргізілді.

Результаты работы и их новизна. Изучены особенности формирования туннельного слоя SiOx методом быстрого термического окисления. Показана эффективная пассивация поверхности при использовании данного метода. Изучены особенности формирования тонких пленок SiC:H и SiC:H (N) методом реактивного магнетронного распыления. Получены оптимальные параметры осаждения для получения качественного слоя SiC:H. Методом ИК спектроскопии показано наличие Si-N и Si-C в пленках SiC:H (N). Методом магнетронного распыления получены пленки SnOx, TiOx, Ta2O5, ZnOx и MoOx. Изучены особенности формирования данных пленок при реактивном магнетронном распылении. Исследовано влияние параметров осаждения на физикохимические свойства пленок.

Жұмыстың нәтижелері және олардың жаңалығы. SiOx туннельдік қабатын жылдам термиялық тотығу әдісімен қалыптастыру ерекшеліктері зерттелді. Аталған әдісті қолдану кезінде беттің тиімді пассивациясы көрсетілді. Реактивті магнетронды бүрку әдісімен SiC:H және SiC:H(N) жұқа пленкаларын қалыптастыру ерекшеліктері зерттелді. Сапалы SiC:H қабатын алу үшін оңтайлы тұндыру параметрлері алынды. ИҚ спектроскопия әдісімен SiC:H (N) пленкаларында Si-N және Si-C байланыстарының бар екені көрсетілді. Магнетронды шашырату әдісімен SnOx, TiOx, Ta2O5, ZnOx және MoOx пленкалары алынды. Аталған пленкаларды реактивті магнетронды шашырату кезінде олардың қалыптасу ерекшеліктері зерттелді. Тұндыру параметрлерінің пленкалардың физика-химиялық қасиеттеріне әсері зерттелді.

Уменьшение стоимости солнечной энергетики является важной задачей как для Казахстана так и для всего мира. Эффективным способом снижения стоимости остается достижение высокой эффективности солнечных панелей. Несмотря на значительное снижение стоимости кремниевых солнечных элементов в последние годы, требуется дальнейшее развитие технологий для их удешевления. Гетеропереходы с селективными пассивирующими контактами представляют собой перспективное направление для улучшения характеристик и снижения стоимости кремниевых солнечных панелей. Значимость результатов данного проекта заключается в исследовании альтернативного метода осаждения пассивирующих контактов для высокоэффективных солнечных элементов, который в будущем может быть адаптирован к использованию в производстве.

Күн энергетикасының құнын төмендету Қазақстан үшін де, бүкіл әлем үшін де маңызды міндет болып табылады. Күн панельдерінің жоғары тиімділігіне қол жеткізудің тиімді тәсілі ретінде оның құнын төмендетуі болып қала береді. Соңғы жылдары кремнийлі күн элементтерінің құны айтарлықтай төмендегеніне қарамастан, оларды арзандату үшін технологияларды одан әрі дамыту қажет. Селективті пассивтеуші контактілермен гетероөткізгішті кремнийлі күн панельдерінің сипаттамаларын жақсарту және құнын төмендету перспективалы бағыт болып табылады. Аталған жобаның нәтижелерінің маңыздылығы жоғары тиімді күн элементтері үшін пассивтеуші контактілерді қондырудың баламалы әдісін зерттеуде, ол болашақта өндірісте қолдануға бейімделуі мүмкін.

В рамках данного проекта была проведена работа по разработке и внедрению пассивирующих селективных контактов для кремниевых солнечных элементов с целью повышения их эффективности и устойчивости. Этап прототипирования включал создание образцов солнечных элементов с применением выбранных пассивирующих материалов. Были разработаны методические рекомендации для обеспечения стабильности характеристик при производстве. Таким образом, в ходе выполнения проекта достигнуты важные результаты, открывающие новые возможности для повышения производительности кремниевых солнечных элементов.

Осы жоба шеңберінде олардың тиімділігі мен тұрақтылығын арттыру мақсатында кремний күн батареялары үшін пассивациялық селективті контактілерді әзірлеу және енгізу бойынша жұмыс жүргізілді. Прототиптеу кезеңі таңдалған пассивтеуші материалдарды қолдана отырып, күн батареяларының үлгілерін жасауды қамтыды. Өндіріс кезінде сипаттамалардың тұрақтылығын қамтамасыз ету үшін әдістемелік ұсыныстар жасалды. Осылайша, жобаны орындау барысында кремний күн батареяларының өнімділігін арттыруға жаңа мүмкіндіктер ашатын маңызды нәтижелерге қол жеткізілді.

Солнечная энергетика, электроника

Күн энергиясы, электроника

UDC indices
621.383.51; 538.97; 539.23
International classifier codes
44.41.35; 29.19.16; 29.19.22;
Readiness of the development for implementation
Key words in Russian
КРЕМНИЕВЫЕ ГЕТЕРОПЕРЕХОДНЫЕ СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ; СЕЛЕКТИВНЫЙ ПАССИВИРУЮЩИЙ КОНТАКТ; МАГНЕТРОННОЕ РАСПЫЛЕНИЕ; БЫСТРЫЙ ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ; ТОНКИЕ ПЛЕНКИ; ОКСИДЫ МЕТАЛЛОВ;
Key words in Kazakh
КРЕМНИЙДІҢ ГЕТЕРОАУЫСУЛЫ КҮН ЭЛЕМЕНТТЕРІ; СЕЛЕКТИВТІ ПАССИВТЕУШІ КОНТАКТ; МАГНЕТРОНДЫ ШАШЫРАТУ; ЖЫЛДАМ ТЕРМИЯЛЫҚ КҮЙДІРУ; ЖҰҚА ҚАБЫРШАҚТАР; МЕТАЛЛ ОКСИДТЕРІ;
Head of the organization Габдуллин Маратбек Тулебергенович Phd / Профессор
Head of work Нусупов Каир Хамзаевич Доктор физико-математических наук / Профессор
Native executive in charge