The object of research, development or design (in Russian) : в качестве объекта исследования были выбраны пленки на основе CuBi/CuBi2O4, полученные методом электрохимического осаждения.

The object of research, development or design (in Kazakh) : зерттеу нысаны ретінде электрохимиялық тұндыру әдісімен алынған CuBi/CuBi2O4 негізіндегі пленкалар таңдалды.

Aim of work (in Russian) : Целью данного проекта на данном этапе являлось отработка технологии получения тонких пленок CuBi/CuBi2O4 с применением метода электрохимического осаждения, с контролируемым фазовым и элементным составом, а также управляемой геометрией и морфологией.

Aim of work (in Kazakh) : Бұл жобаның осы кезеңдегі мақсаты бақыланатын фазалық және элементтік құрамы, сондай-ақ басқарылатын геометрия мен морфологиясы бар электрохимиялық тұндыру әдісін қолдана отырып, CuBi/CuBi2O4 жұқа пленкаларын алу технологиясын пысықтау болды.

Методы исследования (на русском) : атомно-силовая микроскопия, рентгеновская дифракция, вольт-амперная хроноамперометрия, импендансная спектроскопия.

Методы исследования (на казахском) : атомдық күштік микроскопиясы, рентгендік дифракция, вольт-амперлік хроноамперометрия, импенданстық спектроскопия.

Obtained results and novelty (in Russian) : Представлены результаты изучения перспектив применения Cu2O/CuBi2O4 – CuBi2O4 – Bi2O3/CuBi2O4 пленок, полученных с применением метода электрохимического синтеза, осажденных на полимерные пленки, предлагаемые использовать в качестве защитных экранирующих материалов с целью снижения негативного воздействия гамма – и электронного излучения. Анализ наблюдаемых фазовых превращений в зависимости от разности прикладываемых потенциалов позволил определить динамику изменений фазового состава которую можно записать в следующем виде: Cu2O/CuBi2O4 – CuBi2O4 – Bi2O3/CuBi2O4. Установлено, что наиболее перспективными материалами для создания локальной защиты от негативного воздействия ионизирующего излучения, в частности, гамма- и электронного излучения, являются Bi2O3/CuBi2O4 пленки, полученные при разности прикладываемых потенциалов 5.5 – 6.0 В, которые также обладают высокой устойчивостью к внешним воздействиям, включая механическое воздействие и агрессивные среды.

Obtained results and novelty (in Kazakh) : Гамма және электронды сәулеленудің теріс әсерін азайту мақсатында қорғаныш экрандау материалдары ретінде пайдалануға ұсынылатын электрохимиялық синтез әдісін қолдану арқылы полимерлі пленкаларға тұндыру арқылы алынған Cu2O/CuBi2O4 – CuBi2O4 – Bi2O3/CuBi2O4 пленкаларын қолдану перспективаларын зерттеу нәтижелері ұсынылған. Қолданылатын потенциалдар айырмашылығына байланысты байқалған фазалық түрлендірулерді талдау фазалық құрамның өзгеру динамикасын анықтауға мүмкіндік берді, оны келесі түрде жазуға болады: Cu2O/CuBi2O4 – CuBi2O4 – Bi2O3/CuBi2O4. Иондаушы сәулеленудің, атап айтқанда гамма- және электронды сәулеленудің теріс әсерінен жергілікті қорғанысты құру үшін ең перспективті материалдар 5.5 – 6.0 В қолданылатын потенциалдар айырмасы кезінде алынған Bi2O3/CuBi2O4 пленкалары болып табылатыны анықталды, олар сондай-ақ механикалық әсер мен агрессивті ортаны қоса алғанда, сыртқы әсерлерге жоғары төзімділікке ие.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Экономический эффект предлагаемой технологии заключается в создании новых типов защитных материалов, предназначенных для экранирования негативного воздействия ионизирующего излучения.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : Ұсынылған технологияның экономикалық әсері иондаушы сәулеленудің теріс әсерін қорғауға арналған қорғаныс материалдарының жаңа түрлерін жасау болып табылады

Level of implementation (in Russian) : не предусмотрено

Level of implementation (in Kazakh) : қарастырылмаған

Efficiency (in Russian) : Эффективность предлагаемой технологии синтеза тонких пленок позволит создать новые типы материалов для локальной защиты от негативного воздействия ионизирующего излучения микроэлектронных устройств

Efficiency (in Kazakh) : Ұсынылған жұқа пленкаларды синтездеу технологиясының тиімділігі микроэлектрондық құрылғылардың иондаушы сәулеленуінің теріс әсерінен жергілікті қорғау үшін материалдардың жаңа түрлерін жасауға мүмкіндік береді

Field of application (in Russian) : космическая техника, микроэлектроника, защита от ионизирующего излучения

Field of application (in Kazakh) : ғарыштық техника, микроэлектроника, иондаушы сәулеленуден қорғау