Inventory number IRN Number of state registration
0223РК00219 AP09058002-OT-23 0121РК00019
Document type Terms of distribution Availability of implementation
Заключительный Gratis Number of implementation: 0
Not implemented
Publications
Native publications: 3
International publications: 2 Publications Web of science: 0 Publications Scopus: 0
Number of books Appendicies Sources
1 3 60
Total number of pages Patents Illustrations
60 0 37
Amount of funding Code of the program Table
17999993.5 AP09058002 1
Name of work
Исследование свойств динамической памяти, на основе Si3N4/Si и формирование нанокластеров кремния с повышенной интенсивностью фотолюминесценции
Report title
Type of work Source of funding The product offerred for implementation
Fundamental Технология
Report authors
Мурзалинов Данатбек Онгарбекович , Дмитриева Елена Анатольевна , Федосимова Анастасия Игоревна , Жантуаров Султан , Ракыметов Багдат Аскарович , Бегунов Михаил Алексеевич ,
1
1
0
0
Customer МНВО РК
Information on the executing organization
Short name of the ministry (establishment) МНВО РК
Full name of the service recipient
Товарищество с ограниченной ответственностью "Физико-технический Институт"
Abbreviated name of the service recipient ТОО "ФТИ"
Abstract

тонкие пленки нитрида кремния на кремнии

кремнийдегі кремний нитридінің жұқа қабықшалары

Определение условий повышения времени жизни ловушек заряда и исследование процесса формирования нанокластеров кремния, при комнатных температурах

заряд тұзақтарының өмір сүру уақытын арттыру жағдайларын анықтау және бөлме температурасында кремний нанокластерлерінің қалыптасу процесін зерттеу

Метод PECVD, Облучение быстрыми тяжелыми ионами, спектроскопия электронного парамагнитного резонанса, рамановская спектроскопия, электронная микроскопия, термическая обработка пластин

PECVD әдісі, жылдам ауыр иондармен сәулеленудіру, электронды парамагниттік резонанс спектроскопиясы, раман спектроскопиясы, электронды микроскопия, пластиналарды термиялық өңдеу

Методом плазмохимического осаждения из паровой фазы образцы нитрида кремния в кремнии были синтезированы образцы как с избытком азота, так и с избытком содержащегося кремния. Наличие высоких концентраций связей Si-H и N-H было подтверждено методом рамановской спектроскопии в исходных образцах. Дальнейший отжиг привел к образованию кремниевых кластеров для обоих типов образцов. Методами ЭПР-спектроскопии и емкостной спектроскопии глубокого уровня выявлены высокие концентрации K и N парамагнитных центров с эффектом памяти. Впервые построение математической модели анализа ЭПР-спектров на основе фильтрации информационно-энтропийным рекурсивным методом позволило выявить сверхтонкую структуру в спектре. 1)Опубликована 1 статья в рецензируемом научном издании по научному направлению проекта, входящем во 2 (второй) квартиль в базе Web of Science, а так же 4 статьи в рецензируемом зарубежном или отечественном издании, рекомендованном КОКСОН; 2)Подана заявка на патент в евразийское патентное бюро.

Будың плазмохимиялық тұндыру әдісімен кремнийдегі кремний нитридінің үлгілері артық азотпен де, артық кремниймен де синтезделді. Si-H және N-H байланыстарының жоғары концентрациясының болуы бастапқы үлгілерде Раман спектроскопиясы әдісімен расталды. Әрі қарай күйдіру үлгілердің екі түрі үшін де кремний кластерлерінің пайда болуына әкелді. ЭПР-спектроскопия және терең деңгейлі сыйымдылық спектроскопиясы әдістерімен жад эффектісі бар парамагниттік орталықтардың K және N жоғары концентрациясы анықталды. Алғаш рет ақпараттық-энтропиялық рекурсивті әдіспен сүзуге негізделген ЭПР спектрлерін талдаудың математикалық моделін құру спектрдегі күрделі құрылымды анықтауға мүмкіндік берді. 1)Web of Science базасында 2 (екінші) квартильге кіретін жобаның ғылыми бағыты бойынша рецензияланатын ғылыми басылымда 1 мақала, сондай-ақ КОКСОН ұсынған рецензияланатын шетелдік немесе отандық басылымда 4 мақала жарияланды; 2)Еуразиялық патенттік бюроға патентке өтінім берілді.

1)Внедрение технологии светоизлучающего материала на основе нитрида кремния в микроэлектронике позволит реализовать оптический способ передачи сигнала. 2)Определение условий при которых происходит повышение концентрации K и N парамагнитных центров повысить ёмкость элементов памяти на основе данного материала. 3)Реализация технологий предлагаемых в проекте на основе широко применяемого кремнийсодержащего материала является экономически выгодным.

1)Микроэлектроникада кремний нитридіне негізделген жарық шығаратын материал технологиясын енгізу сигнал берудің оптикалық әдісін жүзеге асыруға мүмкіндік береді. 2) Парамагниттік орталықтардың K және N концентрациясының жоғарылауы болатын жағдайларды анықтау осы материалға негізделген жад элементтерінің сыйымдылығын арттыру. 3)Кеңінен қолданылатын кремний бар материал негізінде жобада ұсынылатын технологияларды іске асыру экономикалық тиімді болып табылады.

1)Эффективность результатов проекта состоит в получении материала на основе нитрида кремния с повышенными светоизлучающими характеристиками. 2)Выявлены условия при которых повышается концентрация K и N парамагнитных центров, которые захватывают заряд. 3)Математическая модель позволяет эффективно выделять полезный сигнал ЭПР из шума.

1)Жоба нәтижелерінің тиімділігі жоғары жарық шығаратын сипаттамалары бар кремний нитридіне негізделген материалды алудан тұрады. 2)Зарядты ұстайтын парамагниттік орталықтардың K және N концентрациясы жоғарылайтын жағдайлар анықталды. 3)Математикалық модель шудан пайдалы EPR сигналын тиімді бөлуге мүмкіндік береді.

микроэлектроника, фотоника

микроэлектроника, фотоника

UDC indices
538.91
International classifier codes
29.19.22;
Readiness of the development for implementation
Key words in Russian
Нанокластеры; Парамагнитные частицы; рамановское рассеяние; нитрид кремния; чувствительность метода;
Key words in Kazakh
Нанокластерлер; Парамагниттік бөлшектер; раман шашырауы; кремний нитриді; әдіс сезімталдығы;
Head of the organization Идрисова Тунык Кайратовна нет / нет
Head of work Мурзалинов Данатбек Онгарбекович PhD / нет
Native executive in charge