The object of research, development or design (in Russian) : Тонкие аморфные и кристаллические пленки состава Ge2Sb2Te5, модифицированные примесью Bi, полученные магнетронным ВЧ сораспылением.

The object of research, development or design (in Kazakh) : Жоғары жиілікті магнетрон әдісімен алынған құрамы Ge2Sb2Te5 Bi қоспасымен модификацияланған аморфты және кристалды қабықшалары.

Aim of work (in Russian) : Получение методом магнетронного ВЧ сораспыления тонких аморфных модифицированных пленок Ge2Sb2Te5 и исследование их фазового состава и трансформации структуры при отжиге и лазерном облучении.

Aim of work (in Kazakh) : Модификацияланған Ge2Sb2Te5 аморфты қабыршақтарын жоғары жиілікті магнетрон әдісімен алу және қыздыру, лазерлік сәулелендіру әсерінен олардың фазалық құрамын мен құрылымның транцформациясын зерттеу.

Методы исследования (на русском) : В работе использовались энерго-дисперсионный анализ (EDX), рентгеновская фото-электронная спектроскопия (XPS). Рамановская спектроскопия (insitu)

Методы исследования (на казахском) : Жұмыста энергия дисперсиялы анализ (EDX), рентген фотоэлектронды спектроскопия (XPS), (insitu) режимінде Раман спектроскопиясы қолданылды.

Obtained results and novelty (in Russian) : Исследован фазовый состав (ФС) аморфных и кристаллических пленок Ge2Sb2Te, а также трансформация их структуры при отжиге и лазерном облучении. ФС пленок изучался XPS. Установлено, что ФС аморфных и кристаллических пленок различается и зависит от концентрации Bi. Показано, что при (6,2-6,5) ат.%. Bi образуются соединение Bi только с Те и ФС аморфных и кристаллических пленок одинаков. Показано, что отжиг пленок от 100 до 300 оС приводит к фазовым переходам: из аморфного состояния в промежуточное метастабильное кристаллическое с кубической структурой (fcc), а затем в стабильное кристаллическое с гексагональной структурой (hcp). Трансформация структуры пленок Ge2Sb2Te5 при лазерном облучении (λ=633 нм) изучалась in situ методом Рамановской спектроскопии. Установлено, что в зависимости от концентрации Bi (до 13 ат.%), мощности лазерного облучения (до 1,6 мВт) и его длительности (до 10 мин) в структуре пленок может происходить фазовый переход из аморфного состояния в состояние hcp, минуя промежуточное fcc состояние. Полученные результаты являются новыми. Установленная особенность фазового перехода в пленках Ge2Sb2Te5, управляемая концентрацией Bi и мощностью облучения, является важной для реализации многоуровневой записи информации

Obtained results and novelty (in Kazakh) : Ge2Sb2Te аморфты және кристаллды (ам. және кр.) қаб-ның фазалық құрамы (ФҚ), сонымен қатар қыздыру және лазерлік сәулелендіру кезіндегі олардың құрылымдарының трансформациясы зерттелді. Қаб-ң ФҚ XPS-те зерттелді. Ам. және кр. қаб-ң ФҚ өзгеше және Ві-тың концентрациясына тәуелді болатыны анықталды. Bi (6,2-6,5) ат.%. кезінде Ві тек Те атомдарымен байланысады және ам. және кр. қаб-ң ФҚ бірдей болатыны көрсетілді. Қаб-ды 100 ден 300 оС-ге дейін қыздыру кезінде ам. күйден аралық метатұрақты кр. кубтық құрылымға (fcc), кейін тұрақты кр. гексоганальді (hcp) күйге өтетіні көрсетілді. In situ Раман спектроскопиясы әдісімен лазердің әсерінен (λ=633 нм) Ge2Sb2Te5 қаб-ң құрылымының трансформациясы зерттелді. Лазердің қуаты (1,6 мВт-қа дейін) және оның ұзақтығы (10 минутқа дейін) әсер ету кезінде Bi қоспасының концентрациясы (13 ат.%-ға дейін) қаб-да фазалық ауысу кезінде ам. күйден тұрақты гексоганальді күйге бірден өтеді, ал аралық метатұрақты кубтық фазада болмайды. Алынған нәтижелер жаңа. Ge2Sb2Te қабыршақтарында Bi концентрациясы және сәулелену қуатымен басқарылатын фазалық ауысудың белгіленген ерекшелігі көп деңгейлі ақпаратты тіркеуді жүзеге асыру үшін маңызды.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Модифицированные пленки Ge2Sb2Te5 получались с использованием магнетрона ONYX-3 фирмы AngstromSciences (USA), поликристаллической мишени фирмы AciAlloys (USA). Использование этого оборудование позволило получать пленки с аморфной структурой и с заданным составом использую малую мощность ВЧ генератора ~15 мВт.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : Модификацияланған Ge2Sb2Te5 аморфты қабыршақтары AciAlloys (USA) фирмасында өндірілген поликристалды нысанадан AngstromSciences (USA) фирмасында шығарылған ONYX-3 магнетронының көмегімен алынды

Level of implementation (in Russian) : Опубликована 1 статья из перечня ККСОН КН

Level of implementation (in Kazakh) : БҒСБ ҒК тізімінен 1 мақала жарияланды.

Efficiency (in Russian) : Установлены перспективы применения тонких пленок Ge2Sb2Te5 для реализации многоуровневой записи информации

Efficiency (in Kazakh) : Көпдеңгейлі ақпаратты тіркеуді жүзеге асыру үшін Ge2Sb2Te5 жұқа қабықшаларды қолдану перспективалары белгіленді.

Field of application (in Russian) : Микро- и наноэлектроника. Регистрирующие среды и устройства на основе электрической и оптической записи информации.

Field of application (in Kazakh) : Микро- және наноэлектроника. Ақпаратты электрлік және оптикалық жазуға негізделген сақтау құралдары.