The object of research, development or design (in Russian) : Электрон-дырочные селективные пассивирующие контакты на основе SiC, SnOх, TiOx, Ta2O5, ZnOx, MoOх..

The object of research, development or design (in Kazakh) : SiC, SnOx, TiOx, Ta2O5, ZnOx, MoOx негізіндегі электронды-тесік селективті пассивтендіру контактілері..

Aim of work (in Russian) : Формирование электрон-дырочных селективных пассивирующих контактов на основе широкозонных полупроводников SiC(n или p), SnOх, TiOx, Ta2O5, ZnOx и MoOх методом магнетронного распыления с промежуточным туннельным слоем SiOx и антиотражающим покрытием SiC:H(n или p)/MgF2.

Aim of work (in Kazakh) : Магнетронды шашырату арқылы SiC(n немесе p), SnOx, TiOx, Ta2O5, ZnOx, MoOx кең жолақты жартылай өткізгіштер негізінде электронды-тесік селективті пассивтеуші контактілерді SiOx аралық туннель қабат және шағылысуға қарсы SiC:H(n немесе p)/MgF2 жабынмен қалыптастыру.

Методы исследования (на русском) : Исследование полученных образцов производится на установке «ТАУМЕТР» для измерения эффективного времени жизни; четырехзондовым методом на установке «РОМЕТР» для определения удельного электрического сопротивления полученных пленок; методом рентгеновской рефлектометрии на установке CompleXRay C6, с использованием программного обеспечения ведется расчёт плотности, шероховатости и толщины исследуемых пленок; методом ИК спектроскопии на установке Nicolet iS50 исследуются химический состав и структурное состояние синтезированных пленок; методом спектрофотометрии на установке EVOLUTION UV-Vis 300 измеряются спектры отражения и пропускания; на флуоресцентном спектрометре Lumina измеряются спектры люминесценции исследуемых образцов; методом рентгеновской дифракции на установке УРС с фотографической регистрацией определяются фазовый состав пленок и средний размер нанокристаллитов.

Методы исследования (на казахском) : Алынған үлгілерді зерттеу тиімді өмір сүру уақытын өлшеу "ТАУМЕТР" қондырғысында жүргізіледі; алынған қабыршақтардың меншікті электр кедергісін анықтау үшін "РОМЕТР" қондырғысындағы төрт зондты әдісі қолданылады; зерттелетін қабыршақтарддың тығыздығын, беттік кедір-бұдырлығын және қалыңдығын есептеу рентгендік рефлектометрия әдісі CompleXRay C6 қондырғысында және бағдарламалық қамтамасыз етуді пайдалана отырып жүргізіледі; ИК спектроскопия әдісімен Nicolet iS50 қондырғысында синтезделген қабықшақтардың химиялық құрамы мен құрылымдық жағдайы зерттеледі; спектрофотометрия әдісімен EVOLUTION UV-Vis 300 қондырғысында шағылысу және өткізу спектрлері өлшенеді; Lumina флуоресцентті спектрометрінде зерттелетін үлгілердің люминесценция спектрлері өлшенеді; фотографиялық тіркеуі бар УРС қондырғысындағы рентгендік дифракция әдісімен қабыршақтардың фазалық құрамы және нанокристаллиттердің орташа мөлшері анықталады.

Obtained results and novelty (in Russian) : В соответствии с календарным планом, методом быстрого термического отжига на установке As-ONE 150 при температуре 900-1000оС в течение 3 минут были получены тонкие пленки SiO2, что подтверждается наличием узкого пика на ИК-спектре при 1071 см-1. Было показано, что предварительная очистка играет важную роль в достижении высокого эффективного времени жизни неосновных носителей заряда, а максимальное значение в 550 микросекунд достигается формированием тонкого слоя SiO2 методом быстрого термического отжига (RTP) при температуре 950оС на поверхности n-типа кремния. Для сравнения химическим методом в растворах HNO3, H2SO4:H2O2 и HCl:H2O2;H2O были получены туннельные слои SiO2. Толщина полученных таким образом слоев значительно ниже полученных в результате быстрого термического отжига, однако получившееся время жизни неосновных носителей заряда не может конкурировать с RTP методом и не превышает 15 микросекунд.

Obtained results and novelty (in Kazakh) : Күнтізбелік жоспарға сәйкес As-ONE қондырғысында 900-1000оС температурада 3 минут ішінде жылдам термиялық күйдіру әдісімен SiO2 жұқа қабыршақтары алынды, бұл ИҚ спектрінде 1071 см-1 кезінде тар шыңның болуымен расталады. Алдын ала тазалау негізгі емес заряд тасымалдаушылардың жоғары тиімді өмір сүру уақытына қол жеткізуінде маңызды рөл атқаратыны көрсетілді және максималды 550 микросекундтық мәнге n типті кремнийдің бетіне 950оС температурада жылдам термиялық күйдіру (RTP) арқылы SiO2 жұқа қабатын қалыптастыру арқылы қол жеткізіледі. Салыстыру үшін химиялық әдіспен HNO3, H2SO4:H2O2 және HCl:H2O2;H2O ерітінділерінде SiO2 туннель қабаттары алынды. Осылайша алынған қабаттардың қалыңдығы жылдам термиялық күйдіру нәтижесінде алынғаннан едәуір төмен, алайда негізгі емес заряд тасымалдаушылардың алынған өмір сүру уақыты RTP әдісімен бәсекелесе алмайды және 15 микросекундтан аспайды.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Получение нанослоев SiO2 на поверхности кремния, высокого времени жизни неосновных носителей заряда (550 микросекунд), наличие соответствующих пиков на ИК-спектре (1071 см-1).

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : Кремний бетінде SiO2 наноқабаттарын алу, негізгі емес заряд тасымалдаушылардың жоғары өмір сүру ұзақтығы (550 микросекунд), ИҚ спектрінде сәйкес шыңдардың болуы (1071 см-1).

Level of implementation (in Russian) :

Level of implementation (in Kazakh) :

Efficiency (in Russian) : Было показано, что предварительная очистка играет важную роль в достижении высокого эффективного времени жизни неосновных носителей заряда, а максимальное значение в 550 микросекунд достигается формированием тонкого слоя SiO2 методом быстрого термического отжига (RTP) при температуре 950оС на поверхности n-типа кремния.

Efficiency (in Kazakh) : Алдын ала тазалау негізгі емес заряд тасымалдаушылардың жоғары тиімді өмір сүру уақытына қол жеткізуінде маңызды рөл атқаратыны көрсетілді және максималды 550 микросекундтық мәнге n типті кремнийдің бетіне 950оС температурада жылдам термиялық күйдіру (RTP) арқылы SiO2 жұқа қабатын қалыптастыру арқылы қол жеткізіледі.

Field of application (in Russian) : Наноэлектроника, Солнечные элементы

Field of application (in Kazakh) : Наноэлектроника, Күн батареялары