Inventory number IRN Number of state registration
0322РК01456 AP14972907-KC-22 0122РК00307
Document type Terms of distribution Availability of implementation
Краткие сведения Gratis Number of implementation: 0
Not implemented
Publications
Native publications: 0
International publications: 0 Publications Web of science: 0 Publications Scopus: 0
Patents Amount of funding Code of the program
0 3082426 AP14972907
Name of work
Исследование радиационной стойкости тонких пленок оксида галлия
Type of work Source of funding Report authors
Fundamental Қойшыбаева Жанымгүл Қойшыбайқызы
0
0
0
0
Customer МНВО РК
Information on the executing organization
Short name of the ministry (establishment) МНВО РК
Full name of the service recipient
Некоммерческое акционерное общество "Евразийский Национальный университет имени Л.Н. Гумилева"
Abbreviated name of the service recipient НАО "ЕНУ им.Л.Н.Гумилева"
Abstract

Оксид галлия (β-Ga2O3)

Галий оксиді (β-Ga2O3)

Цель работы на данном этапе заключалась в определении оптимального режима синтеза тонких пленок на основе моноклинного оксида галлия (β-Ga2O3) методом магнетронного осаждения с последующим термическим отжигом.

Осы кезеңдегі жұмыстың мақсаты магнетронды тұндыру арқылы моноклиндық галий оксиді (β-Ga2O3) негізіндегі жұқа пленкаларды синтездеудің және кейін оны термиялық күйдірудің оңтайлы режимдерін анықтау болды.

Были изучены и проанализированы зарубежные научные статьи для определения режимов осаждения и отжига тонких пленок на основе оксида галлия. В ходе анализа статьи выбраны две разные подложки: сапфир с ориентацией (0001) и сталь.

оксиді негізіндегі жұқа пленкаларды тұндыру және күйдіру режимдерін анықтау үшін шетелдік ғылыми мақалалар зерттеліп, талданды. Мақаланы талдау барысында екі түрлі субстрат таңдалды: сапфир (0001) бағытымен және болат.

Ожидаемые результаты: определены режимы осаждения, позволяющие получить тонкие пленки оксида галлия на различных подложках с высокой адгезией для проведения дальнейших исследований.

Күтілетін нәтижелер: әрі қарай зерттеу үшін жоғары адгезиялы әртүрлі субстраттарда галлий оксиді негізінде жұқа пленкаларды алуға мүмкіндік беретін тұндыру режимдері анықталды.

Для достижения поставленной цели научного проекта решены следующие задачи: Определены режимы осаждения тонких пленок оксида галлия (β-Ga2O3) на различные подложки с их предварительной подготовкой (полировка, очистка): поток кислорода в камеру, расстояние от распыляемой мишени до поверхности подложки, температуры подложки.

Ғылыми жобаның мақсатына жету үшін келесі міндеттер шешілді: Галлий оксидінің (β-Ga2O3) жұқа пленкаларын алдын ала дайындаумен (жылтырату, тазалау) әртүрлі субстраттарға тұндыру режимдері анықталды: камерадағы оттегінің ағыны, шашылған нысанадан субстрат бетіне дейінгі қашықтық, субстрат температуралары.

Внедрение не предполагается

Іске асыру күтілмейді

Результаты выполненной работы позволили точно определить режимы осаждение и отжига тонких пленок на основе оксида галлия и являются базисом для реализации следующих задач.

Бұл жұмыстың нәтижелері галлий оксиді негізіндегі жұқа пленкаларды тұндыру және күйдіру режимдерін дәл анықтауға мүмкіндік берді және келесі міндеттерді орындауға негіз болады.

Результаты исследований могут быть использованы в фундаментальных и коммерческих исследованиях в области изготовления приборов нового поколения оптоэлектроники, авионики и электроники космических аппаратов.

Зерттеу нәтижелері оптоэлектроника, авионика және ғарыш аппараттарының электроникасының жаңа буынын құрылғыларын жасау саласындағы іргелі және коммерциялық зерттеулерде пайдаланылуы мүмкіндік береді.

UDC indices
539.2/.6:539./.04
International classifier codes
29.19.21;
Key words in Russian
оксид галлия; радиационное материаловедение; тонкие плёнки; магнетронная распылительная система; ионное облучение;
Key words in Kazakh
галлий оксиді; радиациялық материалтану; жұқа пленкалар; магнетронды шашырату жүйесі; иондық сәулелену;
Head of the organization Сыдыков Ерлан Батташевич доктор исторических наук / Профессор
Head of work Қойшыбаева Жанымгүл Қойшыбайқызы докторант окончивший полный курс программы докторантуры / докторант окончивший полный курс программы докторантуры