Inventory number | IRN | Number of state registration | ||
---|---|---|---|---|
0322РК00328 | AP14871479-KC-22 | 0122РК00281 | ||
Document type | Terms of distribution | Availability of implementation | ||
Краткие сведения | Gratis | Number of implementation: 0 Not implemented |
||
Publications | ||||
Native publications: 0 | ||||
International publications: 0 | Publications Web of science: 0 | Publications Scopus: 0 | ||
Patents | Amount of funding | Code of the program | ||
0 | 11950044.24 | AP14871479 | ||
Name of work | ||||
Темплэйтный синтез и экспериментально-теоретическое исследование нового типа гетероструктур для нано и оптоэлектронных применений | ||||
Type of work | Source of funding | Report authors | ||
Fundamental | Даулетбекова Алма Кабдиновна | |||
0
0
3
2
|
||||
Customer | МНВО РК | |||
Information on the executing organization | ||||
Short name of the ministry (establishment) | МНВО РК | |||
Full name of the service recipient | ||||
Некоммерческое акционерное общество "Евразийский Национальный университет имени Л.Н. Гумилева" | ||||
Abbreviated name of the service recipient | НАО "ЕНУ им.Л.Н.Гумилева" | |||
Abstract | ||||
наногетероструктуры ZnO-NW/SiO2/Si, SnO2-NW/SiO2/Si и SiO2/Si(n/p)/SiO2 с заполнением нанопор нанопроволоками ZnO-NW или SnO2-NW. ZnO-NW/SiO2/Si, SnO2-NW/SiO2/Si және SiO2/Si(n/p)/SiO2 наногетероқұрылымдары ZnO-NW немесе SnO2-NW наносымдарымен толтырылған нанокеуектер. разработать малозатратный, контролируемый метод синтеза недопированных и допированных наногетероструктур ZnO-NW/SiO2/Si и SnO2-NW/SiO2/Si, с массивами p-n переходов, гетероструктуры SiO2/Si(n/p)/SiO2 с заполнением нанопор нанопроволоками ZnO-NW или SnO2-NW и массивами n-p-n переходов. Провести экспериментально-теоретический анализ свойств, для применения в нано- и оптоэлектронике. (NW - нанопроволока). : p-n түйіспелерінің массивтері легирленбеген және легирленген ZnO-NW/SiO2/Si және SnO2-NW/SiO2/Si наноэтроқұрылымдарын ZnO-NW немесе SnO2-NW толтырылған нанокеуектері бар SiO2/Si(n/p)/SiO2 гетероқұрылымдары және n-p-n түйісу массивтері синтездеу үшін арзан әрі тиімді, бақыланатын әдісті әзірлеу болып табылады. Нано- және оптоэлектроникада қолдану үшін қасиеттеріне эксперименттік-теориялық талдау жүргізу (NW - наносым). ЭХО, ХО, АСМ, СЭМ, рентгеноструктурный анализ, люминесцентная спектроскопия, ВАХ, термическая обработка ЭХТ, ХТ, AКM, СЭМ, рентгендік дифракциялық талдау, люминесценттік спектроскопия, ВАС, термиялық өңдеу 1. Прилучены с помощью ХО и ЭХО образцы гетероструктур (SnO2 -NW)/SiO2/Si с массивами p-n переходов Проведены СЭМ и АСМ исследования поверхности до и после ХО и ЭХО. 2. РСА исследованиями установлено, что химическое осаждение приводит к формированию структур содержащих нанопроволоки Sn-NW и SnO-NW. Электрохимическое осаждение создает нанопроволоки SnO2-NW 3. Широкая полоса фотолюминесценции с двумя максимумами наблюдалась в спектральном диапазоне 400–470 nm. Из литературных источников известно, что эта полоса фотолюминесценции связана с кислородными вакансиями различного типа. 4. Вольтамперная характеристика носит диолный характер, что свидетельствует о формировании p-n перехода 5. Установлено влияние термического отжига на степень кристалличности и соответственно на люминесцентные и электрофизические свойства. 1. (SnO2 -NW)/SiO2/Si гетероқұрылымдарының үлгілері p-n түйісу массивтері ХТ және ЭХТ көмегімен алынды. Үлгілердің бетінің СЭМ және AКМ зерттеулері ХТ және ЭХТ алдында және кейін жүргізілді. 2. Рентгендік дифракциялық зерттеулер химиялық тұндыру Sn-NW және SnO-NW нано сымдары бар құрылымдардың пайда болуына әкелетінін анықтады. Электрохимиялық тұндыруда SnO2-NW нано сымдарын жасалды 3. 400-470 нм спектрлік диапазонда екі максимумы бар кең фотолюминесценция жолағы байқалды. Бұл фотолюминесценция жолағы әртүрлі типтегі оттегінің вакансиясымен байланысты екені әдебиеттерден белгілі. 4. Вольт-амперлің сипаттамасы диодды сипатқа ие, ол p-n өткелінің түзілуін көрсетеді. 5. Термиялық күйдірудің кристалдық дәрежесіне және сәйкесінше люминесценттік және электрлік қасиеттеріне әсері анықталды. Анализ экспериментальных данных показал хорошую точность примененных методов. Эксперименттік мәліметтерді талдау қолданылған әдістердің дәлдігін көрсетті. Полученные в ходе выполнения Проекта результаты внедряются при чтении спецкурсов у докторантов, таких как «Ионно-лучевая модификация материалов» Жобаны орындау барысында алынған нәтижелер докторанттарға арнайы курстарды оқуда жаңалышылдық енгізеді, атап айтсақ «Материалдардың ионды-сәулелік модификациясы». Алынған нәтижелер мен әдебиеттерден алынған мәліметтердің салыстырмалы талдауы алынған нәтижелердің, әсіресе наногетероқұрылымдардың жаңа түрлерін құру кезінде сұранысқа ие екендігін көрсетеді. Сравнительный анализ полученных результатов и данных из литературных источников свидетельствует о востребованности полученных результатов, особенно при создании новых типов наногетероструктур. при разработке новых поколений приборов опто- и наноэлектроники опто- және наноэлектронды құрылғылардың жаңа буындарын жасауда |
||||
UDC indices | ||||
538.91; 348.36 | ||||
International classifier codes | ||||
29.19.31; | ||||
Key words in Russian | ||||
темплэйтный синтез; трек; трековый темплэйт SiO2/Si; оксидные полупроводники; нанопроволоки; гетероструктура; | ||||
Key words in Kazakh | ||||
темплэйтті синтезі; трек; SiO2/Si тректі темплэйті; оксидті жартылай өткізгіштер; наносымдар; гетероқұрылым; | ||||
Head of the organization | Сыдыков Ерлан Батташевич | доктор исторических наук / Профессор | ||
Head of work | Даулетбекова Алма Кабдиновна | Кандидат физико-математических наук, PhD / профессор |