Inventory number | IRN | Number of state registration | ||
---|---|---|---|---|
0322РК00582 | AP09058438-KC-22 | 0121РК00034 | ||
Document type | Terms of distribution | Availability of implementation | ||
Краткие сведения | Gratis | Number of implementation: 0 Not implemented |
||
Publications | ||||
Native publications: 0 | ||||
International publications: 1 | Publications Web of science: 1 | Publications Scopus: 1 | ||
Patents | Amount of funding | Code of the program | ||
0 | 17999999 | AP09058438 | ||
Name of work | ||||
Исследование наноструктурированных и монокристаллических слоев карбида кремния и оксидов металлов, синтезированных физико-химическими методами для наноэлектроники | ||||
Type of work | Source of funding | Report authors | ||
Applied | Бакранова Дина Игоревна | |||
0
1
1
0
|
||||
Customer | МНВО РК | |||
Information on the executing organization | ||||
Short name of the ministry (establishment) | МНВО РК | |||
Full name of the service recipient | ||||
АО «Казахстанско-Британский технический университет» | ||||
Abbreviated name of the service recipient | АО "КБТУ" | |||
Abstract | ||||
Авторами проекта будет осуществлен синтез наноструктурированных, поликристаллических и монокристаллических пленок карбида кремния (SiC) методом замещения атомов в атмосфере газа монооксида углерода (СО). Осаждение пленок ZnO будет осуществляться магнетронным распылением мишени ZnO в атмосфере аргона либо альтернативным способом распыления мишени Zn в атмосфере кислорода. жоба авторлары наноқұрылымды, поликристалды және монокристалды кремний карбиді (SiC) қабықшаларын атомдарды көміртегі оксиді (СО) атмосферасында алмастыру арқылы синтездейді. ZnO қабықшаларын тұндыру ZnO нысанын аргон атмосферасына магнетронды тозаңдату немесе Zn нысанын оттегі атмосферасына шашыратудың балама әдісі арқылы жүзеге асырылады. Синтезделген қабықшаларды рентгендік дифракцияның, рентгендік рефлектометрияның және инфрақызыл спектроскопияның құрылымдық әдістері зерттеледі. Синтез и исследование наноструктурированных поликристаллических, монокристаллических слоев SiC и оксидов металлов, синтезированных физико-химическими методами для полупроводниковой наноэлектроники. Основная идея проекта заключается в изучении влияния температуры на формирование различных структурных фаз SiC. Будет изучено влияние структуры буферного слоя SiC на улучшение структурного качества пленок ZnO. Жартылай өткізгішті наноэлектроника үшін физика-химиялық әдістермен синтезделген SiC мен металл оксидтерінің наноқұрылымды, поликристалды, монокристалды қабаттарын синтездеу және зерттеу. Жобаның негізгі идеясы - SiC әртүрлі құрылымдық фазаларының түзілуіне температура мен басқа синтез жағдайларының әсерін зерттеу. SiC буферлік қабаты құрылымының магнетронды тозаңдату немесе бүркумен алынған ZnO қабықтарының құрылымдық сапасын жақсартуға әсері зерттеледі. экспериментальное и аналитическое оборудование, которое позволяет провести комплексное исследование и обработать результаты для выполнения цели проекта (ИК-спектроскопия, рентгеновская рефлектометрия, рентгеновская дифракция, атомно-силовая спектроскопия). жобаның мақсатына жету үшін нәтижелерді жан-жақты зерттеуге және өңдеуге мүмкіндік беретін тәжірибелік-аналитикалық жабдық (ИҚ-спектроскопия, рентгендік рефлексометрия, рентгендік дифракция, атомдық күш спектроскопиясы). Изучены особенности формирования различных структурных фаз SiC в условиях высоких температур >1300°С, и проанализировано влияние различных параметров синтеза на формирование структур. Поставленные цели и задачи за отчетный период полностью достигнуты. С использованием высокотемпературной электропечи в атмосфере газа СО синтезированы монокристаллические и нанокристаллические фазы карбида кремния при различных условиях. Изучено влияние температуры, давления и длительности синтеза на структурное качество и фазовый состав полученных пленок. Жоғары температурада SiC-тің >1300°С әртүрлі құрылымдық фазаларының пайда болу ерекшеліктері зерттеліп, әртүрлі синтез параметрлерінің құрылымдардың түзілуіне әсері талданды. СО газ атмосферасында жоғары температуралы электр пешінің көмегімен кремний карбидінің монокристалды және нанокристалды фазалары әртүрлі жағдайларда синтезделді. Алынған пленкалардың құрылымдық сапасы мен фазалық құрамына температураның, қысымның және синтез ұзақтығының әсері зерттелді. За 2022 год изучены особенности формирования различных структурных фаз SiC в условиях высоких температур >1300°С, и проанализировано влияние различных параметров синтеза на формирование структур. 2022 жылға >1300°С жоғары температурада әртүрлі SiC құрылымдық фазаларының түзілу ерекшеліктері зерттеліп, құрылымдардың қалыптасуына әртүрлі синтез параметрлерінің әсері талданды.
Наноэлектроника, солнечная энергетика. Наноэлектроника, күн энергиясы. |
||||
UDC indices | ||||
539.216.2:538.975 | ||||
International classifier codes | ||||
29.19.16; 29.19.22; | ||||
Key words in Russian | ||||
Карбид кремния; кремний; матрица; монокристалл; нанокристалл; тонкие пленки; | ||||
Key words in Kazakh | ||||
Кремний карбиді; кремний; матрица; монокристалл; нанокристалл; жұқа қабыршақтар; | ||||
Head of the organization | Габдуллин Маратбек Тулепбергенович | Phd / Профессор | ||
Head of work | Бакранова Дина Игоревна | PhD in Material Science / Master |