The object of research, development or design (in Russian) : Наноразмерные пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников

The object of research, development or design (in Kazakh) : Халкогенидты шынытәріздес жартылай өткізгіштердің наноөлшемді қабықшалары

Aim of work (in Russian) : Цель проекта разработать технологию изготовления устройств энегонезависимой памяти типа PCRAМ на основе халькогенидного стеклообразношо полупроводника Ge2Sb2Te5 посредством выявление зависимостей параметров эффекта переключения в этих материалах от локальной структуры и внешних воздействий, используя компьютерное моделирования в средах DFT и AIMD, а также реализия модели технологически посредством эпитаксиального роста.

Aim of work (in Kazakh) : Жобаның мақсаты – халькогенидті шыны тәрізді жартылай өткізгіш Ge2Sb2Te5 негізінде PCRAM типті тұрақты жады құрылғыларын өндіру технологиясын әзірлеу осы материалдардағы коммутациялық әсер параметрлерінің жергілікті құрылымға және сыртқы әсерлерге тәуелділігін анықтау, DFT және AIMD орталарында компьютерлік модельдеуді қолдану, сонымен қатар эпитаксиалды қабат өсу арқылы модельді технологиялық жүзеге асыру.

Методы исследования (на русском) : Компьютерное моделирование с использованием DFT расчетов

Методы исследования (на казахском) : DFT есептеулері арқылы компьютерлік модельдеу

Obtained results and novelty (in Russian) : Определены структурные параметры стабильной и метастабильной фазы Ge2Sb2Te5. Измерены проводимость и вольт-амперные характеристики GST. Опубликована одна статья в рецензируемом зарубежном издательстве.

Obtained results and novelty (in Kazakh) : Тұрақты және метатұрақты Ge2Sb2Te5 фазаларының құрылымдық параметрлері анықталды. ГСТ өткізгіштігі мен вольт-амперлік сипаттамалары өлшенеді. Бір мақаласы рецензияланған шетелдік баспада жарияланған.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Ge2Sb2Te5, легированный висмутом путем замещения Ge Энергия (кДж/моль): без висмута -3289,63; висмут чистый -178,68; с висмутом -3201.41

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : Ge2Sb2Te5 Ge орнына висмутпен легирленген Энергия (кДж/моль): висмутсыз -3289,63; Висмут таза -178,68; Висмутпен -3201,41

Level of implementation (in Russian) :

Level of implementation (in Kazakh) :

Efficiency (in Russian) : Эффективность проделанной работы высокая, все запланированные мероприятия по календарному плану выполнены в срок.

Efficiency (in Kazakh) : Жасалған жұмыстың эффективтілігі жоғары, барлық күнтізбелік жоспар бойынша жоспарланған жұмыстар уақытымен орындалды.

Field of application (in Russian) : электроника

Field of application (in Kazakh) : электроника