Inventory number | IRN | Number of state registration | ||
---|---|---|---|---|
0322РК00343 | AP13268607-KC-22 | 0122РК00129 | ||
Document type | Terms of distribution | Availability of implementation | ||
Краткие сведения | Gratis | Number of implementation: 0 Not implemented |
||
Publications | ||||
Native publications: 0 | ||||
International publications: 1 | Publications Web of science: 0 | Publications Scopus: 0 | ||
Patents | Amount of funding | Code of the program | ||
1 | 2991000 | AP13268607 | ||
Name of work | ||||
Особенности формирования полупроводниковых наноструктур в трековом темплэйте SiO2/Si | ||||
Type of work | Source of funding | Report authors | ||
Fundamental | Акылбекова Айман Дуйсембаевна | |||
0
0
0
0
|
||||
Customer | МНВО РК | |||
Information on the executing organization | ||||
Short name of the ministry (establishment) | МНВО РК | |||
Full name of the service recipient | ||||
Некоммерческое акционерное общество "Евразийский Национальный университет имени Л.Н. Гумилева" | ||||
Abbreviated name of the service recipient | НАО "ЕНУ им.Л.Н.Гумилева" | |||
Abstract | ||||
нанокристаллы ZnSe, ZnS, ZnTe ZnSe, ZnS, ZnTe нанокристалдары разработать процесс синтезирование и провести исследование свойств нанокристаллов (нанокластеров) на основе соединений цинка (ZnX, X=Se, S, Te), осажденных в трековом темплэйте SiO2/Si для микро- и наноэлектронных применений микро- және наноэлектроникада қолдану үшін SiO2/Si трек темплэйтінде тұндырылған мырыш қосылыстары (ZnX, X=Se, S, Te) негізіндегі нанокристалдарды (нанокластерлерді) синтездеу және олардың қасиеттерін зерттеу Люминесцентная спектроскопия, облучение высокоэнергетическими ионами, темплэйтный синтез (химическое или электрохимическое осаждение), сканирующий электронный микроскоп (СЭМ), рентгенофазовый анализ (РФА), энергодисперсионный анализ (ЭДС), атомный силовой микроскоп (АСМ) Люминесценттік спектроскопия, жоғары энергиялы иондармен сәулелену, темплэйтті синтез (химиялық немесе электрохимиялық тұндыру), сканерлеуші электрондық микроскопия (СЭМ), рентгенофазалық талдау (РФТ), энергия дисперсиялы талдау (ЭДТ), атомдық күштік микроскопия (АКМ) 1. Разработаны режимы синтеза нанокластеров на основе ZnSe и ZnS в трековый темплэйт а-SiO2нанопор/Si (n или p типа). Получены SiO2/Si, с заполненными нанопорами соединениями ZnSe, ZnS. Были исследованы режимы синтеза – определена температура (750С) и время синтеза (40 и 60 мин.). 2. Исследована морфология синтезированных образцов наноластеров на основе ZnSe и ZnS в трековый темплэйт а-SiO2нанопор/Si (n или p типа), и их структурные свойства. Анализ СЭМ изображений показал, что заполнение нанопор составляет 90%. Рентгеноструктурное исследование образцов установило создание нанокристаллов ZnSe с кубической кристаллической структурой и пространственной группы F-43m. 3. Получен Патент на полезную модель, опубликован тезис и подготовлена статья к публикации. 1. ZnSe және ZnS негізіндегі нанокластерлерді a-SiO2нанокеуек/Si (n немесе p типі) темплэйтіне синтездеу режимдері әзірленді. Нанокеуектермен толтырылған ZnSe және ZnS қосылыстары SiO2/Si алынды. Синтез режимдері зерттелді: температура (750С) және синтез уақыты (40 және 60 мин.) анықталды. 2. ZnSe және ZnS негізінде а-SiO2нанокеуек/Si (n немесе p типті) трек темплэйтіне нанокластерлердің синтезделген үлгілерінің морфологиясы және олардың құрылымдық қасиеттері зерттелді. СЭМ кескіндерін талдауда нанокеуектерді толуы 90% құрайтынын көрсетті. Үлгілерді рентгендік дифракциялық зерттеуде текше кристалдық құрылымы және F-43m кеңістіктік тобы бар ZnSe нанокристалдарын құруды анықтады. 3. Пайдалы модельге патент алынды, тезис жаряланды, басылымға мақала дайындалды. Полученные экспериментальные данные показали достаточно хорошую точность примененных методов в исследования данных объектов. Алынған эксперименттік мәліметтер осы объектілерді зерттеуде қолданылатын әдістердің жеткілікті жақсы дәлдігін көрсетті.
На основе апробации результатов полученный Патент, опубликованный тезис и подготовленная статья свидетельствует о востребованности результатов научного исследования. Нәтижелерді апробациялау негізінде алынған Патент, жарияланған тезис және дайындалған мақала ғылыми зерттеулердің нәтижелеріне сұранысты көрсетеді. микро- и наноэлектроника Микро және наноэлектроника |
||||
UDC indices | ||||
548.73 | ||||
International classifier codes | ||||
29.19.31; | ||||
Key words in Russian | ||||
нанокластеры; трековый темплэйт; вольт-амперная характеристика; SiO2/Si трековый темплэйт; люминесцентная спектроскопия; рентгеноструктурный анализ; сканирующая электронная микроскопия; | ||||
Key words in Kazakh | ||||
нанокластерлер; тректі темплэйт; вольт-амперлік сипаттама; SiO2/Si тректі темплэйті; люминесценттік спектроскопия; рентгеноқұрылымдық талдау; сканерлеуші электрондық микроскоп; | ||||
Head of the organization | Сыдыков Ерлан Батташевич | доктор исторических наук / Профессор | ||
Head of work | Акылбекова Айман Дуйсембаевна | Доктор философии (PhD) / нет |