The object of research, development or design (in Russian) : Si3N4, AlN, SiC, Si3N4 MTI Corporation USA.

The object of research, development or design (in Kazakh) : Si3N4, AlN, SiC, Si3N4 MTI Corporation USA.

Aim of work (in Russian) : сравнительный анализ структурных изменений, вызываемых в ряде керамик: Si3N4, AlN, SiC, как материалах с разной чувствительностью к облучению БТИ, моделирующему воздействие осколков деления ядерного топлива.

Aim of work (in Kazakh) : ядролық отынның бөліну жарықшақтарының әсерін модельдейтін ауыр жоғары энергиялы иондардың сәулеленуіне әр түрлі сезімталдығы бар материалдар ретінде Si3N4, AlN, SiC, қатарындағы керамикалардың бірқатар құрылымдық өзгерістерін салыстырмалы талдау.

Методы исследования (на русском) : облучение БТИ, Рамановская пьезоспектроскопия, ВР ПЭМ, СЭМ, мультимасштабная гибридная модель.

Методы исследования (на казахском) : ЖАИ сәулелендіру, Раман пьезоспектроскопия, ЖЭМ ЖМ, СЭМ, мультимасштабты гибритті модель.

Obtained results and novelty (in Russian) : 1) переход в аморфное состояние Si3N4, начинается с флюенса более 2\times1013 см-2 ионов Xe и 1\times1013 см-2 ионов Bi; Длина аморфизованного слоя 8 мкм, 2) найдено, что сжимающие и растягивающие механические напряжения накапливаются в облученном слое, сжимающие напряжения регистрируются в зоне, где создаются латентные треки. За ее пределами наблюдаются растягивающие напряжение на глубине превышающей длину пробега ионов Xe, Bi, 3) по сравнению с Si3N4, механических напряжения в AlN регистрируются только при флюенсе ионов 710 МэВ Bi 1×1013 см-2, в 4H-SiC, до флюенса ионов 670 МэВ Bi 1,17×1012 см-2, наблюдался низкий уровень остаточных механических напряжений в приповерхностном слое, что говорит о высокой радиационной стойкости, 4) разработан мультимасштабный гибридный подход исследования особенностей формирования треков БТИ в аморфном и nc-Si3N4, 5) в модели аморфной мишени обнаружена структура трека ядро-оболочка с диаметром ядра около 3,5 нм, что хорошо согласуется с данными ПЭМ, 6) в нанозернах nc-Si3N4 формируются треки меньшего размера по сравнению с окружающей матрицей; пороговое значение Set составляет ~17 кэВ/нм, 7) in-situ и ex-situ ПЭМ показало эффекты восстановления p-Si3N4 в пострадиационном отжиге тонких и массивных образцов для Хе 300-800°С и 400-1200°С для Bi. Треки, созданные Bi, при in-situ отжиге 1000°C сохраняют аморфное ядро, тогда как ex-situ отжиг при 1000°C приводит к рекристаллизации матрицы.

Obtained results and novelty (in Kazakh) : 1) Si3N4 аморфтық күйге көшуі Хе ионыны 2\times1013 см-2 флюенсі және Bi ионы 1\times1013 см-2 флюенсінде басталады. Аморфталушы бөліктің ұзындығы 8 мкм, 2) сығымдау және созу механикалық кернеулері сәулеленген қабатта жиналатыны анықталды, және де сығымдалу кернеулері латентті тректер пайда болатын аймақты тіркелуі мүмкін. Бұл аймақтан тыс жерде Xe, Bi иондарының ұзындығынан асатын тереңдікте созылу кернеуі байқалады, 3) Si3N4 -мен салыстырғанда AlN-да механикалық кернеу энергиясы 710 МэВ Bi ионының 1×1013 см-2 флюенсінде тіркеледі, Үлгінің беттік қабатында қалдық механикалық кернеудің төмен деңгейі байқалады, 4) Si3N4 аморфты және нанокристалдарында ЖАИ тректері құрылуының ерекшеліктерін зерттеудің мультимасштабты гибридтік тәсіл әзірленді, 5) аморфты нысанның моделінде ЖЭМ нәтижелерімен жақсы сәйкес келетін ядро-қабықша трек табылды, ядро диаматрі шамамен 3,5 нм. 6) nc-Si3N4 нанотүйіршігінде айналадағы матрицамен салыстырғанда кішірек тректер қалыптасады; Set шектік мәні ~17 кэВ/нм құрайды, 7) in-situ және ex-situ ЖЭМ Хе 300-800°С үшін жұқа және массивті үлгілерді радиациядан кейінгі күйдіруде p-Si3N4 қалпына келтіру әсерлерінің бар екендігін көрсетті. Bi пайда болған тректер in-situ 1000°C күйдіруде аморфтық ядро сақтайды, олай болса ex-situ күйдіру 1000°C-гі матрица рекристаллизациясына апарады.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Сравнение с экспериментальными и теоретическими данными показали хорошую точность примененных методов.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : Эксперименттік және теориялық мәліметтерді салыстыру қолданылған әдістердің дәлдігін көрсетті.

Level of implementation (in Russian) : Полученные в ходе выполнения Проекта результаты внедряются при чтении спецкурсов у докторантов, таких как Ионно-лучевая модификация материалов

Level of implementation (in Kazakh) : Жобаны орындау барысында алынған нәтижелер докторанттарға арнайы курстарды оқуда жаңалышылдық енгізеді, атап айтсақ «Материалдардың ионды-сәулелік модификациясы».

Efficiency (in Russian) : Публикация результатов в научных журналах с квартилем Q2 свидетельствует о востребованности полученных результатов, особенно при прогнозировании поведения материалов в полях жесткой радиации.

Efficiency (in Kazakh) : Квартилі Q2 ғылыми журналдарда нәтижелерді жариялау алынған нәтижелердің сұранысқа ие екенін көрсетеді, әсіресе қатты радиация өрістеріндегі материалдардың күй-өзгерістерін болжау кезінде

Field of application (in Russian) : ядерная энергетика, ядерное материаловедение.

Field of application (in Kazakh) : ядролық энергетика, ядролық материалтану.