The object of research, development or design (in Russian) : Объектами исследования являются чистые и легированные образцы кристаллов оксида галлия бета фазы (β-Ga2O3).

The object of research, development or design (in Kazakh) : Зерттеу объектілері бета фазалы (β-Ga2O3) галий оксиді кристалдарының таза және легирленген үлгілері болып табылады.

Aim of work (in Russian) : Цель работы: Экспериментально-теоретическое исследование контролируемых изменений оптических, электронных свойств, а также люминесцентных свойств и радиационной стойкости соединений на основе β-Ga2O3.

Aim of work (in Kazakh) : Жұмыстың мақсаты: β-Ga2O3 негізінде жасалынған қосыдылардың оптикалық, электрондық қасиеттерінің, сондай-ақ люминесценттік қасиеттерінің және радиациаға төзімділігінің бақыланатын өзгерістерін эксперименттік және теориялық зерттеу.

Методы исследования (на русском) : Методы исследования: Были проведены исследования синтезированных и коммерческих образцов кристаллов методами УФ- и оптической спектроскопии, рентгеноструктурного анализа, энерго-дисперсионного анализа, сканирующей электронной микроскопией, и импульсной лазерной спектроскопией. Были проведены эксперименты по возбуждению люминесценции синхротронным облучением на 1.5 ГэВ синхротронной установки MAX IV (Лунд, Швеция) и спектроскопические измерения при температуре жидкого гелия (4.2 К) для легированных и чистого монокристаллов высокого качества, произведенных компанией Novel Crystal Technology. Ионное облучение коммерческих кристаллов проведено на ускорителе ионов DC-60 в Астанинском филиалле института ядерной физики в г. Астана. Наконец, проведены компьютерные вычисления эволюции физических свойств чистых и дефектных кристаллов в рамках теории функционала плотности с использованием лицензионного кода CRYSTAL2017.

Методы исследования (на казахском) : Зерттеу әдістері: Кристалдардың синтезделген және коммерциялық үлгілері ультракүлгін және оптикалық спектроскопия, рентгендік дифракциялық талдау, энергиялық дисперсиялық талдау, сканерлеуші электронды микроскопия және импульстік лазерлік спектроскопия көмегімен зерттелді. MAX IV синхротрондық қондырғыда (Лунд, Швеция) 1,5 ГэВ-та синхротронды сәулелендіру арқылы люминесценцияны қоздыру бойынша эксперименттер және сұйық гелий температурасында (4,2 К) спектроскопиялық өлшеулер Novel Crystal Technology шығарған жоғары сапалы қоспалы және таза монокристалдар үшін жүргізілді. Коммерциялық кристалдардың иондық сәулеленуі Астана қаласындағы Ядролық физика институтының Астана филиалындағы DC-60 иондық үдеткішінде жүргізілді. Соңында, CRYSTAL2017 лицензиялық кодын пайдалана отырып, тығыздықтың функционалдық теориясы шеңберінде таза және ақаулы кристалдардың физикалық қасиеттерінің эволюциясының компьютерлік есептеулері жүргізілді.

Obtained results and novelty (in Russian) : Результаты исследований: В результате выполнения проекта были получены синтезированные образцы кристаллов β-Ga2O3 методом спекания порошка под мощным электронным пучком. Показано, что данный метод позволяет получать протяженные образцы, которые имеют достаточно хорошее качество. Построена теория образования дефектов в результате ионного облучения и дано описание модификации электронных и оптических свойств коммерческих кристаллов в зависимости от легирования.

Obtained results and novelty (in Kazakh) : Зерттеу нәтижелері: Жобаның нәтижесінде β-Ga2O3 кристалдарының синтезделген үлгілері қуатты электронды сәуленің астында ұнтақты агломерациялау әдісі арқылы алынды. Бұл әдіс жеткілікті сапалы кеңейтілген үлгілерді алуға мүмкіндік беретіні көрсетілген. Иондық сәулелену нәтижесінде ақаулардың пайда болу теориясы құрылды және қоспалауға байланысты коммерциялық кристалдардың электрондық және оптикалық қасиеттерінің модификациясы сипатталынды.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Основные конструктивные и технико-эксплуатационные показатели: Высокая точность и надежность используемых методов. Экспериментальные показатели лежат в полном согласии с теоретическими вычислениями.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : Негізгі конструктивтік және техникалық-пайдалану көрсеткіштері: Қолданылатын әдістердің жоғары дәлдігі мен сенімділігі. Эксперименттік көрсеткіштер теориялық есептеулерге толық сәйкес келуі.

Level of implementation (in Russian) : Внедрение не предполагается

Level of implementation (in Kazakh) : іске асыру күтілмейді

Efficiency (in Russian) : Эффективность: Полученные модели и параметры позволяют определять эволюцию структурных и электронных свойств чистых и дефектных кристаллов оксида галлия в зависимости от легирования и ионного облучения, а также построить новые модели для получения кристаллов с заранее заданными свойствами. Результаты могут служить научным базисом для следующих экспериментальных работ.

Efficiency (in Kazakh) : Тиімділік: Алынған модельдер мен параметрлер қоспалануына мен иондық сәулеленуге байланысты таза және ақаулы галлий оксиді кристалдарының құрылымдық және электрондық қасиеттерінің эволюциясын анықтауға, сондай-ақ алдын ала анықталған қасиеттер бойынша кристалдарды алудың жаңа үлгілерін құруға мүмкіндік береді. Алынған нәтижелер келесі эксперименттік жұмыстарға ғылыми негіз бола алады.

Field of application (in Russian) : Область применения: Результаты исследований могут быть использованы в первую очередь в фундаментальных исследованиях в области оптической, фотонной и силовой электроники, альтернативной и ядерной энергетики, а также в области сцинтилляционного детектирования.

Field of application (in Kazakh) : Қолдану аясы: Зерттеу нәтижелерін ең алдымен оптикалық, фотондық және энергетикалық электроника, баламалы және ядролық энергетика саласындағы, сондай-ақ сцинтилляцияны анықтау саласындағы іргелі зерттеулерде пайдалануға болады.