Inventory number | IRN | Number of state registration |
---|---|---|
0222РК00223 | AP08052085-OT-22 | 0120РК00052 |
Document type | Terms of distribution | Availability of implementation |
Заключительный | Gratis | Number of implementation: 0 Not implemented |
Publications | ||
Native publications: 2 | ||
International publications: 2 | Publications Web of science: 0 | Publications Scopus: 1 |
Number of books | Appendicies | Sources |
1 | 2 | 30 |
Total number of pages | Patents | Illustrations |
64 | 0 | 48 |
Amount of funding | Code of the program | Table |
21511000 | AP08052085 | 3 |
Name of work | ||
Получение, исследование и модификация свойств двумерных нанокристаллов селенидов индия и галлия | ||
Report title | ||
Type of work | Source of funding | The product offerred for implementation |
Fundamental | Материалы | |
Report authors | ||
Мухаметкаримов Ержан , Немкаева Рената Руслановна , Гусейнов Назим Рустамович , Толепов Жандос Каирмаганбетович , Айтжанов Мади Бауыржанович , Орынбай Бақытжан Галымжанұлы , | ||
0
0
0
0
|
||
Customer | МНВО РК | |
Information on the executing organization | ||
Short name of the ministry (establishment) | МНВО РК | |
Full name of the service recipient | ||
Некоммерческое акционерное общество "Казахский национальный университет имени аль-Фараби" | ||
Abbreviated name of the service recipient | НАО "КазНУ им. аль-Фараби" | |
Abstract | ||
Объектом исследования являются двумерные нанокристаллы селенидов индия и галлия. Зерттеу объектісі индий және галлий селенидтерінің екі өлшемді нанокристалдары болып табылады. Отработка технологии получения методом стехиометрического сплавления в вакууме двумерных нанокристаллов селенидов индия и галлия, а также их модификация. Вакуумда стехиометриялық балқыту арқылы индий және галлий селенидтерінің екі өлшемді нанокристалдарын алу, сондай-ақ оларды модификациялау технологиясын жасау. Методы исследования – структура полученных в проекте кристаллов исследована методами сканирующей электронной микроскопии (Quanta 3D 200i), рентгеноструктурного анализа (Rigaku), рамановской спектроскопии (Solver Spectrum, NT-MDT); состав кристаллов был оценен методом энергодисперсионного анализа (EDAX); толщины двумерных нанокристаллов были определены атомно-силовой микроскопией (NT-MDT), а их идентификация на подложках осуществлялась на основе оптической микроскопии (Leica DM6000 M); фотоэлектрические свойства двумерных нанокристаллов были изучены с использованием монохроматора (решетка 1200 штрихов), лампы накаливания мощностью 300 Вт, фототок был измерен с использованием Keitheley 6487; вольт-амперные характеристики были измерены с помощью потенциостата PX-40; фотоэлектрохимические свойства были исследованы в кварцевой ячейке с тремя электродами: противоположный платиновый электрод, электрод сравнения Ag/AgCl и раобчий электрод на основе двумерных нанокристаллов; расчет зонной структуры осуществлялся на основе DMol3 в вычислительной среде Materials studio. Зерттеу әдістері – жобада алынған кристалдардың құрылымы сканерлеуші электронды микроскопия (Quanta 3D 200i), рентгендік дифракциялық талдау (Rigaku), Раман спектроскопиясы (Solver Spectrum, NT-MDT) арқылы зерттелді; кристалдардың құрамы энергия-дисперсиялық талдау (EDAX) әдісімен бағаланды; екі өлшемді нанокристалдардың қалыңдығы атомдық күштік микроскопиямен (NT-MDT) анықталды, ал олардың төсеніштегі идентификациясы оптикалық микроскопия (Leika) негізінде жүзеге асырылды; екі өлшемді нанокристалдардың фотоэлектрлік қасиеттері монохроматордың (1200 жолақ тор), 300 Вт қыздыру шамының көмегімен зерттелді, ал фототок Keitheley 6487 көмегімен өлшенді; Ток кернеуінің сипаттамалары PX-40 потенциостатының көмегімен өлшенді; фотоэлектрхимиялық қасиеттері үш электроды бар кварц ұяшығында зерттелді: қарама-қарсы платина электроды, Ag/AgCl анықтамалық электроды және екі өлшемді нанокристалдарға негізделген жұмыс электроды; зоналық құрылымының есептеулері Materials Studio есептеу ортасында Dmol3 негізінде жүргізілді. Краткое описание конечного результата – методом стехиометрического сплавления в вакууме получены чистые и модифицированные примесями серы слоистые кристаллы селенидов индия и галлия, а также их родственных структур, таких как GaTe и GaS; отработана технология микромеханического расщепления, переноса на подложку и нанесение электрических контактов с использованием электронно-лучевой литографии на малослойные нанокристаллы; полученные в работе двумерные нанокристаллы обладают высокой фоточувствительностью и имеют полосу фотолюминесценции в видимом диапазоне спектра оптического излучения; в двумерных нанокристаллах GaSeS пик ФЛ смещается в ультрафиолетовую область с увеличением содержания серы S в кристалле; фотодетекторы на основе двумерных нанокристаллов InSe и GaSe с двумя переходами Шоттки, обладают высокой фоточувствительностью при общем и локальном освещении, и могут быть использованы в качестве позиционно-чувствительных фотодетекторов; облучение низкоэнергетичными ионами аргона и азота приводит к увеличению темнового тока и фотоотлика изготовленных фотодетекторов. Новизна исследований – получение слоистых кристаллов селенидов индия и галлия, а также родственных структур методом стехиометрического сплавления в вакууме и комплексные исследования их электронных свойств. Соңғы нәтиженің қысқаша сипаттамасы – индий және галлий селенидтерінің таза және күкіртті түрлендірілген қабатты кристалдары, сондай-ақ олардың GaTe және GaS сияқты тектес құрылымдары вакуумде стехиометриялық балқыту арқылы алынды; аз қабатты нанокристалдардағы электрлік контактілердің электронды-сәулелік литографиясын қолдану арқылы микромеханикалық бөлу, төсенішке көшіру және тұндыру технологиясы әзірленді; осы жұмыста алынған екі өлшемді нанокристалдар жоғары фотосезімталдыққа ие және оптикалық сәулелену спектрінің көрінетін диапазонында фотолюминесценция жолағына ие; екі өлшемді GaSeS нанокристалдарында ФЛ шыңы кристалдағы күкірт S мөлшерінің жоғарылауымен ультракүлгін аймаққа ауысады; екі Шоттки ауысуы бар екі өлшемді InSe және GaSe нанокристалдарына негізделген фотодетекторлар жалпы және жергілікті жарықтандыру кезінде жоғары фотосезімталдыққа ие және позицияға сезімтал фотодетекторлар ретінде пайдаланылуы мүмкін; энергиясы төмен аргон және азот иондарымен сәулелендіру жасалған фотодетекторлардың қараңғы тогы мен фото сезімталдықтың жоғарылауына әкеледі. Зерттеудің жаңалығы – индий және галлий селенидтерінің көп қабатты кристалдарын, сонымен қатар олармен біртектес құрылымдарды вакуумде стехиометриялық балқыту әдісімен алу және олардың электрондық қасиеттерін жан-жақты зерттеу болып табылады. результаты работы опубликованы в 3 статьях в журналах, входящих в базу данных Scopus и Web of Science и 1 статье в журнале, рекомендованном КОКСОН, а также были доложены на следующих международных конференциях: «The 8th International Conference on Nanomaterials and Advanced Energy Storage Systems (INESS-2020)», «Физико-химические проблемы возобновляемой энергетики, Санкт-Петербург, 2021», «The 10th International Conference on Nanomaterials and Advanced Energy Storage Systems (INESS -2022) », «European-Materials research society, Fall Meeting 2022, Варшава, Польша». жұмыс нәтижелері 3 мақалада жарияланды, олардың журналдары Scopus және Web of Science деректер базасына және 1 мақала БҒСБ ұсынған журналға енгізілген, сонымен қатар келесі халықаралық конференцияларда баяндалған: «The 8th International Conference on Nanomaterials and Advanced Energy Storage Systems (INESS-2020)», «Жаңартылатын энергияның физика-химиялық мәселелері Санкт-Петербург, 2021», «The 10th International Conference on Nanomaterials and Advanced Energy Storage Systems (INESS -2022) », «European-Materials research society, Fall Meeting 2022, Варшава, Польша». не внедрено енгізілмеген Технология стехиометрического сплавления в вакууме позволяет получать поликристаллические слоистые кристаллы селенидов индия и галлия, размеры кристаллитов и качество которых достаточны для создания различных устройств в лабораторных масштабах. Вакуумда стехиометриялық балқыту технологиясы индий және галлий селенидтерінің поликристалды қабатты кристалдарын алуға мүмкіндік береді, кристаллиттер мөлшері мен сапасы зертханалық масштабта әртүрлі құрылғыларды жасауға жеткілікті. Результаты исследований могут представлять ценность при создании полупроводниковых приборов электроники и высокочувствительных твердотельных и электрохимических фотодетекторов. Зерттеу нәтижелері жартылай өткізгішті электронды құрылғылар мен жоғары сезімтал қатты денелі және электрохимиялық фотодетекторларды жасауда құнды болуы мүмкін. |
||
UDC indices | ||
539.2/.6:539./.04 ; 539.23; 539.216.1 | ||
International classifier codes | ||
29.19.22; 29.19.21; | ||
Readiness of the development for implementation | ||
Key words in Russian | ||
Двумерный нанокристалл; ван-дер-Ваальсовый слоистый кристалл; микромеханическое расщепление; функционализация; радиационная модификация; электронные процессы; | ||
Key words in Kazakh | ||
Екі өлшемді нанокристалл; қабатты ванн-дер-Ваальстық кристалл; микромеханикалық бөлу; функционализация; радиациялық модификация; электронды процестер; | ||
Head of the organization | ТАСИБЕКОВ Хайдар Сулейманович | к.х.н. / доцент |
Head of work | Мухаметкаримов Ержан | Доктор философии (PhD) в области наноматериалы и нанотехнологии / ассоциированный профессор |
Native executive in charge | Немкаева Рената Руслановна | магистр |