The object of research, development or design (in Russian) : Авторами проекта будет осуществлен синтез наноструктурированных, поликристаллических и монокристаллических пленок карбида кремния (SiC) методом замещения атомов в атмосфере газа монооксида углерода (СО). Осаждение пленок ZnO будет осуществляться магнетронным распылением мишени ZnO в атмосфере аргона либо альтернативным способом распыления мишени Zn в атмосфере кислорода.

The object of research, development or design (in Kazakh) : жоба авторлары наноқұрылымды, поликристалды және монокристалды кремний карбиді (SiC) қабықшаларын атомдарды көміртегі оксиді (СО) атмосферасында алмастыру арқылы синтездейді. ZnO қабықшаларын тұндыру ZnO нысанын аргон атмосферасына магнетронды тозаңдату немесе Zn нысанын оттегі атмосферасына шашыратудың балама әдісі арқылы жүзеге асырылады. Синтезделген қабықшаларды рентгендік дифракцияның, рентгендік рефлектометрияның және инфрақызыл спектроскопияның құрылымдық әдістері зерттеледі.

Aim of work (in Russian) : Синтез и исследование наноструктурированных поликристаллических, монокристаллических слоев SiC и оксидов металлов, синтезированных физико-химическими методами для полупроводниковой наноэлектроники. Основная идея проекта заключается в изучении влияния температуры на формирование различных структурных фаз SiC. Будет изучено влияние структуры буферного слоя SiC на улучшение структурного качества пленок ZnO.

Aim of work (in Kazakh) : Жартылай өткізгішті наноэлектроника үшін физика-химиялық әдістермен синтезделген SiC мен металл оксидтерінің наноқұрылымды, поликристалды, монокристалды қабаттарын синтездеу және зерттеу. Жобаның негізгі идеясы - SiC әртүрлі құрылымдық фазаларының түзілуіне температура мен басқа синтез жағдайларының әсерін зерттеу. SiC буферлік қабаты құрылымының магнетронды тозаңдату немесе бүркумен алынған ZnO қабықтарының құрылымдық сапасын жақсартуға әсері зерттеледі.

Методы исследования (на русском) : экспериментальное и аналитическое оборудование, которое позволяет провести комплексное исследование и обработать результаты для выполнения цели проекта (ИК-спектроскопия, рентгеновская рефлектометрия, рентгеновская дифракция, атомно-силовая спектроскопия).

Методы исследования (на казахском) : жобаның мақсатына жету үшін нәтижелерді жан-жақты зерттеуге және өңдеуге мүмкіндік беретін тәжірибелік-аналитикалық жабдық (ИҚ-спектроскопия, рентгендік рефлексометрия, рентгендік дифракция, атомдық күш спектроскопиясы).

Obtained results and novelty (in Russian) : Изучено формирование монокристаллического и поликристаллического слоев, а также наноструктурированных фаз SiC в рабочем интервале температур 1200–1300°С и проанализировано влияние температуры, длительности синтеза и давления газа СО на формирование структур. Впервые получены данные по влиянию температуры и длительности синтеза, давления газа СО и иных специфических параметров на структуру, фазовый состав и объем фазы карбида кремния в пленке, полученной методом замещения атомов в электропечи специальной конструкции, разработанной и изготовленной в подразделении авторов проекта.

Obtained results and novelty (in Kazakh) : Жұмыс температурасының 1200–1300°С диапазонында монокристалды және поликристалды қабаттардың, сондай-ақ SiC наноқұрылымдық фазаларының түзілуі зерттелді және температураның, синтез ұзақтығының және СО газының қысымының құрылымдардың пайда болуына әсері зерттелді. талданған. Алғаш рет атомдық алмастыру әдісімен алынған пленкадағы кремний карбиді фазасының құрылымына, фазалық құрамына және көлеміне температура мен синтез ұзақтығы, СО газ қысымы және басқа да нақты параметрлердің әсері туралы деректер алынды. жоба авторларының бөлімшесінде әзірленген және дайындалған арнайы конструкциядағы электр пеші.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : 1. Установлено, что увеличение температуры c 1200 до 1300°С привело к более интенсивному формированию карбида кремния и росту количества Si-C-связей в 1,9 раза. 2. Выявлено, что увеличение длительности отжига до 20 минут приводит к формированию микрокристаллической структуры поверхности с размерами зерен 3-20 мкм и это значительно выше размеров зерен (100–200 нм), синтезированных в течение 7 и 15 минут. 3. Показано, что увеличение давления в камере с 0,8 Па до 264 Па и 395 Па приводит к более равномерному росту кристаллов и формированию более гладкой поверхности с крупными кристаллами.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : 1. Температураның 1200-ден 1300°С-қа дейін жоғарылауы кремний карбидінің неғұрлым қарқынды түзілуіне және Si-C байланыстарының санының 1,9 есе артуына әкелетіні анықталды. 2. Жасыту ұзақтығының 20 минутқа дейін ұлғаюы түйір өлшемі 3–20 мкм болатын микрокристалды беттік құрылымның түзілуіне әкелетіні анықталды және бұл 7 және 15 минут синтезделген түйірлердің өлшемінен (100–200 нм) әлдеқайда жоғары. 3. Камерадағы қысымның 0,8 Па-дан 264 Па және 395 Па-ға дейін жоғарылауы кристалдардың біркелкі өсуіне және үлкен кристалдармен тегіс беттің пайда болуына әкелетіні көрсетілген.

Level of implementation (in Russian) :

Level of implementation (in Kazakh) :

Efficiency (in Russian) :

Efficiency (in Kazakh) :

Field of application (in Russian) : Наноэлектроника, солнечная энергетика.

Field of application (in Kazakh) : Наноэлектроника, күн энергиясы.