The object of research, development or design (in Russian) : Структура и свойства композитного материала на основе аморфных кремнийсодержащих алмазоподобных углеродных (DLC:Si) пленок

The object of research, development or design (in Kazakh) : Құрамында аморфты кремнийі бар алмас тәрізді көміртегі (DLC: Si) пленкаларына негізделген композициялық материалдың құрылымы мен қасиеттері

Aim of work (in Russian) : Основной Целью работы является, разработка научных основ и технологии синтеза наноструктурированных наноразмерных композитных а-C_(1-x) Si_x ⟨Rh_y ⟩ пленок с определенной структурно-примесной модификацией и с заданными электронными свойствами.

Aim of work (in Kazakh) : Жұмыстың негізгі мақсаты - белгілі құрылымдық-қоспалық модификациясы бар және электронды қасиеттері көрсетілген наноқұрылымды наноөлшемді C_(1-x) Si_x ⟨Rh_y ⟩ қабықшаларды синтездеуде ғылыми негіздері мен технологияларын әзірлеу.

Методы исследования (на русском) : Рамановская спектроскопия, атомно-силовая микроскопия, эллипсометрия

Методы исследования (на казахском) : Раман спектроскопиясы, атомдық күш микроскопиясы, эллипсометрия

Obtained results and novelty (in Russian) : На данном этапе работы проведены работы по синтезу аморфных DLC и DLC:Si пленок. Концентрация кремния в DLC:Si не превышала 20 ат.%. Проведены исследования элементного состава, поверхности пленок, оптических свойств и локальной атомной структуры в пленках синтезированных на кремниевой (100), никелевой и кварцевой пластинах. Выявлено, что кремний существенно влияет на формирование структуры а-С пленок, и это влияние еще зависит от условий синтеза. Показано, что DLC:Si пленки синтезированные на кремниевых (100) подложках наименее чувствительны к условиям синтеза, а именно к отрицательному потенциалу на подложке. В тоже время в пленках, синтезированных на кварцевых подложках, наблюдается изменение в рамановских спектрах, разложение спектров показало сильную зависимость G, D и Т пиков от напряжения смещения. Таким образом, появляется возможность синтеза новых композитных материалов, структура которых зависит не только от концентрации кремния, но и от условий синтеза.

Obtained results and novelty (in Kazakh) : Жұмыстың осы кезеңінде аморфты DLC және DLC:Si қабықшаларын синтездеу бойынша жұмыс жүргізілді. DLC:Si-да кремнийдің концентрациясы 20%-дан аспады. Кремний (100), никель және кварц пластиналарында синтезделген қабықшалардағы элементттік құрамы, қабықша беті, оптикалық қасиеттері мен локальдік атомдық құрылымы зерттелді. Кремний а-С қабықшасының құрылымын қалыптастыруға айтарлықтай әсер ететіні анықталды және бұл әсері синтез жағдайына да байланысты. Кремний (100) төсенішінде синтезделген DLC: Si қабықшаларының синтезі жағдайында, яғни төсеніштегі теріс потенциалға ең аз сезімтал екені көрсетілді. Сонымен қатар, кварц төсенішінде синтезделген қабықшаларда Раман спектрінің өзгерісі байқалды; спектрлердің ыдырауы G, D және T шыңдарының ығысу кернеуіне қатты тәуелділігін көрсетті. Осылайша, құрылымы кремний концентрациясына ғана емес, сонымен қатар синтез шарттарына да тәуелді болатын жаңа композиттік материалдарды синтездеуге болады.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Тонкие пленки аморфного алмазоподобного углерода привлекают значительное внимание, как электронной и оптической промышленности, так и индустрию в производстве трущихся и режущих деталей, поскольку они обладают уникальными свойствами, такими как высокая твердость, высокое электрическое сопротивление, низкое трение, химическая инертность, высокая износостойкость и оптическая прозрачность. Разрабатываемая технология получения аморфных наноразмерных DLC пленок, радиационно- и химически стойких, со сформированной структурой SiC политипов, позволит создавать новые гетеро-структуры для СВЧ технологии.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : Аморфты алмас тәрізді көміртектің жұқа қабықшалары электронды және оптикалық өнеркәсіпте де, өнеркәсіпте үйкеліс және кесетін бөлшектерді өндіруде де айтарлықтай назар аударады, өйткені олардың жоғары қаттылық, жоғары электр кедергісі, төмен үйкеліс, химиялық инерттілік, жоғары тозуға төзімділік және оптикалық мөлдірлік. SiC политиптерінің қалыптасқан құрылымы бар радиациялық және химиялық төзімді аморфты наноөлшемді DLC қабықшаларын алу үшін әзірленіп жатқан технология микротолқынды технология үшін жаңа гетероқұрылымдарды жасауға мүмкіндік береді.

Level of implementation (in Russian) :

Level of implementation (in Kazakh) :

Efficiency (in Russian) :

Efficiency (in Kazakh) :

Field of application (in Russian) : Тонкопленочные нанотехнологии, высокоскоростные тензо-датчики и сенсоры

Field of application (in Kazakh) : Жұқа пленка нанотехнологиясы, жоғары жылдамдықты тензометрлер және сенсорлар