Inventory number | IRN | Number of state registration | ||
---|---|---|---|---|
0321РК00679 | AP08856368-KC-21 | 0120РК00463 | ||
Document type | Terms of distribution | Availability of implementation | ||
Краткие сведения | Gratis | Number of implementation: 0 Not implemented |
||
Publications | ||||
Native publications: 0 | ||||
International publications: 5 | Publications Web of science: 2 | Publications Scopus: 0 | ||
Patents | Amount of funding | Code of the program | ||
0 | 19538630 | AP08856368 | ||
Name of work | ||||
Радиационная стойкость керамик на основе нитридов и карбидов по отношению к воздействию тяжелых ионов с энергиями осколков деления | ||||
Type of work | Source of funding | Report authors | ||
Fundamental | Акилбеков Абдираш Тасанович | |||
0
0
2
1
|
||||
Customer | МНВО РК | |||
Information on the executing organization | ||||
Short name of the ministry (establishment) | МНВО РК | |||
Full name of the service recipient | ||||
Некоммерческое акционерное общество "Евразийский Национальный университет имени Л.Н. Гумилева" | ||||
Abbreviated name of the service recipient | НАО "ЕНУ им.Л.Н.Гумилева" | |||
Abstract | ||||
Нанонитрид кремния, поликристаллический p- Si3N4.bи аморфный a- Si3N4. Кремний нанонитриді, поликристалды р- Si3N4 және аморфты а- Si3N4. Изучение структурных изменений в керамиках Si3N4 облученных БТИ с энергиями осколков деления. Энергиясы бөлу жарықшақтарындай ЖАИ сәулеленген Si3N4 керамикасындағы құрылымдық өзгерістерді зерттеу. ПЭМ, Рамановская спектроскопия, моделирование методом молекулярной динамики, пострадиационный отжиг в in-situ режиме. ЖТМ, Раман спектроскопиясы, молекулалық динамика әдісімен модельдеу, сәулеленуден кейінгі in-situ режимінде жасыту. 1)В нанонитриде кремния установлено наличие критического значения флюенса ниже которого образуются латентные треки, а выше происходит аморфизация вещества. 2)Расчеты МД определили диаметр треков, которые близки к экспериментальным. Рассчитаны радиусы треков в зависимости от потерь энергии ионами ксенона и висмута. 3)Начиная с пороговой плотности ионизации 13кэВ/нм облучение приводит к формированию латентных треков в a-Si3N4. Соответствующее значение для p-Si3N4 составляет 15кэВ/нм. 4) Построены элементарные ячейки a-Si3N4 и p-Si3N4. Рассчитаны диаметры треков. 5) Оценен ориентировочный диапазон температур для исследования процесса рекристаллизации трековых областей в массивных образцах поликристаллическогокремния можно определить как 300-800°С в случае облучения 220МэВ Xе, иот 400°С до1000–1200°С для 710МэВ Bi. 6)Исследована зависимость от дозы рамановских спектров. Дозовая зависимость FWHM главной линии 204см-1 была использована для определения размера области, аморфизуемой в результате многократного перекрытия латентных треков. 7)Для анализа профилей механических напряжений по глубине облученного слоя была выбрана линия 862см-1. Установлены особенности пространственного распределения механических напряжений в облученных образцах нитрида кремния. 1)Кремний нанонитридінде флюенстің критикалық мәні бар екендігі анықталды, оның төменгі мәнінде латентті тректер пайда болады, ал жоғарғы мәнінде заттың аморфизациясы жүреді. 2)MД есептеулер эксперименттік диаметрлерге жақын тректердің диаметрін анықтады. Трек радиустарының ксенон мен висмут иондары энергия шығынына тәуелдігі есептелді. 3)13 кэВ/нм ионизацияның шекті тығыздығынан бастап аморфты кремний нитридінде (a-Si3N4) латентті тректер пайда болады. Поликристалды Si3N4 (p-Si3N4) үшін бұл мән 15 кэВ/нм құрайды. 4)Поликристалды және аморфты кремний нитридінің бірлік (элементар) ұяшықтары тұрғызылды. Тректердің диаметрлері есептелді. 5) Поликристалды кремнийдің массивтік үлгілеріндегі трек аймақтарының қайта кристалдану процесін зерттеуге арналған температураның болжамды диапазонын 220 МэВ Хе сәулелендіру жағдайында 300-800°С және 710 МэВ Bi үшін 400°С-тан 1000-1200°С-қа дейін анықтауға болады. 6) Раман спектрлерінің сәулелену дозасына тәуелділігі зерттелді. 204 см-1 басты пиктің FWHM дозалық тәуелділігі латентті тректердің бірнеше рет қабаттасу нәтижесінде аморфизацияланатын аймақтың мөлшерін анықтау үшін қолданылды. 7) Сәулеленген қабаттың тереңдігі бойынша механикалық кернеулердің профильдерін талдау үшін 862 см-1 пик таңдалды. Сәулеленген кремний нитридінің үлгілерінде механикалық кернеулердің кеңістіктік таралу ерекшеліктері анықталды. В in-situ режиме (в реальном времени) изучен процесс пострадиационного ожига. Радиациядан кейінгі жану процесі in-situ режимінде (нақты уақыт режимінде) зерттелді.
Ядерная энергетика, ядерное материаловедение. Ядролық энергетика, ядролық материалтану. |
||||
UDC indices | ||||
539.534.9; 621.039.542 | ||||
International classifier codes | ||||
29.19.21; 29.19.25; 58.09.43; 58.35.06; | ||||
Key words in Russian | ||||
Радиационная стойкость; Поликристаллическая керамика Si3N4; Аморфная керамика Si3N4; Быстрые тяжелые ионы; Треки; Удельные ионизационные потери; | ||||
Key words in Kazakh | ||||
Радиациялық төзімділік; Поликристалды керамика Si3N4; Аморфты керамика Si3N4; Жылдам ауыр иондар; Тректер; Ионданудың меншікті шығындары.; | ||||
Head of the organization | Сыдыков Ерлан Батташевич | доктор исторических наук / профессор | ||
Head of work | Акилбеков Абдираш Тасанович | Доктор физико-математических наук / профессор |