Inventory number IRN Number of state registration
0221РК00379 AP09562778-OT-21 0121РК00515
Document type Terms of distribution Availability of implementation
Заключительный Gratis Number of implementation: 0
Not implemented
Publications
Native publications: 0
International publications: 0 Publications Web of science: 0 Publications Scopus: 0
Number of books Appendicies Sources
1 0 72
Total number of pages Patents Illustrations
44 0 20
Amount of funding Code of the program Table
7983646.4 AP09562778 7
Name of work
Изучение и прогнозирование радиационной стойкости оксидных оптических материалов для применения в физике высоких энергий и медицине.
Report title
Type of work Source of funding The product offerred for implementation
Fundamental Материалы
Report authors
Карипбаев Жакып Тлеубаевич , Даулетбекова Алма Кабдиновна , Кумарбеков Куат Кенжебаевич ,
0
0
0
0
Customer МНВО РК
Information on the executing organization
Short name of the ministry (establishment) МНВО РК
Full name of the service recipient
Некоммерческое акционерное общество "Евразийский Национальный университет имени Л.Н. Гумилева"
Abbreviated name of the service recipient НАО "ЕНУ им.Л.Н.Гумилева"
Abstract

монокристаллы Gd3Ga5O12(GGG) и LiNbO3 (LNO)

Gd3Ga5O12(GGG) и LiNbO3 (LNO).монокристалдары

Исследование и прогнозирование долговременной радиационной стабильности сильно облученных тяжелыми ионами с энергией осколков деления оксидных сцинтилляционных материалов Gd3Ga5O12 и LiNbO3 базирующееся на системном анализе процессов радиационного дефектообразования.

Радиациялық ақаулардың пайда болу процестерін жүйелік талдау негізінде бөлініс жарықшақтар энергиясы бар ауыр иондармен күшті сәулелендірілген Gd3Ga5O12 және LiNbO3 оксидті оптикалық (сцинтилляциялық) материалдардың ұзақ мерзімді радиациялық төзімділігін зерттеу және болжау жобаның негізгі мақсаты болып табылады

Фотолюминесценция, Импульсная катодолюминесценция, Импульсная фотолюминесценция, рентгеновская дифрактометрия, Комбинационное рассеяние

Фотолюминесценция, импульстік катодолюминесценция, импульстік фотолюминесценция, рентгендік дифрактометрия, Раман шашырауы

В Проекте проведен анализ радиационного дефектообразования для монокристаллов Gd3Ga5O12 (GGG) и LiNbO3 (LNO) облученных быстрыми ионами 84Kr+15 с энергией 147 МэВ до флюенсов 1013–1014 ион/см2 . В облученных кристаллах GGG монокристаллах наблюдается сдвиг фундаментального края поглощения на ~30 нм в длинноволновую часть спектра. Рентгеноструктурный анализ показал наличие размерных эффектов (перекристаллизация или дробление кристаллитов) и деформацию межплоскостных расстояний за счет смещения атомов из узлов кристаллической решетки с последующей миграцией. Измерения твердости показывают ионно-индуцированное размягчение, которое может быть связано с ионно-индуцированной аморфизацией. Под ионным облучением в кристаллах GGG возникают ловушечные F+ или F-центры, обусловленные наличием в решетке V_(O^(2-) ) анионных вакансий. После облучения в кристаллах LNO наблюдается смещение края фундаментального поглощения на 4 нм из-за повышния концентрации дефектов и кислородных вакансии. Увеличение концентрации кислородных вакансий и искажений вдоль оси с кристаллической решетки, приводит к снижению плотности кристалла на 0.4-0.6 % в зависимости от флюенса. Неактивироанные кристаллы LNO имею крайне слабую сцинтилляционные свойства, что подтвердается этими исследованиями. Кристаллы LNO не люминесцируют под воздействием импульсного лазерного возбуждения в УФ области и под рентгеновским возбуждением.

Бұл Проектіде біз Gd3Ga5O12 (GGG) және LiNbO3 (LNO) монокристалдары үшін радиациялық ақау түзілуін талдаймыз. 1013–1014 ион/см2 флююенстерге дейін жылдам 147 МэВ 84Kr+15 иондарымен сәулеленеді. Сәулеленген монокристалдарда GGG кристалдарында негізгі жұтылу жиегінің спектрдің ұзын толқынды бөлігіне ~ 30 нм-ге ығысуы байқалады. Рентгендік дифракциялық талдау өлшемдік әсерлердің (кристаллиттер қайта кристалдануы немесе фрагментациясы) және кейінгі миграциямен кристалдық тордың орындарынан атомдардың ығысуына байланысты жазықаралық қашықтықтардың деформациясының болуын көрсетті. Қаттылықты өлшеу иондар әсерінен жұмсартуды көрсетеді, бұл иондармен индукцияланған аморфизацияға байланысты болуы мүмкін. Иондық сәулелену кезінде GGG кристалдарында электрон қақпандары болатын F+ немесе F-орталықтары пайда болады, бұл V_(O^(2-) )торында аниондық бос орындардың болуына байланысты. LNO кристалдарын сәулелендіруден кейін ақаулар концентрациясының және оттегі бос орындарының артуына байланысты іргелі жұту жиегінің 4 нм-ге ығысуы байқалады. Кристалл торының с осі бойындағы оттегі бос орындары мен ақаулардың концентрациясының жоғарылауы флюенсқа байланысты кристалдық тығыздықтың 0,4-0,6%-ға төмендеуіне әкеледі. Белсендірілмеген LNO кристалдары өте әлсіз сцинтилляциялық қасиеттерге ие, бұл осы зерттеулермен расталады. УК аймағында импульстік лазерлік қозу әсерінен және рентгендік қозу кезінде LNO кристалдары люминесценцияланбайды.

Полученные результаты расширяют информацию дефектообразовании в сложных оксидных соединениях при облучении высокоэнергетичными тяжелыми ионами. Эти данные могут быть использованы для улучшения функциональных свойств сложных оксидов.

Алынған нәтижелер жоғары энергиялы ауыр иондармен сәулелендіру кезінде күрделі оксидті қосылыстарда ақаулардың пайда болуы туралы ақпаратты кеңейтеді. Бұл мәліметтер күрделі оксидтердің функционалдық қасиеттерін жақсарту үшін пайдаланылуы мүмкін.

в качестве оптических материалов в ядерной физике и медицине

ядролық физика мен медицинада оптикалық материалдар ретінде

UDC indices
539.534.9; 621.039.542; 621.039.54:620.18
International classifier codes
29.19.04; 29.19.11; 29.19.21; 29.19.25;
Readiness of the development for implementation
Key words in Russian
радиационная стойкость; сложные оксиды; оптические материалы; тяжелые ионы; люминесценция;
Key words in Kazakh
Радиациялық беріктік; күрделі оксидтер; оптикалық материалдар; ауыр иондар; люминесценция;
Head of the organization Сыдыков Ерлан Батташевич доктор исторических наук / Профессор
Head of work Карипбаев Жакып Тлеубаевич PhD in Physics / ассоциированный профессор (доцент)
Native executive in charge