The object of research, development or design (in Russian) : Тонкие пленки нитрида и оксида кремния на кремнии, а также тонкие пленки оксида олова

The object of research, development or design (in Kazakh) : Кремний бетіндегі кремний нитриді мен оксидінің жұқа қабықшақтары жәнеде қалайы оксидінің жұқа қабықшалары.

Aim of work (in Russian) : Разработка процесса, воспроизводимого и низкозатратного создания наноструктурированных материалов системы Si3N4/SiO2/Si c квантовыми точками кремния и возможностью применения в качестве светоизлучающих структур.

Aim of work (in Kazakh) : Кремнийдің кванттық нүктелері бар және жарық шығаратын құрылым ретінде пайдалану мүмкіндігі бар Si3N4/SiO2/Si жүйесінің наноқұрылымды материалдарын жаңғыртылатын және аз шығындалатын процесті әзірлеу.

Методы исследования (на русском) : Применение метода PECVD позволяет синтезировать образцы при сниженной температуре (350оС). Просвечивающая электронная микроскопия определяет с большой точностью формирование структуры. Метод фотолюминесценции выявляет светоизлучающие частицы в разных спектральных диапазонах.

Методы исследования (на казахском) : PECVD әдісін қолдану төмендетілген температурада (350°C) үлгілерді синтездеуге мүмкіндік береді. Трансмиссиялық электронды микроскопия құрылымның түзілуін үлкен дәлдікпен анықтайды. Фотолюминесценция әдісі әртүрлі спектрлік диапазондағы жарық шығаратын бөлшектерді анықтайды.

Obtained results and novelty (in Russian) : Новизна данного проекта заключается в получении эффективного люминофора на основе нитрида и оксида кремния, излучающего как в красной, так и в синей области энергетического спектра, что приведет к дальнейшей минимизации размеров устройств. Наибольший интерес представляют границы раздела сред Si3N4 и SiO2, SiO2 и Si, где парамагнитные частицы имеют различные свойства. Причинами свечения для исследуемых образцов являются как излучательные центры и нанокластеры кремния, так и краевая люминесценция.

Obtained results and novelty (in Kazakh) : Бұл жобаның жаңалығы кремний нитридіне және кремний оксидіне негізделген тиімді люминафорды алу болып табылады. Ол энергия спектрінің қызыл және көк аймақтарында жарық шығарады. Бұл құрылғы көлемін одан әрі кішірейтуге мүмкіндік береді. Si3N4 мен SiO2, SiO2 мен Si орталарды бөлу шекарасы үлкен қызығушылық тудырады, онда бөлшектердің әртүрлі қасиеттері бар. Зерттелетін үлгілердің жарық шығаруының себептері – эмиссиялық орталықтар мен кремний нанокластерлері, сондай-ақ жиектік люминесценция.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Разработка излучателя света на основе нитрида и оксида кремния позволит снизить себестоимость микросхем, так как будет использован энергоэкономный метод получения структур – PECVD.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : Нитрид пен кремний оксидіне негізделген жарық сәуле шығарғыштың дамуы, микросұлбалардың құнын төмендетеді, өйткені конструкцияларды алудың энергия шығыны тиімді әдісі қолданылады – PECVD.

Level of implementation (in Russian) :

Level of implementation (in Kazakh) :

Efficiency (in Russian) :

Efficiency (in Kazakh) :

Field of application (in Russian) : Технология светодиода на основе структур Si3N4/SiO2/Si будет применена компаниями по производству микросхем.

Field of application (in Kazakh) : Si3N4/SiO2/Si құрылымына негізделген жарықдиодты технологияны микрочип шығаратын компаниялар қолданады.