The object of research, development or design (in Russian) : тонкие слои алмаза и SiCх

The object of research, development or design (in Kazakh) : Алмаз және SiCх жұқа қабаттары

Aim of work (in Russian) : Получение высококачественных монокристаллических и поликристаллических плёнок алмаза для наноэлектроники и других областей народного хозяйства с использованием относительно не дорогостоящих оборудований.

Aim of work (in Kazakh) : Салыстырмалы арзан құрылғыларды пайдаланып, наноэлектроникаға және халық шаруашылығының басқа да салаларына қажетті жоғары сапалы поликристалдық және монокристалдық алмаз қабыршақтарын алу

Методы исследования (на русском) : инфракрасная спектроскопия, рентгеновская рефлектометрия, измерение частотных характеристик генератора

Методы исследования (на казахском) : инфрақызыл спектроскопия, рентгендік рефлектометрия, генератордың жиілік сипаттамаларын өлшеу

Obtained results and novelty (in Russian) : Осуществлен синтез углеродных пленок (ρ = 1,58 г/см3, d = 65 нм) в высокочастотной плазме газа ацетилена C2H2 (110 МГц, 1000 В, 69 мА, 600°C, 15 мин); пленок гидрогенизированного углерода (2,07 г/см3) в плазме метана CH4 (1%) и водорода (110 МГц, 1000 В, 69 мА, 666-1090°C, 15 мин, 0,131 торр). Синтезированы пленки на поверхности кремния под воздействием плазмы СО (110 МГц, 950 В, 98 мА, 740-1250°C, 60 мин, 0,114 торр). ИК-спектроскопия показала формирование карбида кремния высокой степени совершенства структуры, методом рентгеновской дифракции наблюдались рефлексы текстуры (2θ = 43,9°), соответствующие самой интенсивной линии алмаза C(111) (2θ = 43,914°). Моделированием Lumerical FDTD для антиотражающего покрытия «DLC/Porous Si» получены параметры слоев: n(DLC) = 2,4, d(DLC) = 50 нм; и n(PS) = 2.2, d(PS) = 100 нм. Отражение в диапазоне 530–560 нм составило ~ 0,5%. Новизна: Обработкой в СО-плазме (110 МГц, 1000 В; 67 мА; 0,137 Торр; 600°С, 30 мин) осуществлено насыщение приповерхностной области кремния молекулами СО. Формируются Si–C-связи аморфной структуры и дилатационные диполи (C–VSi).

Obtained results and novelty (in Kazakh) : C2H2 ацетилен газының жоғары жиілікті плазмасында (110 МГц, 1000 В, 69 мА, 600°С, 15 мин) көміртегі қабықшалары (ρ = 1,58 г/см3, d = 65 нм) синтезделді; CH4 метанның және сутегі плазмасында (110 МГц, 1000 В, 69 мА, 666-1090°С, 15 мин, 0,31 Торр) гидроленген көміртегі қабықшалары (2,07 г/см3) синтезделді. СО плазмасының әсерінен (110 МГц, 950 В, 98 мА, 740-1250°C, 60 мин, 0,144 Торр) кремний бетінде қабыршақтар синтезделді. ИҚ-спектроскопия құрылымдық жетілу дәрежесі жоғары кремний карбиді түзілгендігін көрсетті. Рентгендік дифракция әдісімен алмазтың С(111) (2θ = 43,914°) қарқынды сызығына сәйкес келетін текстураның шағылыстары (2θ = 43.9°) байқалды. Lumerical FDTD-ді модельдеу әдісімен «DLC/кеуекті Si» шағылысқа қарсы жабынға арналған қабаттардың параметрлері алынды: n(DLC) = 2,4, d(DLC) = 50 нм; және n(PS) = 2,2, d(PS) = 100 нм. 530-560 нм аралығында шағылысу ~ 0,5% құрады. Жаңалығы: СО плазмасында өндеу (110 МГц, 1000 В; 67 мА; 0,137 Торр; 600°С, 30 мин) кремнийдің беткі аймағын СО молекулаларымен қанықтырады. Аморфты құрылымның Si-C байланыстары және дилатациялық дипольдер (C - VSi) түзіледі.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Выявлено, что обработкой в высокочастотной СО-плазме при комнатной температуре в режиме: 110 МГц, 950 В; 98 мА; 0,114 Торр; Ткомн, 60 мин осуществлено насыщение приповерхностной области кремния молекулами СО без формирования Si–C-связей. Получены результаты, подтверждающие наличие нанокристаллов алмаза в пленках карбида кремния.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : 110 МГц, 950 В; 98 мА; 0,114 Торр; Ткомн, 60 мин режимінде жоғары жиілікті со-плазмада өңдеу арқылы si–C-байланыстарын қалыптастырмай кремнийдің беткі аймағын СО молекулаларымен қанықтыру жүзеге асырылғаны анықталды. Кремний карбиді пленкаларында алмаз нанокристалдарының бар екендігін растайтын нәтижелер алынды.

Level of implementation (in Russian) : рекомендуется использовать алмазоподобные пленки в качестве слоев антиотражающих покрытий «DLC/Porous Si», применяемых в наноэлектронике.

Level of implementation (in Kazakh) : Алмазға ұқсас қабықшаларды наноэлектроникада қолданылатын "DLC/кеуекті Si" шағылысқа қарсы жабындарының қабаттары ретінде пайдалану ұсынылады.

Efficiency (in Russian) : высокочастотный генератор с нагревателем использованы для синтеза пленок SiC и алмаза.

Efficiency (in Kazakh) : SiC және алмаз пленкаларын синтездеу үшін жылытқышы бар жоғары жиілікті генератор қолданылады.

Field of application (in Russian) : солнечная энергетика, наноэлектроника

Field of application (in Kazakh) : күн энергиясы, наноэлектроника