The object of research, development or design (in Russian) : 2D цинк оксидные структуры, допированные алюминием и соединениями галлия, полученные атомно-слоевым осаждением и методом магнетронного напыления.

The object of research, development or design (in Kazakh) : Зерттеу объектісі: атом қабатын тұндыру және магнетронды шашыратумен алынған алюминий және галлий қосылыстары бар 2D мырыш оксидінің құрылымдары.

Aim of work (in Russian) : Целью проекта является получение полупроводниковых материалов и их модификаций на основе Казахстанского сырья для использования в светотехнических технологиях. Проект направлен на оптимизацию и совершенствование технологии получения материалов из отечественного сырья

Aim of work (in Kazakh) : Жобаның мақсаты - жарықтандыру технологиясында пайдалану үшін жартылай өткізгіш материалдар мен олардың қазақстандық шикізатқа негізделген модификацияларын алу. Жоба отандық шикізаттан материалдар алу технологиясын оңтайландыруға және жетілдіруге бағытталған.

Методы исследования (на русском) : Рентгеновская дифракция (XRD), Рамановская спектроскопия, электронная микроскопия, электрические свойства.

Методы исследования (на казахском) : Рентгендік дифракция (XRD), Раман спектроскопиясы, электрондық микроскопия, электрлік қасиеттері.

Obtained results and novelty (in Russian) : Для решения поставленной задачи были определены оптимальные условия синтеза материалов ALD и методом магнетронного напыления: - получены упорядоченные наностержни оксида цинка и оксид цинка, допированный алюминием и соединениями галлия методом атомно-слоевого осаждения и магнетронного напыления, которые являются светочувствительными прозрачными проводящими оксидами. - оптимизирован процесс синтеза ZnO, допированного соединениями галлия Ga2O3, GaIn2O4 и на подложке GaN методом магнетронного напыления.

Obtained results and novelty (in Kazakh) : Алдыға қойылған мақсаттарды шешу үшін материалдарын ALD және магнетронды шашырату әдістерінің оптималды жағдайлары анықталды: - жарыққа сезімтал мөлдір өткізгіш оксидтердi атомды қабатты тұндыру және магнетронды шашырату арқылы алюминий және галлий қосылыстарымен легирленген мырыш оксидінің нанородтары алынды. - галий қосылыстарымен Ga2O3, GaIn2O4 және GaN субстратында магнетронды шашыратумен ZnO синтезін оңтайландырылды.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Применение разработанной технологии позволяет руководствоваться при формировании и химическом дизайне наноматериалов с заданными характеристиками.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : Әзірленген технологияны қолдану сипаттамалары көрсетілген наноматериалдардың пайда болуына және химиялық дизайнына басшылық жасауға мүмкіндік береді.

Level of implementation (in Russian) :

Level of implementation (in Kazakh) :

Efficiency (in Russian) :

Efficiency (in Kazakh) :

Field of application (in Russian) : Результаты исследований по получению 2D материалов методом атомно-слоевого осаждения и магнетронного напыления будут использованы в светотехнических технологиях.

Field of application (in Kazakh) : Атомды қабатты тұндыру және магнетронды шашырату арқылы 2D материалдарын синтездеуi мен зерттеулерi жарықтандыру технологиясында қолданылатын болады.