The object of research, development or design (in Russian) : Аморфные и кристаллические наноразмерные пленки халькогенидного стеклообразного полупроводника состава Ge2Sb2Te5, модифицированного серебром (Ge2Sb2Te5) методом ионно-плазменного ВЧ сораспыления.

The object of research, development or design (in Kazakh) : Зерттеу нысаны – Ионды-плазмалы ЖЖ қоса тозаңдату әдісімен алынған күміспен модификацияланған Ge2Sb2Te5 құрамды халькогенидті шынытәріздес жартылайөткізгіштердің аморфты және кристалды наноөлшемді қабықшалары.

Aim of work (in Russian) : Выявление фундаментальных физических закономерностей изменения структуры и электронных свойств в материале с фазовой памятью на основе наноразмерных пленок модифицированного халькогенидного полупроводника Ge2Sb2Te5 в результате фазового перехода «стекло-кристалл».

Aim of work (in Kazakh) : Зерттеулер мақсаты – «Шыны-кристалл» фазалық ауысу нәтижесінде модификацияланған халькогенидті жартылай өткізгіш Ge2Sb2Te5 наноөлшемді қабықшалары негізінде фазалық жады бар материалдағы құрылым мен электронды қасиеттердің өзгеруінің негізгі физикалық заңдылықтарын анықтау.

Методы исследования (на русском) : EDX, СЭМ, ПЭМВР, КРС, оптические и электрические методы исследования.

Методы исследования (на казахском) : Зерттеу әдістері – EDX, СЭМ, ЖРТЭМ, ЖКШ, оптикалық және электрлік зерттеу әдістері.

Obtained results and novelty (in Russian) : Новизна исследований – заключается в проведении комплексного исследования структуры пленок Ge2Sb2Te5, полученных методом ионно-плазменного магнетронного ВЧ сораспыления, и выявлении влияния размерного эффекта на электронные свойства аморфных и кристаллических пленок Ge2Sb2Te5. Краткое описание конечного результата – Показано, что для получения ячеек памяти на основе наноразмерных пленок Ge2Sb2Te5 с оптимальными параметрами метод примесной модификации имеет большие перспективы. Изменяя концентрацию модифицирующей примеси и толщину наноразмерных пленок Ge2Sb2Te5

Obtained results and novelty (in Kazakh) : Зерттеу жаңалығы – ионды-плазмалық магнетронды ЖЖ тозаңдату арқылы алынған Ge2Sb2Te5 қабықшаларының құрылымын кешенді зерттеу мен аморфты және кристалды Ge2Sb2Te5 қабықшалардың электронды қасиеттеріне өлшемдік эффектінің әсерін анықтаудан тұрады. Соңғы нәтижелердің қысқаша сипаттамасы – Қоспамен модификациялау тәсілі оңтайлы параметрлері бар Ge2Sb2Te5 наноөлшемді қабықшалары негізінде жады ұяшықтарын алудың үлкен болашағы бар екендігі көрсетілген. Модификациялайтын қоспаның концентрациясы мен Ge2Sb2Te5 наноөлшемді қабықшаларының қалыңдығын өзгерту арқылы фазалық ауысу температурасын, кристалдану уақытын, оптикалық сәулеленудің ену тереңдігін және электронды параметрлерді, яғни ауысу эффектінің параметрлері мен сипаттамаларын анықтайтын материалдың физикалық параметрлерін тиімді басқаруға болады.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : В проекте показано, что эффективным методом для получения ячеек памяти на основе модифицированных пленок ХСП с заданными является метод ВЧ сораспыления.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : Жобада көрсетілгендей, ЖЖ тозаңдату әдісі көрсетілген параметрлермен модификацияланған ХШЖ қабаттары негізінде жад ұяшықтарын алудың тиімді әдісі болып табылады.

Level of implementation (in Russian) : Получен Евразийский патент «Способ получения аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников».

Level of implementation (in Kazakh) : «Халкогенидті шынытәріздес жартылай өткізгіштердің аморфты қабықшаларын алу әдісі» Еуразиялық патент алынды.

Efficiency (in Russian) : Эффективность - для получения наноразмерных ячеек пямяти с спользованием технологии ВЧ сораспыления требуется минимальное количество исходного GST

Efficiency (in Kazakh) : Тиімділік - жиіліктегі ЖЖ тозаңдату технологиясын қолданып, наноөлшемді жад ұяшықтарын алу үшін бастапқы GST минималды мөлшері қажет

Field of application (in Russian) : Электрическая и оптическая запись информации, цифровые технологии.

Field of application (in Kazakh) : Қолданылу аймағы – ақпаратты электрлік және оптикалық жазу, сандық технологиялар.