The object of research, development or design (in Russian) : Соединения SnxSy и Zn1-xMgxO, особенности структуры, фазового состава, оптических свойств, электрических свойств соединений SnxSy и Zn1-xMgxO.

The object of research, development or design (in Kazakh) : SnxSy және Zn1-xMgxO қосылыстары, SnxSy және Zn1-xMgxO қосылыстарының фазалық құрамы және құрылымдық ерекшеліктері, оптикалық және электрлік қасиеттері

Aim of work (in Russian) : Разработка физико-технологических основ управления структурно-фазовым состоянием соединений SnxSy, Zn1-xMgxO путем термического (лазерного) отжига с целью оптимизации их свойств для создания тонкопленочных солнечных элементов (СЭ) третьего поколения на основе новых поглощающих (SnS) и оконных (SnS2, Zn1-xMgxO) слоев, нанесенных вакуумными и безвакуумными методами

Aim of work (in Kazakh) : Вакуумды және бейвакуумды әдістермен жағылған жаңа жұтылатын (SnS2) және терезелі (SnS2, Zn1-xMgxO) қабаттар негізінде үшінші буынның жұқа пленкалы күн батареяларын (СЕ) өндіру үшін олардың қасиеттерін оңтайландыру мақсатында жылу (лазерлік) күйдіру арқылы SnS2, Zn1-xMgxO қосылыстарының құрылымды-фазалық күйін физика-технологиялық негіздерін басқаруды әзірлеу

Методы исследования (на русском) : Морфология поверхности пленок изучались с помощью автоэмиссионного сканирующего электронного микроскопа FEI Nova NanoSEM 650. Фазовый анализ полупроводниковых пленок проводился с использованием рентгеновского дифрактометра Rigaku Ultim + при Kα-излучении медного анода. Лазерное облучение образцов SnS2 проводилось на воздухе с использованием второй гармоники Nd:YAG лазера (λ=532 нм). Спектры оптического пропускания (Т) и отражения (R) снимались на спектрофотометре Solid Spec-3700 UV-VIS-NIR в интервале длины волны λ = (300-1500) нм при комнатной температуре. Измерение ВАХ и - T зависимостей проводились в сэндвич-структурах по стандартной методике

Методы исследования (на казахском) : Қабықша бетінің морфологиясы автоэмиссиондық сканерлеуші FEI Nova NanoSEM 650 электрондық микроскоп арқылы зерттелген. Жартылай өткізгішті қабықшалардың фазалық құрамы Kα-сәулелендірілген мыс анодты Rigaku Ultim рентгенді дифрактометр арқылы зерттелген. Лазерное облучение образцов SnS2 үлгілерін лазерлік сәулелендіру ауада лазердің екінші гармоникасын Nd:YAG (λ = 532 нм) қолдану арқылы жүргізілді. Оптикалық өткізу (Т) және шағылу (R) спектрлері бөлме температурасында λ = (300-1500) нм толқын ұзындығы интервалында Solid Spec-3700 UV-VIS-NIR спектрофотометрінде түсірілген. ВАС және и  - T тәуелділігін өлшеу сэндвич-құрылымда стандартты әдіс бойынша жүргізілген.

Obtained results and novelty (in Russian) : Методом термического вакуумного испарения шихты соединений SnxSy в КЗО были получены полупроводниковые пленки SnS и SnS2 с контролируемыми оптическими и электрофизическими свойствами. Пленки ZnO, MgO были получены с помощью установки для проведения пульсирующего спрей-пиролиза из начальных прекурсоров. Повышение температуры отжига до 773 К приводит к образованию четкой нанопористой структуры. Для неотожженной пленки SnS отношение δ атомных концентраций Sn/S2 составляет 0,49, что свидетельствует об уменьшении концентрации серы в материале. Термически индуцированный фазовый переход SnS2SnS происходит при отжиге в течение ta=90 мин и температуре отжига Ta=773 K; как результат, полученные образцы содержат чистую фазу SnS, без дополнительных включений вторичных фаз. Лазерное облучение пленок SnS2 ведет к образованию вторичных фаз SnS и Sn2S3 в образцах, что объясняется испарением серы и лазерно-индуцированным фазовым переходом SnS2SnS. На омическом участке ВАХ удельная проводимость материала пленок, которая менялась в широком интервале значений составила  = (1,7910-7-1,80 ∙ 10-4) Ом-1см-1. Оптическая ширина ЗЗ материала SnxSy, уменьшается с увеличением интенсивности лазерного излучения, что объясняется присутствием фаз SnS и Sn2S3 в облученных образцах и лазерно-индуцированным фазовым переходом SnS2SnS.

Obtained results and novelty (in Kazakh) : SnxSy қосылыстарының термиялық вакууммен булану әдісі нәтижесінде оптикалық және электрофизикалық қасиеттері бақыланатын SnS және SnS2 жартылай өткізгішті жабындылар алынды. ZnO, MgO жабындылары алғашқы прекурсорлардан импульсті бүріккіш пиролизге арналған қондырғының көмегімен алынған. Күйдіру температурасының 773 К дейін жоғарылауы нанотесікті құрылымның пайда болуына әкеледі. Тазартылмаған SnS пленка үшін Sn / S2 атомдық концентрациясының δ қатынасы 0,49 құрайды, бұл материалдағы күкірт концентрациясының төмендеуін көрсетеді. SnS2SnS термиялық индукцияланған фазалық ауысуы ta = 90 мин күйдіргенде және Ta = 773 K күйдірілген температурада болады; Нәтижесінде алынған үлгілерде екінші фазалардың қосымша қосылуынсыз таза SnS фазасы пайда болады. SnS2 пленкаларының лазерлік сәулеленуі үлгілерде SnS және Sn2S3 қайталама фазаларының пайда болуына әкеледі, бұл күкірттің булануымен және лазермен индукцияланған SnS2SnS фазалық ауысуымен түсіндіріледі. I - V сипаттамасының омдық бөлімінде, кең ауқымында өзгеретін пленка материалының меншікті өткізгіштігі  = (1.7910-7-1.80 ∙ 10-4) Ом-1см-1 болды

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Были получены полупроводниковые пленки SnS и SnS2 с контролируемыми оптическими и электрофизическими свойствами. Был сделан анализ структурных, оптических, электрических свойств пленок.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : Оптикалық және электрофизикалық қасиеттері бақыланатын SnS және SnS2 жартылай өткізгішті жабындылар алынды. Жабындылардың құрылымдық, оптикалық және электрлік қасиеттеріне талдау жасалды

Level of implementation (in Russian) : Не внедрено

Level of implementation (in Kazakh) : Іске қосылған жоқ

Efficiency (in Russian) : Выполнение проекта позволил внести значительный вклад в развитие материаловедения соединений SnxSy, Zn1-xMgxO и технологии изготовления пленок с контролируемыми свойствами на их основе. Полученные характеристики позволяют использовать созданные пленки в приборах электронной техники, термоэлектрических и фотоэлектрических преобразователях, датчиках и тому подобное

Efficiency (in Kazakh) : Жобаны іске асыру SnxSy, Zn1-xMgxO қосылыстарының материалтану ғылымын дамытуға және олардың негізінде реттелетін қасиеттері бар қабықшалар шығаратын технологияға айтарлықтай үлес қосады. Зерттеулер нәтижесінде жартылай өткізгішті қосылыстардың қабаттарын тұндырудың оңтайлы шарттары анықталады.

Field of application (in Russian) : Cолнечные преобразователи и фотодетекторы

Field of application (in Kazakh) : Күн энергиясын түрлендіргіштер және фотодетокторлар