The object of research, development or design (in Russian) : ZnO и наноматериалы на основе ZnO.

The object of research, development or design (in Kazakh) : ZnO және ZnO негізіндегі наноматериалдар.

Aim of work (in Russian) : Создание простой чувствительной матрицы из 5-10 слойного оксида цинка, функционализированного различными сенсибилизирующими слоями, осажденные с помощью системы атомно- слоевого осаждения (ALD), для избирательной идентификации различных газов, используя коллективную характеристику отклика всех отдельных датчиков. Основной задачей исследований 2020 года является оптимизация роста наноматериалов на основе каркаса ZnO.

Aim of work (in Kazakh) : Барлық жеке сенсорлардың ұжымдық жауап беру сипаттамасын қолдана отырып әртүрлі газдарды таңдап алу үшін атомдық қабатты тұндыру (ALD) жүйесі арқылы функционалданған 5-10 қабат мырыш оксидінің қарапайым сезімтал матрицасын құру. 2020 жылы зерттеудің негізгі мақсаты - ZnO негізінде наноматериалдардың өсуін оңтайландыру.

Методы исследования (на русском) : Рентгеновская дифракция (XRD), Раман спектроскопия, электронная микроскопия, электрические свойства.

Методы исследования (на казахском) : Рентгендік дифракция (XRD), Раман спектроскопиясы, электрондық микроскопия, электрлік қасиеттері.

Obtained results and novelty (in Russian) : В результате исследований оптимизирован рост наноструктур ZnO методом атомно-слоевого осаждения (ALD) и изучены структура и свойства оксида цинка, допированного алюминием различной концентрации. На основании данных Рамановской спектроскопии предложен метод вычитания фона подложки на основе фокусного сдвига Раман спектров для интерпретации структуры образцов оксида цинка, выращенного с использованием технологии атомно-слоевого осаждения (ALD) при допировании алюминием. Основными результатами было изготовление недорогих высокоэффективных наноматериалов ZnO нового поколения. Новизна исследования заключается в разработке основ для получения новых материалов из отечественного сырья для использования в электронных устройствах с целью снижения экономической зависимости Казахстана от экспорта сырья.

Obtained results and novelty (in Kazakh) : Зерттеулер нәтижесінде ZnO наноқұрылымдарының өсуі атом қабатын тұндыру (ALD) арқылы оңтайландырылды және әртүрлі концентрациядағы алюминиймен қоспаланған мырыш оксидінің құрылымы мен қасиеттері зерттелді. Раман спектроскопиясының мәліметтеріне сүйене отырып, алюминиймен легирленген атом қабатын тұндыру (ALD) технологиясын қолданып өсірілген мырыш оксиді сынамаларының құрылымын түсіндіру үшін Раман спектрлерінің фокустық ығысуына негізделген субстраттың фонын алып тастау әдісі ұсынылады. Жұмыстың нәтижесі бойынша 2 мақала жарық көрді. Негізгі нәтижелер жаңа буынды арзан, өнімділігі жоғары ZnO наноматериалдарын жасау болды. Зерттеудің басты жаңалығы - Қазақстанның шикізат экспортынан экономикалық тәуелділігін төмендету мақсатында электронды құрылғыларда қолдану үшін отандық шикізаттан жаңа материалдар алу негіздерін құруда.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Применение разработанной технологии позволяет разработать недорогую матрицу датчиков, объединяющую различные механизмы и материалы на основе функционализированных каркасов ZnO. Использование матрицы ZnO не только как сам датчик, но и как основную проводящую подложку с большой площадью поверхности для множества других материалов, эффективно функционирующих на ее поверхности. Полученный 2D материал WSe2 перспективен для использования в приборах, предназначенных для детекции токсичных газов. Материалы, полученные на основе допированного оксида цинка являются дешевой альтернативой ITO в связи с возможностью создания миниатюрных газовых сенсоров.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : Дамыған технологияны қолдану функционалдандырылған ZnO шеңберлеріне негізделген әртүрлі механизмдер мен материалдарды біріктіретін арзан сенсорлық матрица жасауға мүмкіндік береді. ZnO матрицасын датчиктің өзі ретінде ғана емес, сонымен қатар оның бетінде тиімді жұмыс істейтін басқа да материалдар үшін үлкен беткейі бар негізгі өткізгіш субстрат ретінде қолдану. Алынған 2D материал WSe2 улы газдарды анықтауға арналған қондырғыларда қолдану үшін перспективалы болып табылады. Қосылған мырыш оксидіне негізделген материалдар миниатюралық газ датчиктерін құру мүмкіндігіне байланысты ITO-ға арзан балама болып табылады.

Level of implementation (in Russian) :

Level of implementation (in Kazakh) :

Efficiency (in Russian) :

Efficiency (in Kazakh) :

Field of application (in Russian) : Получение наноструктур на основе ZnO для использования в качестве газовых сенсоров.

Field of application (in Kazakh) : ZnO негізіндегі наноқұрылымдарды газ датчиктері ретінде пайдалануға дайындау.