The object of research, development or design (in Russian) : являются трековые темплэйты a-SiO2/Si с осажденными полупроводниковыми нанокристаллами.

The object of research, development or design (in Kazakh) : a-SiO2/Si шалаөткізгішті нанокристалдары тұндырылған a-SiO2/Si тректі темплэйттер.

Aim of work (in Russian) : Цель работы на данном этапе заключалась в синтезе нанокристаллов базирующихся на ZnSe, CdTe, CdSe в трековом темплэйте а-SiO2/Si и исследовании свойств.

Aim of work (in Kazakh) : Осы кезеңдегі жұмыстың мақсаты ZnSe, CdTe, CdSe негізінде нанокристаллдарды а-SiO2/Si тректі темплэйттерде синтездеу және қасиеттерін зерттеу болып табылады.

Методы исследования (на русском) : сканирующая электрон-ная микроскопия, рентгеноструктурный анализ, измерение ВАХ, фотолюминесценция.

Методы исследования (на казахском) : сканерлеуші электрондық микроскопия, рентгендік құрылымдық талдау, ВАС өлшеу, фотолюминесценция.

Obtained results and novelty (in Russian) : 1)Для двух типов электролитов ЭХО, получены CdTe(NCs)/SiO2/Si-n с WS монофазой. ХО в сульфатном растворе получены CdO(NCs)/SiO2/Si-n c ZBS. Сравнение результатов осаждения позволяет предположить влияние электрического поля на структуру нанокристаллов. ЭХО и ХО на р-типа кремниевой подложки неприводит к осаждению в нанопоры. 2)Впервые получена монофазная WZ структура CdO при достаточно низкой температуре 343K, простым ХО в трековый темплэйт. 3)Исследование ВАХ CdO(NCs)/SiO2/Si позволило оценить количество межзёрен-ных границ ⁓1522 и высоту межзёренного барьера в 1.05эВ, проводимость -n-типа. 4)Установлено, что при ЭХО формируются нанокристаллы оксидного соединенияна основе ZnSe, диселенат цинка ZnSe2O5(NCs)/SiO2/Si. Исследования показали, что он полупроводник n-типа. При ХО получено снижение включения кислорода в структуру нанокритсаллов и образуется диселенит цинка - ZnSeO3(NCs)/SiO2/Si, Si – n и p-типа. Повышение температуры раствора ХО, приводит к полному вытеснению кислорода из структуры нанокристаллов и формируется ZnSe(NCs)/SiO2/Si, Si -n и p-типа на поверхности темплэйта. 5)С помощью программы CRYSTAL рассчитана зонная структура плотность электронных состояний CdTe. Кристалл является прямозонным с наименьшим значением запрещенной зоны в Г-точке. 6)Получен патент РК №3418 от 21.08.2020 «Способ получения нанокристаллов ZnO в двух кристаллических структурах методом электрохимического осаждения в трековые темплэйты a-SiO2/Si-n». Опубликованы три статьи в журналах Q1, Q2.

Obtained results and novelty (in Kazakh) : 1)Электролиттердің екі түрі үшін ЭХТ арқылы WS монофазалы CdTe (NCs)/SiO2/Si-n алынды. ХТ арқылы сульфат ерітіндісінен ZBS құрылымындағы CdO(NCs)/SiO2/Si–n алынды. Тұндыру нәтижелерін салыстыру электр өрісінің нанокристалдар құрылымына әсері анықталды. ЭХТ және ХТ-да р-типті кремний пластиналарындағы нанокеуектер тұнбайтыны байқалды. 2)Алғаш рет WZ монофазалық құрылымды CdO 343 К төмен температурада тректі темплэйті қарапайым XТ арқылы алынды. 3)CdO (NCs)/SiO2/Si ВАС зерттеуде түйіршікаралық шекаралар саны ⁓1522 және түйіршікаралық шекаралар биіктігі 1.05эВ, өткізгіштікті n-типті екендігін бағалауға мүмкіндік берді. 4)ЭХТ-да ZnSe оксиді қосылысының нанокристалдары, ZnSe2O5(NCs)/SiO2/Si мырыш диселенаты түзілуі анықталды. Зерттеулер n-типті жартылай өткізгіш екенін көрсетті. XТ-да нанокристалдар құрамында оттегінің азаюы, ZnSeO3 (NCs)/SiO2/Si диселенит мырышы қалыптасатыны анықталды. Si –n және p-типті. XТ ерітіндінің температурасының жоғарылауы нанокристалдар құрылымынан оттегінің толық ығыстырылуына, ZnSe (NCs)/SiO2/Si мырыш диселениді түзілуіне алып келеді, Si –n және p-типті. 5)CRYSTAL бағдарламасында CdTe электронды күйлерінің жолақ құрылымының тығыздығы есептелді. Кристалл Г-нүктесінде тыйым салынған аймақтың ең кіші мәніне ие тура аймақты кристал болып табылады. 6) №3418«a-SiO2/Si-n тректі темплэйттерін электрхимиялық тұндыру әдісімен екі кристалдық құрылымды ZnO нанокристалдарды алу жолдары» 21.08.2020 ж. патенті алынды. Q1, Q2 журналдарда үш мақала жарық көрді.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : новые наноматериалы.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : жаңа наноматериалдар.

Level of implementation (in Russian) : внедрено.

Level of implementation (in Kazakh) : енгізілді.

Efficiency (in Russian) :

Efficiency (in Kazakh) :

Field of application (in Russian) : для сенсорных устройств, систем опто- и нано-электроники.

Field of application (in Kazakh) : сенсорлық құрылғылар, опто және наноэлектрондық жүйелер.