The object of research, development or design (in Russian) : Тонкие пленки фазопеременного селенида индия, двумерные кристаллы селенидов индия

The object of research, development or design (in Kazakh) : Фазалық ауыспалы индий селенидінің жұқа қабықшалары, индий селенидтерінің екі өлшемді кристалдары

Aim of work (in Russian) : Получение фазопеременных тонких пленок селенидов индия и комплексное исследование трансформации их структуры, оптических, электрических и фотоэлектрических свойств для оценки практической значимости в нанофотонике и оптоэлектронике.

Aim of work (in Kazakh) : Нанофотоника мен оптоэлектроникадағы практикалық маңызын бағалау үшін индий селенидтерінің фазалық өзгеретін жұқа қабықшаларын дайындау және олардың құрылымының, оптикалық, электрлік және фотоэлектрлік қасиеттерінің түрленуін жан-жақты зерттеу

Методы исследования (на русском) : Структура и состав полученных слоистых кристаллов и тонких пленок были оценены набором методов: рентгеноструктурным анализом (XRD), Рамановской спектроскопией для анализа структуры и энерго-дисперсионным анализом для определения состава

Методы исследования (на казахском) : Алынған қабатты кристалдар мен қабықшалардың құрылымы мен құрамы келесі әдістер жиынтығы арқылы бағаланды: құрылымды талдау үшін рентгенқұрылымдық талдау (XRD) және Раман спектроскопиясы, ал құрамды анықтау үшін энерго-дисперсиялық талдау.

Obtained results and novelty (in Russian) : Были синтезированы слоистые кристаллы InSe и In₂Se₃ и получены аморфные тонкие плёнки с требуемой стехиометрией. Исследованы особенности их кристаллизации, температурная зависимость сопротивления, структура и состав плёнок до и после термической обработки с помощью XRD, Рамановской спектроскопии и ЭДС. Выявлены оптимальные условия отжига для получения однородных плёнок и характерные переходы сопротивления, что демонстрирует возможность их применения в элементах фазовой памяти. Новизна работы заключается в определении условий формирования однородных плёнок и исследовании многопараметрической зависимости их физических свойств от состава, толщины и термической обработки.

Obtained results and novelty (in Kazakh) : InSe және In₂Se₃ қабатты кристалдары синтезделіп, қажетті стехиометрияға ие аморфты жұқа қабықшалар алынды. Олардың кристалдану ерекшеліктері, кедергісінің температураға тәуелділігі, қабықшалардың құрылымы мен құрамы термиялық өңдеуге дейін және кейін XRD, Раман спектроскопиясы және ЭДС әдістерімен зерттелді. Біртекті қабықшаларды алу үшін оптималды жасыту шарттары және кедергінің сипаттамалық ауысулары анықталды, бұл олардың фазалық жады элементтері ретінде қолданылу мүмкіндігін көрсетеді. Жұмыстың жаңалығы — біртекті қабықшаларды қалыптастыру шарттарын анықтау және олардың физикалық қасиеттерінің құрамына, қалыңдығына және термиялық өңдеуге байланысты көппараметрлік тәуелділігін зерттеумен байланысты.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Синтезированные тонкие плёнки продемонстрировали резкое изменение сопротивления при определённой температуре, что делает их весьма перспективными для использования в ячейках памяти с фазовым переходом. Все характеристики указывают на технологическую реализуемость и высокий потенциал использования этих плёнок в устройствах памяти. Основные характеристики пленок: Диапазон толщин плёнок 50–300 нм, Температура кристаллизации: -InSe: 140–180 °C (в зависимости от толщины) -In₂Se₃: двухступенчатый переход в диапазоне 220–315 °C Оптимальная температура отжига для получения однородных плёнок InSe: 335 ± 5 °C.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : Синтезделген жұқа қабықшалар кедергінің белгілі бір температурада күрт өзгеруін көрсеткендіктен,фазалық ауысуға негізделген жады ұяшықтарында қолдану үшін өте перспективті екенін дәлелдеді. Барлық сипаттамалар бұл қабықшаларды жады құрылғыларында пайдаланудың технологиялық мүмкіндігі мен жоғары әлеуетін көрсетеді. Қабықшалардың негізгі сипаттамалары: Қабықшалар қалыңдығының диапазоны: 50–300 нм Кристалдану температурасы: - InSe: 140–180 °C (қалыңдығына байланысты) - In₂Se₃: 220–315 °C диапазонындағы екі сатылы ауысу Біртекті InSe қабықщаларын алу үшін оңтайлы жасыту температурасы: 335 ± 5 °C

Level of implementation (in Russian) : не внедрено

Level of implementation (in Kazakh) : енгізілмеген

Efficiency (in Russian) : Применяемая технология является масштабируемой и совместимой с существующими технологическими процессами.

Efficiency (in Kazakh) : Қолданылатын технология масштабталатын және қолданыстағы технологиялық процестермен үйлесімді.

Field of application (in Russian) : Особенность фазовой перестройки тонких пленок селенидов индия делают их привлекательными в области разработки продвинутых активных (программируемых) фотонных и электронных устройств для фотонной или электронной записи информации.

Field of application (in Kazakh) : Индий селенидінің жұқа қабықшаларының фазалық түрлену ерекшелігі оларды фотондық немесе электрондық ақпаратты жазуға арналған жетілдірілген белсенді (бағдарланатын) фотондық және электрондық құрылғыларды әзірлеу саласында тартымды етеді.