The object of research, development or design (in Russian) : Синтез керамики на основе оксида галлия проводился из шихты оксида галлия марки ОСЧ. Образцы шихты были спрессованы в таблетки диаметром 5 мм и толщиной 1 мм. После прессования таблетки оксида галлия были помещены в алундовые тигли и подвергнуты отжигу в течение 10 часов для оксида галлия в воздушной атмосфере при температуре 1300°C, для ZnGa2O4 и ZnAlGaO4 - 1500°C. o Подготовка шихты Ga2O3 и ZnGa2O4 и ZnAlGaO4 марки ОСЧ, включала тщательное измельчение и гомогенизацию в алундовом, чтобы обеспечить равномерное распределение частиц и улучшить качество конечной керамики. o Таблетки диаметром 5 мм и толщиной 1 мм были сформированы при давлении 1 МПа (2 тонны), что обеспечило достаточную плотность и механическую прочность перед отжигом.

The object of research, development or design (in Kazakh) : Галий оксиді негізіндегі керамика синтезі галий оксидінің зарядынан жүзеге асырылды. OSCH бағалары. Шихтаның үлгілері диаметрі 5 мм және қалыңдығы бар таблеткаларға басылды 1 мм. Престеуден кейін галлий оксиді таблеткалары алунд тигельдеріне және орналастырылды ауа атмосферасында галлий оксиді үшін 10 сағат бойы күйдірілген температурасы 1300°С, ZnGa2O4 және ZnAlGaO4 үшін - 1500°С. o Ga2O3 және ZnGa2O4 және ZnAlGaO4 қоспасының арнайы тазалық дәрежесін дайындау біркелкі болуын қамтамасыз ету үшін алундта мұқият ұнтақтау және гомогенизациялау бөлшектердің таралуы және соңғы керамиканың сапасын жақсарту. o Диаметрі 5 мм және қалыңдығы 1 мм таблеткалар қысыммен қалыптасты 1 МПа (2 тонна), бұл жеткілікті тығыздық пен механикалық беріктікті қамтамасыз етті күйдіруге дейін.

Aim of work (in Russian) : Проект ставит своей главной целью создание инновационных функциональных соединений на основе галлиевых шпинелей, предназначенных для использования в качестве люминофоров. Эти новые материалы будут способствовать улучшенному управлению оптоэлектронными и люминесцентными свойствами, что откроет новые возможности для сферы освещения.

Aim of work (in Kazakh) : Жобаның негізгі мақсаты - фосфор ретінде пайдалануға арналған галлий шпинельдеріне негізделген инновациялық функционалды қосылыстар жасау. Бұл жаңа материалдар оптоэлектрондық және люминесценттік қасиеттерді бақылауды жақсартуға мүмкіндік береді, жарықтандыру саласы үшін жаңа мүмкіндіктер ашады.

Методы исследования (на русском) : Проведение комплексного структурного анализа, включающего рентгеновскую дифракцию (XRD), энергодисперсионную рентгеновскую спектроскопию (EDX), рамановскую спектроскопию, инфракрасную спектроскопию (IR) и другие методы.

Методы исследования (на казахском) : Рентген сәулелерінің дифракциясы (XRD), энергияның дисперсиялық рентгендік спектроскопиясы (EDX), Раман спектроскопиясы, инфрақызыл спектроскопиясы (IR) және басқа әдістерді қоса, жан-жақты құрылымдық талдауды орындаңыз.

Obtained results and novelty (in Russian) : Ga2O3 Образец содержит фазу β-Ga2O3, что подтверждено данными дифракции. Была использована база данных ICDD (PDF-4+ 2019) с идентификационным номером карты 01-087-1901. Фигурный показатель для этой фазы составил 0.228, что подтверждает высокую точность фазового распознавания. ZnGa2O4 Основная фаза образца представлена цинк дигаллием оксидом (ZnGa2O4), что подтверждается анализом XRD. Данные взяты из базы данных ICDD (PDF-4+ 2019) с идентификационным номером карты 01- 071-0843. Фазовый показатель качества (Figure of Merit) для ZnGa2O4 составляет 0.441, что указывает на хорошее качество распознавания фазы. ZnGaAlO4 Единственная выявленная фаза в образце - это оксид цинка, алюминия и галлия (ZnGaAlO4). Анализ проведен с использованием CIF файла. Фазовый показатель качества (Figure of Merit) для Результаты структурных исследовании методом рентгеновской дифрактометрии по образцу составляет 0.253, что свидетельствует о хорошей точности распознавания фазы.

Obtained results and novelty (in Kazakh) : Ga2O3 Үлгіде β-Ga2O3 фазасы бар, ол дифракция деректерімен расталады. ICDD дерекқоры (PDF-4+ 2019) 01-087-1901 сәйкестендіру нөмірімен пайдаланылды. Бұл фазаның көрсеткіші 0,228 болды, бұл фазаны танудың жоғары дәлдігін растайды. ZnGa2O4 Үлгінің негізгі фазасы мырыш дигаллий оксидімен (ZnGa2O4) ұсынылған, ол XRD талдауымен расталады. Деректер ICDD дерекқорынан (PDF-4+ 2019) 01-071-0843 сәйкестендіру нөмірімен алынды. ZnGa2O4 үшін фазалық сапа индексі (Еңбек белгісі) болып табылады 0,441, бұл фазаны танудың жақсы сапасын көрсетеді. ZnGaAlO4 Үлгідегі жалғыз анықталған фаза - мырыш алюминий галий оксиді (ZnGaAlO4). Талдау CIF файлы арқылы жүргізілді. Үлгіде рентгендік дифрактометрияны қолданатын құрылымдық зерттеулердің нәтижелері үшін фазалық сапа индексі (Құрмет белгісі) 0,253 құрайды, бұл фазаны танудың жақсы дәлдігін көрсетеді.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Проект ожидается способствовать значительным научно-техническим прорывам, В сфере силовой электроники замена Si и SiC на Ga2O3 обещает существенную экономию электроэнергии, что открывает путь к более эффективному и экологичному использованию энергетических ресурсов. Реализация этого проекта будет способствовать научно-техническому прогрессу, повысит престиж и репутацию Евразийского национального университета им. Л. Н. Гумилева (ЕНУ) в области разработки инновационных технологий и производства смарт материалов.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : Жоба энергетикалық электроника саласындағы маңызды ғылыми және технологиялық жетістіктерге ықпал етеді деп күтілуде, Si және SiC-ті Ga2O3-ке ауыстыру энергия ресурстарын тиімдірек және экологиялық таза пайдалануға жол ашады. Бұл жобаны жүзеге асыру ғылыми-техникалық прогреске, Еуразия ұлттық университетінің беделі мен беделін арттыруға ықпал етеді. Гумилев Л.Н. (ЕҰУ) инновациялық технологияларды дамыту және смарт материалдар өндірісі саласында.

Level of implementation (in Russian) :

Level of implementation (in Kazakh) :

Efficiency (in Russian) :

Efficiency (in Kazakh) :

Field of application (in Russian) : В силовой электронике и оптоэлектронике материалы на основе Ga2O3, ZnGa2O4 и ZnAlGaO4 будут использоваться для разработки прозрачных электропроводящих материалов, в том числе для солнцезащитных фотодетекторов. В медицинской диагностике фокус будет на разработке новых сцинтилляционных материалов для улучшения качества изображений. Также исследуются возможности использования этих материалов как люминофоров, а так же в радиационно-стойких детекторах для космической промышленности и ядерной физики.

Field of application (in Kazakh) : Энергетикалық электроникада және оптоэлектроникада Ga2O3, ZnGa2O4 және ZnAlGaO4 негізіндегі материалдар мөлдір электр өткізгіш материалдарды әзірлеу үшін, соның ішінде күн фотодетекторлары үшін пайдаланылады. Медициналық диагностикада сурет сапасын жақсарту үшін жаңа сцинтилляциялық материалдарды әзірлеуге назар аударылады. Бұл материалдарды люминофор ретінде, сондай-ақ ғарыш өнеркәсібі мен ядролық физика үшін радиацияға төзімді детекторларда пайдалану мүмкіндіктері де зерттелуде.