The object of research, development or design (in Russian) : Объект исследования является тонкие пленки оксида галлия (Ga2O3) осажденные методом высокочастотного магнетронного распыления.

The object of research, development or design (in Kazakh) : Зерттеу объектісі жоғары жиілікті магнетронды шашырату арқылы тұндырылған галий оксидінің (Ga2O3) жұқа қабықшалары болып табылады.

Aim of work (in Russian) : Цель: Экспериментальное исследование структурно-фазового состояния, оптических и электрических свойств и радиационной стойкости тонких пленок на основе моноклинного оксида галлия, осажденных методом магнетронного распыления.

Aim of work (in Kazakh) : Мақсаты: Магнетронды шашырату арқылы тұндырылған моноклиникалық галлий оксиді негізіндегі жұқа қабықшалардың құрылымдық-фазалық күйін, оптикалық және электрлік қасиеттерін және сәулеленуге төзімділігін эксперименттік зерттеу.

Методы исследования (на русском) : Методы исследования: Тонкие пленки оксида галлия (Ga2O3), осажденные на сапфировые подложки (α-Al2O3), были получены методом высокочастотного магнетронного распыления. Исследовалось структурно-фазовое состояния, оптические (спектры поглащения, фотолюминесценция), электрические и фотоэлектрические свойства, а также радиационная стойкость осажденных пленок Ga2O3. Проанализированы влияния ионизирующего излучения на основные свойства Ga2O3.

Методы исследования (на казахском) : Зерттеу әдістері: Жоғары жиілікті магнетронды шашырату арқылы сапфирді негіздерде (α-Al2O3) тұндырылған галий оксидінің (Ga2O3) жұқа қабықшалары алынды. Шөгілген Ga2O3 қабықшаларының құрылымдық-фазалық күйлері, оптикалық (жұтылу спектрлері, фотолюминесценция), электрлік және фотоэлектрлік қасиеттері, сонымен қатар сәулеленуге төзімділігі зерттелді. Иондаушы сәулеленудің Ga2O3 негізгі физикалық қасиеттеріне әсері талданады.

Obtained results and novelty (in Russian) : Результаты исследований: В данном проекте разработаны новые широкозонные радиационно-стойкие тонкоплёночные материалы на основе моноклинного оксида галлия (β-Ga2O3), осажденные методом высокочастотного магнетронного распыления. Определены оптимальные условия осаждения, структура и свойства плёнок. Проведено комплекс радиационных испытаний коротко-импульсным и ионным (Kr+) воздействиям при различных флюенсах, которая позволила детально изучить влияние ионизирующего излучения на оптические, электрические и фотоэлектрические свойства, структурно-фазовое состояние и электронную структуру тонких пленок оксида галлия.

Obtained results and novelty (in Kazakh) : Зерттеу нәтижелері: Бұл жобада жоғары жиілікті магнетронды шашырату арқылы тұндырылған моноклиникалық галлий оксиді (β-Ga2O3) негізіндегі кең аралықтағы сәулеге төзімді жаңа жұқа пленкалы материалдар әзірленді. Қабықтардың оңтайлы тұндыру шарттары, құрылымы мен қасиеттері анықталды. Қысқа импульстік және иондық (Kr+) сәулелену сынақтарының жиынтығы әртүрлі флюенцияларда жүргізілді, бұл иондаушы сәулеленудің оптикалық, электрлік және фотоэлектрлік қасиеттеріне, құрылымдық-фазалық күйіне және электрондық құрылымына әсерін егжей-тегжейлі зерттеуге мүмкіндік берді. галий оксидінің жұқа қабықшалары.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Основные конструктивные и технико-эксплуационные показатели: Высокая точность и надежность используемых методов.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : Негізгі конструктивтік және техникалық-пайдалану көрсеткіштері: Қолданылатын әдістердің жоғары дәлдігі мен сенімділігі.

Level of implementation (in Russian) : Степень внедрения: внедрение не предполагается

Level of implementation (in Kazakh) : Орындалу дәрежесі: іске асыру күтілмейді

Efficiency (in Russian) : Эффективность: Метод высокочастотного магнетронного распыления, отличающийся простотой технологического процесса и высокой производительностью от других методов получения тонких пленок оксида галлия, является одним из наиболее перспективных методов для синтеза тонкоплёночных структур на основе оксида галлия и развития широкого класса электроники на их основе.

Efficiency (in Kazakh) : Тиімділігі: Технологиялық процестің қарапайымдылығымен және галлий оксидінің жұқа қабықшаларын алудың басқа әдістерінен жоғары өнімділігімен ерекшеленетін жоғары жиілікті магнетронды шашырату әдісі галий оксиді негізінде жұқа қабықшалы құрылымдарды синтездеудің ең перспективалы әдістерінің бірі болып табылады. және олардың негізінде электрониканың кең класының дамуы.

Field of application (in Russian) : Область применения: Результаты исследований могут быть использованы в фундаментальных и коммерческих исследованиях в области изготовления приборов нового поколения опто- и силовой электроники, например, диодах Шоттки, полевых транзисторах, а также в термометрах Больцмана, ультрафиолетовых солнечно-слепых фотодетекторах и других приложениях.

Field of application (in Kazakh) : Қолдану аясы: Зерттеу нәтижелерін оптикалық және күштік электрониканың жаңа буын құрылғыларын, мысалы, Шоттки диодтарын, далалық транзисторларды, сондай-ақ Больцман термометрлерін, ультракүлгін күн сәулелерін өндіру саласындағы іргелі және коммерциялық зерттеулерде пайдалануға болады.