The object of research, development or design (in Russian) : Ge2Sb2Se5 құрамы бар халькогенидті шыны тәрізді жартылай өткізгіштердің (ХШЖ) наноөлшемді қабықшалары

The object of research, development or design (in Kazakh) : Ge2Sb2Se5 құрамы бар халькогенидті шыны тәрізді жартылай өткізгіштердің (ХШЖ) наноөлшемді қабықшалары

Aim of work (in Russian) : Цель работы заключалась в разработке технологии получения наноразмерных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников Ge2Sb2Se5 и изучении их состава, структуры и электронных свойств

Aim of work (in Kazakh) : Жұмыстың мақсаты Ge2Sb2Se5 халькогенидті шыны тәрізді жартылай өткізгіштердің наноөлшемді қабықшаларын алу технологиясын жасау және олардың құрамын, құрылымын және электрондық қасиеттерін зерттеу болды

Методы исследования (на русском) : Методами EDXS, ПЭМ, СЭМ и РС изучены состав, структура и электронные совйства наноразмерных пленок Ge2Sb2Se5

Методы исследования (на казахском) : Наноөлшемді Ge2Sb2Se5 пленкаларының құрамы, құрылымы және электрондық қасиеттері EDXS, TEM, SEM және XRD әдістері арқылы зерттелді

Obtained results and novelty (in Russian) : Изучены оптические и электрические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 и определены их полупроводниковые параметры. Показано, что толщина пленок Ge2Sb2Te5 оказывает существенное влияние на их полупроводниковые параметры в диапазоне толщин от 100 до 50 нм. При этом наблюдается корреляция между изменением толщины пленок и изменением их оптической ширины запрещенной зоны Eg. Изучены и определены параметры эффекта переключения и памяти в пленках Ge2Sb2Te5

Obtained results and novelty (in Kazakh) : Ge2Sb2Te5 жұқа қабықшаларының оптикалық және электрлік қасиеттері зерттеліп, олардың жартылай өткізгіштік параметрлері анықталды. Ge2Sb2Te5 пленкаларының қалыңдығы 100-ден 50 нм-ге дейінгі қалыңдық диапазонында олардың жартылай өткізгіштік параметрлеріне айтарлықтай әсер ететіні көрсетілген. Бұл жағдайда пленка қалыңдығының өзгеруі мен олардың оптикалық диапазонының өзгеруі арасындағы корреляция байқалады, мысалы. Ge2Sb2Te5 қабықшаларындағы коммутация және жады әсерінің параметрлері зерттелді және анықталды

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Разработана технология получения наноразмерных пленок ХСП состава Ge2Sb2Se5 методом импульсного лазерного осаждения

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : Импульстік лазермен тұндыру арқылы CGS құрамы Ge2Sb2Se5 наноөлшемді қабықшаларды алу технологиясы әзірленді

Level of implementation (in Russian) : В ходе выполнения НИР разработана технология получения наноразмерных пленок Ge2Sb2Te5 и изучены их состав, структура и электронные свойства, Краткие сведения КС-22, Регистрационный номер 0322РК00183; КС-23, Регистрационный номер 0323РК00796

Level of implementation (in Kazakh) : Ғылыми-зерттеу жұмысы барысында наноөлшемді Ge2Sb2Te5 қабықшаларын алу технологиясы әзірленді және олардың құрамы, құрылымы және электрондық қасиеттері зерттелді, Қысқаша ақпарат КС-22, тіркеу нөмірі 0322РК00183; КС-23, тіркеу нөмірі 0323RK00796

Efficiency (in Russian) : Полученные результаты являются новыми и будут использованы для получения наноразмерных пленок для применения в области микро- и наноэлектроники, материаловедения, наноматериалов и нанотехнологий.

Efficiency (in Kazakh) : Алынған нәтижелер жаңа және микро- және наноэлектроника, материалтану, наноматериалдар және нанотехнологиялар саласында пайдалану үшін нано өлшемді пленкаларды алу үшін пайдаланылады.

Field of application (in Russian) : Наноэлектроника

Field of application (in Kazakh) : Наноэлектроника