The object of research, development or design (in Russian) : Объект исследования – низкотемпературная система для изучения электрофизических и оптоэлектронных свойств полупроводниковых материалов и приборов.

The object of research, development or design (in Kazakh) : Зерттеу нысаны – жартылай өткізгішті материалдар мен құрылғылардың электрофизикалық және оптоэлектрондық қасиеттерін зерттеуге арналған төменгі температуралық өлшеу жүйесі.

Aim of work (in Russian) : Основная цель проекта – создание универсальной измерительной ячейки для изучения электрофизических свойств полупроводниковых материалов в различных температурных диапазонах.

Aim of work (in Kazakh) : Жобаның негізгі мақсаты – әртүрлі температура диапазонында жартылай өткізгіш материалдардың электрофизикалық қасиетін зерттеуге арналған әмбебап зерттеу ұяшығын жасау болып табылады.

Методы исследования (на русском) : Вольт-амперные характеристики, вольт-фаадные характеристики, импеданс спектроскопия

Методы исследования (на казахском) : сыйымдылық-кернеу сипаттамасы, вольт-амперлі сипаттамалары, импеданс спектроскопиясы

Obtained results and novelty (in Russian) : Впервые разработана низкотемпературная измерительная ячейка, позволяющая проводить комплексные низко- и высокочастотные измерения электрофизических и оптоэлектронных свойств полупроводниковых материалов и устройств с различным расположением электрических контактных площадок, в темноте и при освещении, в температурном диапазоне 10-350 К.

Obtained results and novelty (in Kazakh) : 1. Алғаш рет, электр контактілері әртүрлі орналасқан жартылай өткізгішті материалдар мен құрылғылардың электрофизикалық және оптоэлектрондық қасиеттерін, қараңғыда және жарық интенсивтілігінде, 10 – 350 К температура диапазонда, төмен және жоғары жиілікті кешенді өлшеулерді жүргізуге мүмкіндік беретін төмен температуралы өлшеу жүйесі әзірленді

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Модернизированный вариант микрокриогенной измерительной ячейки, оснащенной тремя универсальными электрическими контактами, позволяет измерять электрофизические свойства полупроводниковых материалов как с односторонним, так и двухсторонним расположением контактных площадок при различной интенсивности света, в диапазоне температур 10-350 К, при низких и высоких частотах.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : 1. Әмбебап үш электр контактілерімен жабдықталған микрокриогендік машина негізіндегі төмен температурада өлшейтін қондырғының жаңартылған нұсқасы, бір жақты және екі жақты электродтық төсемдермен орналасқан жартылай өткізгішті материалдар мен құрылғыларды, әртүрлі жарық интенсивтілігінде, 10 – 350 К температура диапазонда, төмен және жоғары жиіліктегі кешенді электрофизикалық өлшеулерді жүргізуге мүмкіндік берді.

Level of implementation (in Russian) :

Level of implementation (in Kazakh) :

Efficiency (in Russian) :

Efficiency (in Kazakh) :

Field of application (in Russian) : Проведение экспериментальных исследований полупроводниковых структур при помощи разработанной ячейки позволяет расширить знания в области прикладной физики по направлениям отечественной науки: теплофизики, альтернативной энергетики, электроники, материаловедения и индустрии наноматериалов.

Field of application (in Kazakh) : Әзірленген ұяшықтың көмегімен жартылай өткізгішті материалдарға эксперименттік зерттеулер жүргізу нәтижесі, отандық ғылым бағыттарындағы қолданбалы физика, жылу физикасы, баламалы энергетика, электроника, материалтану және наноматериалдар өнеркәсібі саласындағы білімді кеңейтуге мүмкіндік береді.