Inventory number | IRN | Number of state registration |
---|---|---|
0224РК00858 | AP14870696-OT-24 | 0122РК00368 |
Document type | Terms of distribution | Availability of implementation |
Заключительный | Gratis | Number of implementation: 0 Not implemented |
Publications | ||
Native publications: 1 | ||
International publications: 2 | Publications Web of science: 2 | Publications Scopus: 1 |
Number of books | Appendicies | Sources |
1 | 2 | 137 |
Total number of pages | Patents | Illustrations |
88 | 0 | 34 |
Amount of funding | Code of the program | Table |
33000000 | AP14870696 | 11 |
Name of work | ||
Новые керамические соединения на основе оксида галлия с повышенной радиационной стойкостью и улучшенными оптоэлектронными свойствами | ||
Report title | ||
Type of work | Source of funding | The product offerred for implementation |
Fundamental | Технология | |
Report authors | ||
Карипбаев Жакып Тлеубаевич , Жунусбеков Амангельды Магмурович , Усеинов Абай Бакытжанович , Popov Anatoli Ivanovich , Мусаханов Досымхан Абитханович , Алпысова Гульнур Кенжебековна , Жилгильдинов Жасулан , Бақытқызы Айзат , Какимов Асхат Бекайдарович , | ||
0
0
3
0
|
||
Customer | МНВО РК | |
Information on the executing organization | ||
Short name of the ministry (establishment) | МНВО РК | |
Full name of the service recipient | ||
Некоммерческое акционерное общество "Евразийский Национальный университет имени Л.Н. Гумилева" | ||
Abbreviated name of the service recipient | НАО "ЕНУ им.Л.Н.Гумилева" | |
Abstract | ||
Объектами исследования являются керамики β-Ga2O3, YAG: Ce, Ga2O3: Ce, ZnGa₂O Зерттеу нысандары β-Ga2O3, YAG: Ce, Ga2O3: Ce, ZnGa₂O₄ керамикалары разработка новой функциональной керамики на основе Ga2O3 которые позволят в широких пределах регулировать их оптоэлектронные, люминесцентные свойства и радиационную стойкость с использованием различных примесей. Ga2O3 негізіндегі жаңа функционалды керамика жасау, бұл олардың оптоэлектрондық, люминесценттік қасиеттерін және әртүрлі қоспаларды қолдану арқылы сәулеленуге төзімділігін кеңінен бақылауға мүмкіндік береді. СЭМ, рентгеновская дифрактометрия, Раман, ФЛ, ВУФ. СЭМ, рентгендік дифрактометрия, Раман, ФЛ, ВУК 1. Керамики β-Ga2O3, Ga2O3(Ce) и ZnGa2O4 впервые синтезированs с использованием облучения мощным электронным пучком с энергией 1,3-1,4 МэВ. Рентгеновская дифракция подтвердила моноклинную структуру (C2/m) для Ga2O3 и кубическая структура (Fd-3m) для ZnGa2O4, соответствующую стандартным данным. Спектры люминесценции Ga2O3(Ce) показали стабильное свечение при низких температурах, с термическим тушением по мере их повышения. Энергия активации тушения составила 43 и 174 мэВ, а время затухания при 8 K достигало 1893 нс. Впервые исследована люминесценция в ВУФ-диапазоне для Ga2O3(Ce) и ZnGa2O4. 2. Исследование радиационной стойкости β-Ga2O3, облученного ионами азота и ксенона, выявило значительные изменения его структурных и люминесцентных характеристик. Впервые была изучена ВУФ-люминесценция ионно-облученных кристаллов, показав ослабление эффекта размножения электронного возбуждения и снижение когерентности переходов. Обнаружены новые дефекты, что привело к появлению новых пиков люминесценции на 550 и 700 нм. 3. Моделирование β-Ga2O3 показало, что вакансии галлия действуют как глубокие акцепторы, компенсирующие донорные дефекты, что объясняет низкую проводимость. Вакансии кислорода, будучи глубокими донорами, не способствуют проводимости n-типа. Допирование церия вызывает напряжение в кристалле и изменяет локальные связи, ухудшая сцинтилляционные свойства из-за делокализации f-электронов и смещения 4f уровня в запрещенную зону. 1. β-Ga₂O₃, Ga₂O₃(Ce) және ZnGa₂O₄ керамикалары алғаш рет 1,3–1,4 МэВ энергиясы бар жоғары энергиялы электрондық сәулемен сәулелендіру арқылы синтезделді. Рентгендік дифракция стандартқа сай Ga₂O₃ үшін моноклиндік құрылымды (C2/m), ал ZnGa₂O₄ үшін кубтық құрылымды (Fd-3m). Ga₂O₃(Ce) люминесценция спектрлері төмен температурада тұрақты, температура көтерілгенде сөну байқалды. Сөну энергиясының активациясы 43 және 174 мэВ құрады, ал 8 К кезінде өшу уақыты 1893 нс-қа жетті. Ga₂O₃(Ce) және ZnGa₂O₄ үшін ВУФ диапазонында люминесценция алғаш рет зерттелді. 2. Азот және ксенон иондарымен сәулеленген β-Ga2O3 төзімділігін зерттеу оның құрылымдық және люминесценттік сипаттамаларында өзгерістерді анықтады. Алғаш рет ионды сәулеленген кристалдардың ВУК люминесценциясы зерттелді, бұл қозудың көбею эффектінің әлсіреуін көрсетті. Жаңа ақаулар ашылды, бұл 550 және 700 нм-де жаңа люминесценцияларн көрсетті. 3. β-Ga₂O₃ модельдеулері галийдің вакансияларының донорлық ақауларды өтейтін терең акцепторлар болады, бұл төмен өткізгіштікпен түсіндіреді. Оттегінің вакансиялары терең донорлар болады, n-типті өткізгіштікке ықпал етпейді. Церий кристалда кернеу мен байланыстарды өзгертеді, f электрондарының делокализациянып 4f жолақ саңылауына ығыстырады. Разработанная технология синтеза явялется инновационной с точки зрения простоты, скорости синтеза и получаемого качетва полученных керамик Жасалған синтез технологиясы қарапайымдылығы, синтез жылдамдығы және нәтижесінде алынған керамика сапасы тұрғысынан инновациялық болып табылады. опытная аппробация эксперименттік тестілеу Энергоэффективная технология синтеза реализуется со скоростью 50 грамм люминофора в 1 минуту Энергияны үнемдейтін синтез технологиясы минутына 50 грамм фосфор жылдамдығымен жүзеге асырылады. в качестве люминофоров в современном светодиодном освещении, сцинтилляторов в томографии в медицине, в системах контроля и безопасности, в оптоэлектронике и в науке. заманауи жарықдиодты жарықтандыруда люминофорлар ретінде, медицинадағы томографиядағы сцинтилляторлар, бақылау және қауіпсіздік жүйелерінде, оптоэлектроникада және ғылымда. |
||
UDC indices | ||
539.534.9; 621.039.542; 621.039.54:620.18 | ||
International classifier codes | ||
29.19.04; 29.19.11; | ||
Readiness of the development for implementation | ||
Key words in Russian | ||
керамика; дефекты; люминесценция; синтез; радиация; | ||
Key words in Kazakh | ||
керамика; ақаулар; люминесценция; синтез; радиация; | ||
Head of the organization | Сыдыков Ерлан Батташевич | доктор исторических наук / Профессор |
Head of work | Карипбаев Жакып Тлеубаевич | PhD in Physics / ассоциированный профессор (доцент) |
Native executive in charge |