Inventory number IRN Number of state registration
0324РК00577 AP19174589-KC-24 0123РК00086
Document type Terms of distribution Availability of implementation
Краткие сведения Gratis Number of implementation: 0
Not implemented
Publications
Native publications: 0
International publications: 1 Publications Web of science: 1 Publications Scopus: 1
Patents Amount of funding Code of the program
0 7992624 AP19174589
Name of work
Влияние дефектов на атомные и электронные свойства дихалькогенидов переходных металлов на основе платины
Type of work Source of funding Report authors
Fundamental Жусупбеков Куаныш
0
0
0
0
Customer МНВО РК
Information on the executing organization
Short name of the ministry (establishment) МНВО РК
Full name of the service recipient
НАО "Атырауский университет имени Халела Досмухамедова"
Abbreviated name of the service recipient НАО "Атырауский университет имени Х.Досмухамедова"
Abstract

Объектом исследования являются дихалькогениды переходных металлов на основе платины. Эти материалы обладают уникальными свойствами, которые делают их перспективными для применения в различных отраслях, включая электронику, каталитические материалы и энергетические устройства.

Зерттеу нысаны - платина негізінде өтпелі металдардың дихалькогенидтері. Бұл материалдар ерекше қасиеттерге ие болып, электроника, катализаторлық материалдар және энергетикалық құрылғылар салаларында қолдануға үлкен мүмкіндіктер ұсынады.

3. Получить изображения точечных дефектов (квантовых систем) в высоком разрешении в ДПМ на основе Pt при температуре 77 K. 4. Охарактеризовать полученные изображения дефектов в высоком разрешении с помощью моделирования с использованием ТФП.

3. 77 К температура кезінде Pt негізінде ӨМД-де жоғары дәлдікпен нүктелік ақаулардың (кванттық жүйелердің) кескінің алу. 4. ТФТ қолдану арқылы моделдеудің көмегімен жоғары дәлдікпен ақаулардың алынған кескіндерін сипаттау.

В исследовании будут применяться методы сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) и теории функционала плотности (ТФП) для детального анализа дефектов на атомном уровне.

Зерттеу барысында атомдық деңгейдегі ақауларды толық талдау үшін сканерлеуші туннельдік микроскопия (СТМ) және тығыздық функционалы теориясы (ТФТ) әдістері қолданылады.

Получены изображения дефектов с высоким разрешением, которые были проанализированы с использованием ТФП. Это позволило установить ключевые параметры, влияющие на электронные свойства материалов.

Жоғары дәлдікпен алынған ақаулар кескіндері ТФТ көмегімен талданды. Бұл материалдардың электрондық қасиеттеріне әсер ететін негізгі параметрлерді анықтауға мүмкіндік берді.

Предлагаемые материалы обладают высокой проводимостью и стабильностью, что делает их перспективными для применения в электронике и катализаторных процессах.

Ұсынылған материалдар жоғары өткізгіштік және тұрақтылық қасиеттеріне ие, бұл оларды электроника мен катализаторлық процестерде қолдануға болашағы зор етеді.

Не предупресмотрино

Алдын ала ескертілмеген

Не предупресмотрино

Алдын ала ескертілмеген

Материалы могут быть использованы в электронике, энергетике и в качестве катализаторов для химических процессов.

Материалдар электроника, энергетика және химиялық процестерде катализатор ретінде қолданылуы мүмкін.

UDC indices
3937
International classifier codes
29.19.11; 29.19.00; 29.19.03; 29.19.04; 29.19.24;
Key words in Russian
Физика конденсированного состояния; Теория конденсированного состояния; Физика твердого тела; Сканирующая туннельная микроскопия; Теория функционала плотности; 2D материалы; Тонкие пленки и нанотехнологии; Дефекты; Сканирующая Туннельная Спектроскопия;
Key words in Kazakh
Конденсацияланған заттар физикасы; Конденсацияланған заттар теориясы; Қатты дене физикасы; Сканерлеуші туннельдік микроскопия; Тығыздықтың функционалдық теориясы; 2D материалдар; Жұқа пленкалар және нанотехнология; Ақаулар; Сканерлеуші Туннельдік Спектроскопия;
Head of the organization Идрисов Саламат Нурмуханович Кандидат педагогических наук, доцент / нет
Head of work Жусупбеков Куаныш / PhD