The object of research, development or design (in Russian) : Объектами исследования являются трековые темплэйты a-SiO2/Si с осажденными полупроводниковыми материалами ZnSe, ZnSeO3, ZnS, ZnTe.

The object of research, development or design (in Kazakh) : Зерттеу нысандары ZnSe, ZnSeO3, ZnS, ZnTe тұндырылған жартылай өткізгіш материалдары бар а-SiO2/Si тректі темплейттері болып табылады.

Aim of work (in Russian) : Цель работы на данном этапе заключалась в синтезе нанопроволок базирующихся на ZnSe, ZnSeО3, ZnS, ZnTe в трековом темплэйте а-SiO2/Si и исследовании их структурных, оптических и электрофизических свойств.

Aim of work (in Kazakh) : Жұмыстың мақсаты a-SiO2/Si тректі темплейтінде ZnSe, ZnSeO3, ZnS, ZnTe негізіндегі наносымдарды синтездеу және олардың құрылымдық, оптикалық және электрлік қасиеттерін зерттеу болды.

Методы исследования (на русском) : Методы исследования: сканирующая электронная микроскопия, рентгенофазовый анализ, вольт-амперные характеристики, фотолюминесценция.

Методы исследования (на казахском) : Зерттеу әдістері: сканерлеуші электронды микроскопия, рентгендік фазалық талдау, вольт-амперлік сипаттамалары, фотолюминесценция.

Obtained results and novelty (in Russian) : В результате исследований 2022-2024 годов были получены следующие результаты: 1) Синтезированы нанокристаллы селенида цинка (ZnSe) методом химического осаждения, показавшие увеличение кристаллитов и улучшение электропроводности после термообработки. 2) Проанализирована зонная структура ZnSe с помощью программы CRYSTAL, что подтвердило его потенциал для белых светодиодов. 3) Изучены нанокристаллы селенита цинка (ZnSeO3), которые при термообработке трансформируются в ZnSe и ZnO, улучшая свои оптические характеристики. 4) Впервые исследованы нанокристаллы сульфида цинка (ZnS), полученные электрохимическим осаждением, продемонстрировавшие полупроводниковые свойства. 5) Представлены результаты темплетного синтеза нанокристаллов теллурида цинка (ZnTe) с высоким уровнем заполнения нанопор, обладающих омической проводимостью, что открывает новые возможности для наноразмерных полупроводниковых устройств. За период 2022-2024 годов в рамках проекта опубликовано 14 работ, в том числе 2 статьи в журналах Web of Science и Scopus с кварителем Q2, 1 монография, 3 статьи в изданиях, рекомендованных уполномоченным органом Республики Казахстан, 1 статья в журналах, индексируемых в РИНЦ и 2 Патента на полезную модель РК. Кроме того, были представлены 5 тезисов на международных конференциях.

Obtained results and novelty (in Kazakh) : 2022-2024 жылдардағы зерттеулер нәтижесінде келесі нәтижелер алынды: 1) мырыш селенидінің нанокристалдары (ZnSe) химиялық тұндыру әдісімен синтезделді, бұл термиялық өңдеуден кейін кристаллиттердің жоғарылауын және электр өткізгіштігінің жақсаруын көрсетті. 2) Crystal бағдарламасы арқылы ZnSe аймақтық құрылымы талданды, бұл оның ақ жарық диодтары үшін әлеуетін растады. 3) мырыш селенидінің нанокристалдары (ZnSeO3) зерттелді, олар термиялық өңдеу кезінде Zns және ZnO-ға айналады, олардың оптикалық өнімділігін жақсартады. 4) алғаш рет жартылай өткізгіштік қасиеттерін көрсеткен электрохимиялық тұндыру нәтижесінде алынған мырыш сульфидінің (ZnS) монокристалдары зерттелді. 5) наноөлшемді жартылай өткізгіш құрылғылар үшін жаңа мүмкіндіктер ашатын омдық өткізгіштігі бар нанопораларды толтырудың жоғары деңгейі бар мырыш теллуридінің (ZnTe) нанокристалдарының жылдам синтезінің нәтижелері ұсынылған. 2022-2024 жылдар аралығында жобаның аясында 14 жұмыс жарияланды, соның ішінде Web of Science және Scopus журналдарында Q2 квартилімен 2 мақала, 1 монография, Қазақстан Республикасының уәкілетті органы ұсынған басылымдарда 3 мақала, 1 РҒДИ-де индекстелген журналдардағы мақала және ҚР 2 Патент алынды. Сонымен қатар, 5 тезис халықаралық конференцияларында жарияланды.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Проект "Особенности формирования полупроводниковых наноструктур в трековом темплэйте SiO₂/Si" фокусируется на разработке и исследовании полупроводниковых наноструктур, использующих трековые темплейты, что является актуальной областью в микроэлектронике и нанотехнологиях.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : "SiO2/Si трек темплейтінде жартылай өткізгіш наноқұрылымдардың қалыптасу ерекшеліктері" жобасы микроэлектроника мен нанотехнологияның өзекті саласы болып табылатын трек темплейттерін пайдаланатын жартылай өткізгіш наноқұрылымдарды әзірлеуге және зерттеуге бағытталған.

Level of implementation (in Russian) : Планируется внедрение

Level of implementation (in Kazakh) : Іске асыру жоспарланған

Efficiency (in Russian) : На основании апробации результатов, полученных в ходе патентования и публикации статей в высококвартильных журналах, можно сделать вывод о значительной востребованности результатов проведенного научного исследования.

Efficiency (in Kazakh) : Жоғары сапалы журналдарда мақалаларды жариялау және патенттеу кезінде алынған нәтижелерді апробвциялауға сүйене отырып, жүргізілген ғылыми зерттеулердің нәтижелері айтарлықтай сұранысқа ие деген қорытынды жасауға болады.

Field of application (in Russian) : Сфера использования: для сенсорных устройств и систем опто- и нанотехнологий. Полученные результаты создают перспективы для разработки и внедрения наноматериалов на основе соединений цинка в области оптоэлектроники, полупроводников и фотоники.

Field of application (in Kazakh) : Қолдану аясы: сенсорлық құрылғылар мен опто- және нанотехнологиялық жүйелерінде қолданылады. Алынған нәтижелер оптоэлектроника, жартылай өткізгіштер және фотоника саласындағы мырыш қосылыстары негізіндегі наноматериалдарды әзірлеу және енгізу перспективаларын тудырады.