The object of research, development or design (in Russian) : компьютерные модели полупроводниковых структур

The object of research, development or design (in Kazakh) : жартылай өткізгіш құрылымдардың компьютерлік модельдері

Aim of work (in Russian) : исследование процесса разрушения полупроводниковых структур при воздействии электромагнитных импульсов методами атомистического моделирования

Aim of work (in Kazakh) : атомдық модельдеудің әдістері арқылы электромагниттік импульстардың әсерінен жартылай өткізгіш құрылымдардың бұзылу процесін зерттеу

Методы исследования (на русском) : теория функционала плотности, метод Слейтера-Костера, метод неравновесных гриновских функций, метод молекулярной динамики

Методы исследования (на казахском) : тығыздық функционалы теориясы, Слейтер-Костер әдісі, тепе-теңсіз Грин функциялары әдісі, молекулярлық динамика әдісі

Obtained results and novelty (in Russian) : 1) На основе атомистического моделирования изучен процесс разрушения кремниевого электронно-дырочного перехода. Показана динамика возникновения дефектов в полупроводнике температурной деформацией. Установлено, что разрушения дефектной полупроводниковой структуры возникает в бездефектной части кристалла. Показано увеличение времени разрушения кремниевого электронно-дырочного перехода, легированные Li или Sr, за счет занятия ионов Li или Sr кремниевых вакансий; 2) Выявлено, что уязвимыми областями GaAs-перехода является места соединение полупроводниковой структуры к контактам. Показано, что в предразрушительном состоянии диод полностью теряет свои выпрямляющие свойства, а начало разрушения диода сопровождается существенным импульсивным повышением обратного тока, далее приводящий сильному перегреву и возникновению теплового пробоя; 3) Показано, что в начальном этапе разрушения электромагнитными импульсами квазидвумерных структур Шоттки возникают точечные дефекты и ряби с малой амплитудой. Выявлено, что в начальном этапе разрушения формируются межслоевые перемычки, замыкающие рабочих поверхностей диода, что приводит к существенному отклонению их электрических параметров от заданных.

Obtained results and novelty (in Kazakh) : 1) атомистік модельдеу негізінде кремнийлік электронды-кемтіктік ауысымның бұзылу процесі зерттелді. Жартылай өткізгіштегі ақаулардың пайда болу динамикасы температуралық деформациямен көрсетілді. Ақаулы жартылай өткізгіш құрылымының бұзылуы кристалдың ақаусыз бөлігінде пайда болатыны анықталды. Li немесе Sr атомдарымен легирленген кремний негізіндегі электронды-кемтіктік ауысымның бұзылу уақытының Li немесе Sr иондарының кремний бос орындарын басу есебінен ұлғаюы көрсетілді; 2) GaAs негізіндегі жартылай өткізгіш құрылымның контактілерге қосылу орны осал аймақтар болып табылатыны анықталды. Бұзылу алдындағы күйде диод өзінің түзету қасиеттерін толығымен жоғалтады, ал диодтың бұзылуының басталуы кері токтың айтарлықтай импульсивті жоғарылауымен бірге жүреді, содан кейін қатты қызып кетуге және жылу бұзылуының пайда болуына әкелетіндігі көрсетілді; 3) Шоттки квази-екі өлшемді құрылымдарының электромагниттік импульстары әсерінен бұзылуының бастапқы кезеңінде нүктелік ақаулар мен кіші амплитудалық толқындар пайда болатындығы көрсетілген. Бұзылудың бастапқы кезеңінде Шоттки диодының жұмыс беттерін жабатын қабаттар аралық көпіршелер пайда болатыны анықталды, бұл олардың электрлік параметрлерінің берілген мәнінен айтарлықтай ауытқуына әкелетіндігі анықталды.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : вольтамперная характеристика электронно-дырочного перехода, вольтамперная характеристика диода Шоттки, время разрушения полупроводниковых структур, температурная деформация полупроводниковых структур

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : электрон-кемтіктік ауысымның вольтамперлік сипаттамасы, Шоттки диодының вольтамперлік сипаттамасы, жартылай өткізгіш құрылымдардың бұзылу уақыты, жартылай өткізгіш құрылымдардың температуралық деформациясы

Level of implementation (in Russian) : полученные научные результаты опубликованы в рецензируемых изданиях, доложены на международных конференциях

Level of implementation (in Kazakh) : алынған ғылыми нәтижелер рецензияланатын басылымдарда жарияланды, халықаралық конференцияларда баяндалды

Efficiency (in Russian) : результаты атомистического моделирования могут быть применены при разработке методик испытаний полупроводниковых структур на стойкость к внешним воздействиям, при проведении работ, направленных на повышение надежности и устойчивости приборов

Efficiency (in Kazakh) : атомистік модельдеу нәтижелері жартылай өткізгіш құрылымдарды сыртқы әсерлерге төзімділікке сынау әдістерін әзірлеу кезінде, аспаптардың сенімділігі мен тұрақтылығын арттыруға бағытталған жұмыстарды жүргізу кезінде қолданылуы мүмкін

Field of application (in Russian) : полученные фундаментальные закономерности могут быть полезными для дальнейшего развития технологии создания стойких к воздействию электромагнитного импульса полупроводниковых компонентов электроники, могут быть применены для надежного прогнозирования уровня стойкости полупроводниковых структур к воздействию электромагнитного импульса

Field of application (in Kazakh) : алынған іргелі заңдылықтар электрмагниттік импульс әсеріне төзімді жартылай өткізгіш электроника компоненттерін жасау технологиясын одан әрі дамыту үшін пайдалы болуы мүмкін, жартылай өткізгіш құрылымдардың электрмагниттік импульсне әсеріне төзімділік деңгейін сенімді болжау үшін қолданылуы мүмкін