Inventory number | IRN | Number of state registration | ||
---|---|---|---|---|
0323РК01718 | AP14871479-KC-23 | 0122РК00281 | ||
Document type | Terms of distribution | Availability of implementation | ||
Краткие сведения | Gratis | Number of implementation: 0 Not implemented |
||
Publications | ||||
Native publications: 1 | ||||
International publications: 2 | Publications Web of science: 0 | Publications Scopus: 0 | ||
Patents | Amount of funding | Code of the program | ||
1 | 32964990 | AP14871479 | ||
Name of work | ||||
Темплэйтный синтез и экспериментально-теоретическое исследование нового типа гетероструктур для нано и оптоэлектронных применений | ||||
Type of work | Source of funding | Report authors | ||
Fundamental | Даулетбекова Алма Кабдиновна | |||
0
0
3
2
|
||||
Customer | МНВО РК | |||
Information on the executing organization | ||||
Short name of the ministry (establishment) | МНВО РК | |||
Full name of the service recipient | ||||
Некоммерческое акционерное общество "Евразийский Национальный университет имени Л.Н. Гумилева" | ||||
Abbreviated name of the service recipient | НАО "ЕНУ им.Л.Н.Гумилева" | |||
Abstract | ||||
наногетероструктуры ZnO-NW/SiO2/Si, SnO2-NW/SiO2/Si и SiO2/Si(n/p)/SiO2 с заполнением нанопор нанопроволоками ZnO-NW или SnO2-NW. ZnO-NW/SiO2/Si, SnO2-NW/SiO2/Si және SiO2/Si(n/p)/SiO2 наногетероқұрылымдары ZnO-NW немесе SnO2-NW наносымдарымен толтырылған. разработать малозатратный, контролируемый метод синтеза недопированных и допированных наногетероструктур ZnO-NW/SiO2/Si и SnO2-NW/SiO2/Si, с массивами p-n переходов, гетероструктуры SiO2/Si(n/p)/SiO2 с заполнением нанопор нанопроволоками ZnO-NW или SnO2-NW и массивами n-p-n переходов. Провести экспериментально-теоретический анализ свойств, для применения в нано- и оптоэлектронике. (NW - нанопроволока). p-n түйіспелерінің массивтері, SiO2/Si(n/p)/SiO2 допирленбеген және допирленген ZnO-NW/SiO2/Si және SnO2-NW/SiO2/Si наногетероқұрылымдарын ZnO-NW немесе SnO2-NW наносымдарымен және n-p-n түйіспелерінің массивтерімен толтырылған нанокеуектерін синтездеу үшін аз шығынды бақыланатын әдісті әзірлеу. Нано- және оптоэлектроникада қолдану үшін эксперименттік және теориялық қасиеттерінің талдауын жүргізу (NW - наносым). ЭХО, ХО, АСМ, СЭМ, рентгеноструктурный анализ, люминесцентная спектроскопия, ВАХ, термическая обработка ЭХТ, ХТ, AКM, СЭM, рентгендік құрылымдық талдау, люминесценция спектроскопиясы, вольт-амперлік сипаттамасы, термиялық өңдеу 1. Получены с помощью ХО и ЭХО образцы гетероструктур (ZnO -NW)/SiO2/Si с массивами p-n переходов Проведены СЭМ и АСМ исследования поверхности до и после ХО и ЭХО. 2. РСА исследованиями установлено, что ЭХО приводит к формированию структур содержащих нанопроволоки ZnO-NW со структурой цинковой обманки. 3. Зеленая (500 нм) ФЛ обусловлена кислородными вакансиями. Синяя (422 нм) ФЛ возникает при переходе электрона из зоны проводимости на глубокий уровень вакансии Zn. Вольтамперная характеристика носит диодный характер, что свидетельствует о формировании p-n перехода 4. Впервые синтезированы ХО SnO2 NW с примесью цинка. 5. На основании проведенных квантово-химических расчетов предположили, что наличие допантов существенно влияет на зонную структуру SnO2 NW 1. ХТ және ЭХТ көмегімен p-n түйісу массивтері бар гетероқұрылымдардың (ZnO-NW)/SiO2/Si үлгілері дайындалды. СЭM және AКM-мен ХТ және ЭХТ алдында және кейін беттік зерттеулері жүргізілді. 2. РҚТ зерттеулері ЭХТ мырыш қоспасының құрылымы ZnO-NW наносымдары бар құрылымдардың пайда болуына әкелетінін анықтады. 3. Жасыл (500 нм) ФЛ оттегінің вакансиясына байланысты. Көк (422 нм) ФЛ электрон өткізгіштік аймағынан Zn вакансиясының терең деңгейіне өткенде пайда болады. Вольт-амперлік сипаттамасы диодтық болып табылады, ол p-n өткелінің пайда болуын көрсетеді. 4. Алғаш рет мырыш қоспасы бар SnO2 NW ХТ синтезделді. 5. Кванттық химиялық есептеулерге сүйене отырып, допанттардың болуы SnO2 NW зоналық құрылымына айтарлықтай әсер етеді деп ұйғарылды. Сравнение экспериментальных и теоретических данных показали хорошую точность примененных методов. Анализ экспериментальных данных показал хорошую точность использованных методов. Негізгі сындарлы және техникалық-экономикалық көрсеткіштер. Эксперименттік және теориялық мәліметтерді салыстыру қолданылған әдістердің дәлдігін көрсетті. Эксперименттік мәліметтерді талдау қолданылған әдістердің дәлдігін көрсетті. Полученные в ходе выполнения Проекта результаты внедряются при чтении спецкурсов у докторантов, таких как «Ионно-лучевая модификация материалов» Жобаны орындау барысында алынған нәтижелер докторанттарға арнайы курстарды оқуда жаңалышылдық енгізеді, атап айтсақ «Материалдардың ионды-сәулелік модификациясы». Апробация результатов на научных конференциях и журналах свидетельствует о востребованности полученных результатов. Сравнительный анализ полученных результатов и данных из литературных источников свидетельствует о востребованности полученных результатов, особенно при создании новых типов наногетероструктур. Халықаралық конференцияларда нәтижелерді жариялау алынған нәтижелердің сұранысқа ие екенін көрсетед. Әдебиеттен алынған нәтижелер мен деректердің салыстырмалы талдауы алынған нәтижелердің, әсіресе, наногетероқұрылымдардың жаңа түрлерін жасаудағы өзектілігін көрсетеді. при разработке новых поколений приборов опто- и наноэлектроники опто- және наноэлектроника құрылғыларының жаңа буындарын жасауда қолданылады. |
||||
UDC indices | ||||
538.9 | ||||
International classifier codes | ||||
29.19.31; | ||||
Key words in Russian | ||||
темплэйтный синтез; трек; трековый темплэйт SiO2/Si; оксидные полупроводники; нанопроволоки; гетероструктура; | ||||
Key words in Kazakh | ||||
темплэйтті синтезі; трек; SiO2/Si тректі темплэйті; оксидті жартылай өткізгіштер; наносымдар; гетероқұрылым; | ||||
Head of the organization | Сыдыков Ерлан Батташевич | доктор исторических наук / Профессор | ||
Head of work | Даулетбекова Алма Кабдиновна | Кандидат физико-математических наук, PhD / профессор |