The object of research, development or design (in Russian) : Тонкие аморфные и кристаллические пленки состава Ge2Sb2Te5, модифицированные примесью N, (a-GST и c-GST), полученные магнетронным ВЧ со-распылением.

The object of research, development or design (in Kazakh) : Жоғары жиілікті магнетронды тозаңдату әдісімен алынған N қоспасымен модификацияланған құрамы Ge2Sb2Te5 аморфты және кристалды жұқа қабықшалары.

Aim of work (in Russian) : Получение методом магнетронного ВЧ со-распыления тонких аморфных модифицированных пленок a-GST и исследование их структуры, электронных свойств и трансформации структуры при отжиге и лазерном облучении.

Aim of work (in Kazakh) : Модификацияланған a-GST аморфты қабықшаларын жоғары жиілікті магнетронды тозаңдату әдісімен алу және құрылымын зерттеу, күйдіру мен лазерлік сәулелендіру әсерінен олардың электронды қасиеттері мен құрылымның трансформациясын бақылау.

Методы исследования (на русском) : В работе использовались энерго-дисперсионный анализ (EDX), Рамановская спектроскопия (in situ), методики исследования электрических и оптических свойств

Методы исследования (на казахском) : Жұмыста энергия-дисперсиялы анализ (EDX), (in situ) режимінде Раман спектроскопиясы, электрлік және оптикалық қасиеттерін зерттейтін әдістемелер қолданылды.

Obtained results and novelty (in Russian) : Отработана технология получения методом ВЧ магнетронного распыления аморфных пленок а-GST. Показано, что N приводит к существенному возрастанию температуры фазового перехода (ФП) пленок а-GST. Установлено, что при поэтапном отжиге пленок до 300 оС наблюдается ФП их структуры из аморфного состояния в промежуточное метастабильное кристаллическое с кубической структурой (fcc), а затем в стабильное кристаллическое с гексагональной структурой (hcp). Изучено влияние N на оптические и электрические свойства аморфных и кристаллических пленок GST. Показано, что в пленках наблюдается увеличение оптической зоны и уменьшение проводимости (σ). Наибольшие изменения этих параметров наблюдается при ≈3 ат.%, а зависимость σ~f(T) при всех исследуемых концентрациях N имеет экспоненциальной характер. Проведены исследования трансформации структуры in situ пленок а-GST под действием лазерного облучения (λ=633 нм). Установлено, что в зависимости от концентрации N, мощности лазерного облучения и его длительности в структуре пленок происходит ФП в состояния со структурами (fcc) и (hcp). Исследовано влияние N на параметры эффекта переключения и памяти в пленках а-Ge2Sb2Te5. Установлено, что пороговое напряжение Uth и время переключения tsw, управляются концентрацией модифицирующей примеси азота. Полученные результаты являются новыми. Установленные особенности ФП и эффекта памяти в пленках GST, управляемые концентрацией N, являются важными для практического применения.

Obtained results and novelty (in Kazakh) : Модификацияланған a-GST аморфты қабықшаларын ЖЖ магнетронды тозаңдату әдісімен алу технологиясы әзірленді. a-GST қабықшаларының кристализация температурасының (КТ) айтарлықтай жоғарылауына N әкелетіні көрсетілген. 300 °C-қа дейінгі қабықшаларды біртіндеп күйдіру кезінде олардың құрылымының аморфты күйден кубтық құрылымға (fcc) аралық метатұрақты кристалдық күйге, содан кейін гексагоналды құрылымды (hcp) тұрақты кристалдық күйге ауысуы анықталды. N-ның аморфты және кристалды GST қабықшаларының оптикалық және электрлік қасиеттеріне әсері зерттелді. Қабықшаларда оптикалық тыйым салынған аймақ артуы және өткізгіштігінің (σ) кемуі көрсетілген. Бұл параметрлердегі ең үлкен өзгерістер ≈3 at.% кезінде байқалады, ал N барлық зерттелген концентрацияларындағы σ~f(T) тәуелділігі экспоненциалды сипатқа ие. In situ режимінде лазерлік сәулелену (λ=633 нм) әсерінен a-GST қабықшалардың құрылымын түрлендіру бойынша зерттеулер жүргізілді. N концентрациясына, лазерлік сәулеленудің қуатына және оның ұзақтығына байланысты пленка құрылымында және құрылымдары бар күйге фазалық ауысу жүретіні анықталды. a-GST қабықшаларындағы ауысу және жады эффект параметрлеріне N әсері зерттелді. Шекті кернеу Uth және ауысу уақыты tsw модификациялаушы азот қоспасының концентрациясымен басқарылатыны анықталды. Алынған нәтижелер жаңа N концентрациясымен бақыланатын GST пленкаларындағы фазалық ауысудың және жады әсерінің белгіленген ерекшеліктері тәжірибелік қолдану үшін маңызды.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Модифицированные пленки GST получались с использованием магнетрона ONYX-3 фирмы AngstromSciences (USA), поликристаллической мишени фирмы AciAlloys (USA). Использование этого оборудование позволило получать пленки с аморфной структурой и с заданным составом использую малую мощность ВЧ генератора, до ~50 мВт.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : Модификацияланған GST аморфты қабыршақтары AciAlloys (USA) фирмасында өндірілген поликристалды нысанадан AngstromSciences (USA) фирмасында шығарылған ONYX-3 магнетронының көмегімен алынды. Бұл құрылғыларды пайдалану аморфты құрылымды және берілген құрамы бар пленкаларды ~50 мВт-қа дейінгі төмен қуатты ЖЖ генераторының көмегімен алуға мүмкіндік берді.

Level of implementation (in Russian) : Опубликована 1 (одна) статья в рецензируемом научном издании, входящий во 2 (второй) квартиль по импакт-фактору в базе Web of Science, 1 статья из перечня КОКСВНО, 1 тезис доклада на международной конференции

Level of implementation (in Kazakh) : Web of Science деректер базасында импакт-фактор бойынша 2 (екінші) квартильге енгізілген рецензияланған ғылыми басылымда 1 (бір) мақала, ҚРҒЖБМҒБСК тізімінен 1 мақала, халықаралық конференцияда баяндаманың 1 тезисі жарияланды.

Efficiency (in Russian) : Установлены перспективы применения тонких пленок GST для реализации записи информации оптическими и электрическими методами.

Efficiency (in Kazakh) : Оптикалық және электрлік әдістерді қолдана отырып, ақпаратты жазуды жүзеге асыру үшін GST жұқа пленкаларды пайдалану перспективалары белгіленді.

Field of application (in Russian) : Микро- и наноэлектроника. Регистрирующие среды и устройства на основе электрической и оптической записи информации.

Field of application (in Kazakh) : Микро- және наноэлектроника. Ақпаратты электрлік және оптикалық жазуға негізделген тіркеу және жазу құралдары мен құрылғылар.