The object of research, development or design (in Russian) : Компьютерные модели полупроводниковых структур

The object of research, development or design (in Kazakh) : Жартылай өткізгіш құрылымдардың компьютерлік модельдері

Aim of work (in Russian) : Целью проекта является исследование процесса разрушения полупроводниковых структур при воздействии электромагнитных импульсов методами атомистического моделирования.

Aim of work (in Kazakh) : Жобаның мақсаты – атомдық модельдеудің әдістері арқылы электромагниттік импульстардың әсерінен жартылай өткізгіш құрылымдардың бұзылу процесін зерттеу.

Методы исследования (на русском) : теория функционала электронной плотности, полуэмпирические квантово-химические методы (модель Слейтера-Костера, модель Хюккеля и т.п.)

Методы исследования (на казахском) : электрон тығыздығының функционалдық теориясы, жартылай эмпирикалық кванттық-химиялық әдістер (Слейтер-Костер моделі, Хюккель моделі және т. б.)

Obtained results and novelty (in Russian) : Определены электрические характеристики электронно-дырочного перехода при воздействии электромагнитного импульса. Анализированы влияния электромагнитного импульса на структуру электронно-дырочного перехода. Сопоставлены характеристики электронно-дырочного перехода до и после разрушения. Исследована динамика возникновения дефектов в полупроводнике температурной деформацией. Установлено, что разрушения дефектной полупроводниковой структуры возникает в бездефектной части кристалла.

Obtained results and novelty (in Kazakh) : Электромагниттік импульс әсері кезіндегі электронды-кемтіктік ауысымның электрлік сипаттамалары анықталды. Электромагниттік импульстің электронды-кемтіктік ауысымның құрылымына әсері талданады. Электронды-кемтіктік ауысымның бұзылуына дейінгі және одан кейінгі сипаттамалары салыстырылды. Температуралық деформация әсерінен жартылай өткізгіштегі ақаулардың пайда болу динамикасы зерттелді. Ақаулы жартылай өткізгіш құрылымның бұзылуы кристалдың ақаусыз бөлігінде пайда болатыны анықталды.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Полученные научные результаты в рамках данного проекта расширяют представления о физических процессах, протекающих в полупроводниковых структурах под влиянием электромагнитного импульса (ЭМИ), и могут быть полезным при разработке методик испытаний полупроводниковых структур на стойкость к внешним воздействиям ЭМИ, рекомендаций, направленных на повышение надежности и устойчивости полупроводниковых компонентов радиоэлектронного оборудования.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : Жоба шеңберінде алынған ғылыми нәтижелер электромагниттік импульстің (ЭМИ) әсерінен жартылай өткізгіш құрылымдарда болатын физикалық процестер туралы түсініктерді кеңейтеді және жартылай өткізгіш құрылымдардың ЭМИ сыртқы әсерлеріне төзімділікке сынау әдістемелерін, радиоэлектрондық жабдықтың жартылай өткізгіш компоненттерінің сенімділігі мен тұрақтылығын арттыруға бағытталған ұсынымдарды әзірлеу кезінде пайдалы болуы мүмкін.

Level of implementation (in Russian) : не внедрено

Level of implementation (in Kazakh) : енгізілген жоқ

Efficiency (in Russian) : Полученные результаты могут быть полезным при разработке рекомендаций, направленных на повышение надежности и устойчивости полупроводниковых компонентов.

Efficiency (in Kazakh) : Алынған нәтижелер жартылай өткізгіш құрылымдардың электромагниттік импульстің әсерлеріне жартылай өткізгіш компоненттерінің сенімділігі мен тұрақтылығын арттыруға бағытталған ұсынымдарды әзірлеу кезінде пайдалы болуы мүмкін.

Field of application (in Russian) : Полученные фундаментальные закономерности могут быть полезными для дальнейшего развития технологии создания стойких к воздействию электромагнитного импульса полупроводниковых компонентов электроники, могут быть применены для надежного прогнозирования уровня стойкости полупроводниковых структур к воздействию электромагнитного импульса.

Field of application (in Kazakh) : Алынған іргелі заңдылықтар электрмагниттік импульс әсеріне төзімді жартылай өткізгіш электроника компоненттерін жасау технологиясын одан әрі дамыту үшін пайдалы болуы мүмкін, жартылай өткізгіш құрылымдардың электрмагниттік импульсне әсеріне төзімділік деңгейін сенімді болжау үшін қолданылуы мүмкін.