The object of research, development or design (in Russian) : Электрон-дырочные селективные пассивирующие контакты на основе SiC, SnOх, TiOx, Ta2O5, ZnOx, MoOх.

The object of research, development or design (in Kazakh) : SiC, SnOx, TiOx, Ta2O5, ZnOx, MoOx негізіндегі электронды-тесік селективті пассивтендіру контактілері.

Aim of work (in Russian) : Формирование электрон-дырочных селективных пассивирующих контактов на основе широкозонных полупроводников SiC(n или p), SnOх, TiOx, Ta2O5, ZnOx и MoOх методом магнетронного распыления с промежуточным туннельным слоем SiOx и антиотражающим покрытием SiC:H(n или p)/MgF2.

Aim of work (in Kazakh) : Магнетронды шашырату арқылы SiC(n немесе p), SnOx, TiOx, Ta2O5, ZnOx, MoOx кең жолақты жартылай өткізгіштер негізінде электронды-тесік селективті пассивтеуші контактілерді SiOx аралық туннель қабат және шағылысуға қарсы SiC:H(n немесе p)/MgF2 жабынмен қалыптастыру.

Методы исследования (на русском) : В результате выполнения пунктов 2.1-2.4 календарного плана проведены работы по синтезу и исследованию тонких пленок SiC:H и MgF2. Синтез проводился физическими методами магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения. Исследование химического состава пленок проводилось методом ИК-спектроскопии. Оптические константы пленок получены на основе спектров пропускания и отражения, а также программного обеспечения SCOUT. Для расчета толщины, плотности и шероховатости пленок использовался методом рентгеновской рефлектометрии. Оптимизация антиотражающего покрытия проводилась на основе полученных комплексных показателей преломления и программного обеспечения OPAL2.

Методы исследования (на казахском) : Күнтізбелік жоспардың 2.1-2.4-тармақтарын орындау нәтижесінде SiC:H және MgF2 жұқа қабыршақтарын синтездеу және зерттеу жұмыстары жүргізілді. Синтез магнетронды шашырату және электронды сәулелік булану физикалық әдістерімен жүргізілді. Пленкалардың химиялық құрамын зерттеу ИҚ-спектроскопия әдісімен жүргізілді. Қабыршақтардың химиялық құрамын зерттеуі ИҚ-спектроскопия әдісімен жүргізілді. Қабыршақтардың оптикалық тұрақтылары өткізу және шағылысу спектрлерінен, сонымен қатар SCOUT бағдарламалық жасақтамасынан алынған. Қабыршақтардың қалыңдығын, тығыздығын және кедір-бұдырын есептеу үшін рентгендік рефлектометрия әдісі қолданылды. Шағылыстыруға қарсы жабынды оңтайландыру алынған кешенді сыну көрсеткіштері мен OPAL2 бағдарламалық жасақтамасы негізінде жүргізілді.

Obtained results and novelty (in Russian) : Показано, что методом реактивного магнетронного распыления и последующего термического отжига возможно получить качественные пассивирующие покрытия без использования токсичных газов. Выявлено, что наибольшее время жизни неосновных носителей заряда 60,8 мкс возможно получить при наибольшей мощности распыления 250 Вт. Показано, что водород играет важную роль в пассивации поверхности. Более того, добавление водорода в процесс распыления позволяет значительно ускорить процесс осаждения, однако плотность пленок при этом снижается на ~30%. Методом компьютерного моделирования показано, что для двухслойного антиотражающего покрытия SiC/MgF2 толщина нижнего слоя SiC должна варьироваться в пределах 40-60 нм в зависимости от параметров осаждения, а толщина MgF2 в пределах 90-130 нм.

Obtained results and novelty (in Kazakh) : Реактивті магнетронды шашырату және одан кейінгі термиялық күйдіру арқылы улы газдарды қолданбай сапалы пассивті жабындарды алуға болатындығы көрсетілген. Миноритарлық заряд тасымалдаушылардың ең ұзақ 60,8 мкс өмір сүру уақытын ең жоғары 250 Вт магнетронды шашырату қуатымен алуға болатындығы анықталды. Сутегі беттің пассивациясында маңызды рөл атқаратыны көрсетілген. Сонымен қатар, магнетронды шашырату процесіне сутектің қосылуы тұндыру процесін едәуір жылдамдатуға мүмкіндік береді, алайда қабыршақтардың тығыздығы ~30% - ға төмендейді. Компьютерлік модельдеу әдісі арқылы SiC/MgF2 екі қабатты шағылыстыруға қарсы жабын үшін SiC төменгі қабатының қалыңдығы тұндыру параметрлеріне байланысты 40-60 нм аралығында, ал MgF2 қалыңдығы 90-130 нм аралығында болуы керек екенін көрсетілді.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Показано, что методом магнетронного распыления возможно получить пассивирующие слои без использования дорогостоящих токсичных газов, которые требуют особых условий хранения и дополнительной инфраструктуры очистки. Подтверждено, что компьютерное моделирование позволяет значительно снизить объем экспериментальных работ благодаря предварительной оптимизации на основе имеющихся физических параметров.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : Магнетронды шашырату арқылы арнайы сақтау шарттары мен қосымша тазарту инфрақұрылымын қажет ететін қымбат улы газдарды пайдаланбай пассивті қабаттарды алуға болатындығы көрсетілген. Компьютерлік модельдеу қол жетімді физикалық параметрлерге негізделген алдын-ала оңтайландырудың арқасында эксперименттік жұмыстардың көлемін едәуір төмендетуге мүмкіндік беретіні расталды.

Level of implementation (in Russian) : В результате исполнения проекта были оптимизированы параметры осаждения пассивирующих слоев на основе карбида кремния методом магнетронного осаждения. Более того, методом компьютерной симуляции показано и впоследствии опытным путем подтверждено, что антиотражающие покрытия SiC/MgF2 позволяют значительно снизить отражение света даже для полированных пластин. Поэтому полученные результаты планируется внедрить в технологические процессы производства кремниевых солнечных элементов ЛАЭиН.

Level of implementation (in Kazakh) : Жобаны орындау нәтижесінде магнетронды шашырату әдісімен кремний карбиді негізіндегі пассивті қабаттардың тұндыру параметрлері оңтайландырылды. Сонымен қатар, компьютерлік модельдеу әдісі SiC/MgF2 шағылыстыруға қарсы жабындары тіпті жылтыратылған пластиналар үшін де жарықтың шағылысуын айтарлықтай төмендететінін көрсетеді және кейіннен тәжірибелік түрде растайды. Сондықтан алынған нәтижелерді ЛАЭиН кремний күн батареяларын өндірудің технологиялық процестеріне енгізу жоспарлануда.

Efficiency (in Russian) : Предложенные антиотражающие и пассивирующие покрытия на основе карбида кремния и фторида магния показали высокую эффективность. Это особенно важно, если учесть, что для их синтеза не были использованы токсичные газы, а только PVD методы магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения.

Efficiency (in Kazakh) : Ұсынылған кремний карбиді мен магний фторидіне негізделген шағылыстыруға қарсы және пассивті жабындар жоғары тиімділікті көрсетті. Бұл, әсіресе, оларды синтездеу үшін улы газдар қолданылмағанын, тек PVD магнетронды шашырату және электронды сәулелік булану әдістері.

Field of application (in Russian) : Наноэлектроника, Солнечные элементы

Field of application (in Kazakh) : Наноэлектроника, Күн батареялары