The object of research, development or design (in Russian) : Тонкие пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников Ge2Sb2Te5

The object of research, development or design (in Kazakh) : Ge2Sb2Te5 халькогенидті шыны тәрізді жартылай өткізгіштердің жұқа қабықшалары

Aim of work (in Russian) : Цель проекта разработать технологию изготовления устройств энергонезависимой памяти типа PCRAМ на основе халькогенидного стеклообразного полупроводника Ge2Sb2Te5 посредством выявление зависимостей параметров эффекта переключения в этих материалах от локальной структуры и внешних воздействий, используя компьютерное моделирования в средах DFT и AIMD, а также реализация модели технологически посредством эпитаксиального роста.

Aim of work (in Kazakh) : Жобаның мақсаты - осы материалдардағы коммутациялық әсердің параметрлерінің жергілікті құрылымға және сыртқы әсерлерге тәуелділігін анықтау арқылы халькогенидті шыны тәрізді жартылай өткізгіш Ge2Sb2Te5 негізінде PCRAM типті тұрақты жады құрылғыларын өндіру технологиясын әзірлеу, DFT және AIMD орталарында компьютерлік модельдеуді қолдану, сонымен қатар эпитаксиалды өсу арқылы модельді технологиялық жүзеге асыру.

Методы исследования (на русском) : Просвечивающая электронная микроскопия, сканирующая электронная микроскопия, атомно-силовая микроскопия, Рамановская спектроскопия

Методы исследования (на казахском) : Трансмиссиялық электронды микроскопия, сканерлеуші ​​электрондық микроскопия, атомдық күштік микроскопия, Раман спектроскопиясы

Obtained results and novelty (in Russian) : Определены параметры импульсного лазерного осаждения, обеспечивающие рост эпитаксиальных слоев Ge2Sb2Te5

Obtained results and novelty (in Kazakh) : Ge2Sb2Te5 эпитаксиалды қабаттарының өсуін қамтамасыз ететін импульстік лазерлік тұндыру параметрлері анықталды.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Эксимерный KrF-лазер с длиной волны 248 нм с длительностью импульса 20 нс. Энергия импульса составляла 160 мДж. Плотность энергии 0,5-1 Дж/см2. Частота следования импульсов варьировалась от 1 до 100 Гц.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : Толқын ұзындығы 248 нм және импульстік ұзақтығы 20 нс эксимер KrF лазері. Импульстің энергиясы 160 мДж болды. Энергия тығыздығы 0,5-1 Дж/см2. Импульстің қайталану жиілігі 1-ден 100 Гц-ке дейін өзгерді.

Level of implementation (in Russian) : не внедрено

Level of implementation (in Kazakh) : еңгізілмеген

Efficiency (in Russian) : высокая

Efficiency (in Kazakh) : жоғары

Field of application (in Russian) : наноэлектроника

Field of application (in Kazakh) : наноэлектроника