The object of research, development or design (in Russian) : Моноклинная оксид галлия осажденные на подложки кремния и сапфира с ориентацией (0001)

The object of research, development or design (in Kazakh) : Кремний және (0001) бағдарлы сапфир субстраттарында тұндырылған моноклинді галлий оксиді

Aim of work (in Russian) : Научная цель настоящего проекта заключается в экспериментальном исследовании структурно-фазового состояния, оптических и электрических свойств и радиационной стойкости тонких пленок оксида галлия, осажденных методом магнетронного распыления.

Aim of work (in Kazakh) : Бұл жобаның ғылыми мақсаты магнетронды шашырату арқылы тұндырылған жұқа галлий оксиді қабықшаларының құрылымдық-фазалық күйін, оптикалық және электрлік қасиеттерін және сәулеленуге төзімділігін эксперименталды түрде зерттеу болып табылады.

Методы исследования (на русском) : Осажденные тонкие пленки оксида галлия (β-Ga2O3) были получены методом высокочастотного магнетронного распыления. В данном этапе работы осажденные тонкие пленки оксида галлия были подвергнуты к короткоимпульсному ионному воздействию при дозах в 200 кэВ.

Методы исследования (на казахском) : Галий оксидінің (β-Ga2O3) тұндырылған жұқа қабықшалары жоғары жиілікті магнетронды шашырату арқылы алынды. Жұмыстың осы кезеңінде галлий оксидінің тұндырылған жұқа қабықшалары 200 кВ дозада қысқа импульстік иондық сәулеленуге ұшырады.

Obtained results and novelty (in Russian) : На данном этапе проекта получены тонкие пленки оксида галлия метод ВЧ-магнетронного распыления, а также исследованы его основные физические свойства. Помимо этого, были облучены осажденные тонкие пленки короткоимпульсным ионным облучением при дозах 200 кэВ для проведения дальнейших исследований. Новизной Проекта является комплексное исследование влияния радиационного воздействия ускоренными ионами различных элементов с различным флюенсом и широким диапазоном энергий ионов на свойства и структуру синтезированных методом магнетронного распыления тонких плёнок оксида галлия.

Obtained results and novelty (in Kazakh) : Жобаның осы кезеңінде жоғары жиілікті магнитронды шашырату арқылы галлий оксидінің жұқа қабықшалары алынды және оның негізгі физикалық қасиеттері зерттелінді. Бұдан басқа, тұндырылған жұқа қабықшалар кейінгі зерттеулер үшін 200 кВ дозада қысқа импульстік иондық сәулемен сәулелендірілді. Жобаның жаңалығы – магнитронды шашырату арқылы синтезделген галлий оксидінің жұқа қабықшаларының қасиеттері мен құрылымына әртүрлі флюенстегі және кең ауқымды иондық энергиясы бар әртүрлі элементтердің жеделдетілген иондарының сәулелену әсерін кешенді зерттеу болып табылады.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Высокая точность и надежность используемых методов.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : Қолданылатын әдістердің жоғары дәлдігі мен сенімділігі.

Level of implementation (in Russian) : Внедрение не предполагается

Level of implementation (in Kazakh) : Іске асыру күтілмейді

Efficiency (in Russian) : Метод высокочастотного магнетронного распыления, отличающийся простотой технологического процесса и высокой производительностью от других методов получения тонких пленок оксида галлия, является одним из наиболее перспективных методов для синтеза тонкоплёночных структур на основе оксида галлия и развития широкого класса электроники на их основе.

Efficiency (in Kazakh) : Технологиялық процестің қарапайымдылығымен және галлий оксидінің жұқа қабықшаларын алудың басқа әдістерінен жоғары өнімділігімен ерекшеленетін жоғары жиілікті магнетронды шашырату әдісі галлий оксидінің негізінде жұқа қабықшалы құрылымдарды синтездеудің ең перспективалы әдістерінің бірі болып табылады және олардың негізінде электрониканың кең класының дамуы болады.

Field of application (in Russian) : Результаты исследований могут быть использованы в фундаментальных и коммерческих исследованиях в области изготовления приборов нового поколения оптоэлектроники, авионики и электроники космических аппаратов.

Field of application (in Kazakh) : Зерттеу нәтижелері оптоэлектроника, авионика және ғарыш аппараттарының электроникасының жаңа буынын құрылғыларын жасау саласындағы іргелі және коммерциялық зерттеулерде пайдаланылуы мүмкіндік береді.