The object of research, development or design (in Russian) : Объектами исследования являются сульфаты щелочных и щелочноземельных металлов активированные примесями Mn, Cu, Te, NO_3^-

The object of research, development or design (in Kazakh) : Сілтілі және сілтіліжер металдары сульфаттары және Mn, Cu, Te, NO_3^- қоспаларымен қоспаланған сульфаттар зерттеу объектілері болып табылады.

Aim of work (in Russian) : Целью работы является определение экситонных и электронно-дырочных процессов, приводящих к собственной рекомбинационной люминесценции. На основе измерения спектров возбуждения собственной люминсценции бли идентифицированы электронные переходы из трех подзон валентной зоны в зону проводимости; изучение закономерностей создания и стабилизации электронно-дырочных центров захвата в сульфатах щелочных и щелочноземельных металлов.

Aim of work (in Kazakh) : Меншікті рекомбинациялық люминесценция тудыратын экситондық және электронды-кемтікті процестерді ажырату (анықтау). Меншікті люминесценцияның қоздыру спектрлерін өлшеу арқылы валентті аймақтың үш қабатшасынан өткізгіш аймаққа электрондық өтулер айқындалды;

Методы исследования (на русском) : синтез кристаллов K2SO4, Na2SO4, Li2SO4, CaSO4, BaSO4, LiKSO4; измерение спектров возбуждения, измерение спектров отражения, проведение, измерение ТСЛ, РД, методы ВУФ спектроскопии вышеназванных объектов.

Методы исследования (на казахском) : K2SO4, Na2SO4, Li2SO4, CaSO4, BaSO4, LiKSO4 кристалдарын синтездеу; қоздыру спектрлерін өлшеу, шағылу спектрлерін өлшеу, рентгеноқұрылымдық талдау жасау; термоынталандырылған люмиесценция, рентгенолюминесценция өлшеу, жоғарыда аталған объектілердің вакуумды-ультракүлгін спекроскопиясы.

Obtained results and novelty (in Russian) : На основе измерения спектров возбуждения и создания собственной рекомбинационной люминесценции кристаллов K2SO4, Na2SO4, Li2SO4, LiKSO4, CaSO4 и BaSO4 впервые изучены электронные переходы, соответстующие группам основных полос излучения: - низкоэнергетические переходы полос излучения при 3,64 эВ, 3,7 – 3,8 эВ проявляются в результате возбуждения фотонами с энергией 6,2 – 5,1эВ при переходе электронов с орбитали 1f, валентной зоны в S орбитали катиона в зоны проводимости; при уменьшении энергии возбуждающего фотона до 5,1 эВ прекращается создание электронно-дырочных пар, что является новой фундаментальной границей запрещенной зоны для вышеуказанных объектов исследования. - полосы излучения при 3,64 эВ, 3,7 – 3,8 эВ и 4,1 – 4,3 эВ появляются при переходе электронов из второй подзоны с 1t2, 3t2, 1e орбиталей валентной зоны в зону проводимости при энергии фотона 7,3 – 8,0 эВ. - группы полос излучения возникают при рекомбинации электронов из зоны проводимости с неэквивалентно росположенными дырками в разных расстояниях под потолком валентной зоны. - в облученных беспримесных и активированных сульфатах щелочных и щелочноземельных металлов электронно-дырочные центры захвата создаются при захвате электронов анионными комплексами и примесями и при локализации дырки в виде радикалов SO_4^-

Obtained results and novelty (in Kazakh) : Алғаш рет, K2SO4, Na2SO4, Li2SO4, LiKSO4, CaSO4 және BaSO4 кристалдарының қоздыру спектрлерін өлшеу және меншікті рекомбинациялық люминесценциясын құру негізінде негізгі сәулелену жолақтарының топтарына сәйкес электрондық ауысулар алғаш рет зерттелді: - 3,64 эВ, 3,7 – 3,8 эВ эмиссиялық жолақтардың төмен энергетикалық ауысулары электрондардың 1f орбитальдан, валенттік зонаның S орбиталынан ауысуы кезінде энергиясы 6,2 – 5,1 эВ фотондардың қоздыру нәтижесінде пайда болады. өткізгіштік жолақтарға катион; қоздырғыш фотонның энергиясы 5,1 эВ-қа дейін азайған кезде электронды-кемтіктік жұптарының құрылуы тоқтайды, бұл жоғарыда аталған зерттеу объектілері үшін жолақ тыйым салынған зонаның жаңа іргелі шекарасы болып табылады. - 3,64 эВ, 3,7 – 3,8 эВ және 4,1 – 4,3 эВ сәулелену жолақтары электрондардың валенттік зонаның 1t2, 3t2, 1e орбитальдарынан екінші ішкі жолағының фотон энергиясы 7,3 – 8,0 эВ кезінде өткізгіштік аймағына ауысуы кезінде пайда болады. . - эмиссиялық жолақтардың топтары өткізгіштік зонасындағы электрондар валенттілік зонасының жоғарғы жағында әртүрлі қашықтықта орналасқан біркелкі емес кемтікпен рекомбинациясы кезінде пайда болады. - сәулеленген қоспасыз және активтендірілген сілтілі және сілтілі жер металдарының сульфаттарында электронды-кемтікті қармау орталықтары электрондарды аниондық кешендермен және қоспалармен қармау кезінде және кемтіктің SO_4^- радикалы түрінде оқшаулау кезінде құрылады.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Знание технологических процессов передачи энергии от матрицы к излучателям через электронно-дырочные центры захвата должны улучшать эффективность передачи энергии и квантовый выход люменсценции.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : Электрондық кемтіктік қармау орталықтары арқылы энергияны матрицадан эмитерлерге берудің технологиялық процестерін білу энергияны беру тиімділігін және люминесценцияның кванттық шығуын арттыруы керек.

Level of implementation (in Russian) :

Level of implementation (in Kazakh) :

Efficiency (in Russian) :

Efficiency (in Kazakh) :

Field of application (in Russian) : В различных источниках, как люминофоры, лазеры и чипы возникновение видимого и ультрафиолетового излучения осуществляются в результате передачи энергии от матрицы к излучателям, т.е. примесям.

Field of application (in Kazakh) : Фосфорлар, лазерлер және чиптер сияқты әртүрлі көздерде көрінетін және ультракүлгін сәулелену қондырғылардарда энергияның матрицадан эмитетірге ауысуы нәтижесінде пайда болады, яғни. Қоспалар.