Inventory number IRN Number of state registration
0323РК00609 AP14972733-KC-23 0122РК00317
Document type Terms of distribution Availability of implementation
Краткие сведения Gratis Number of implementation: 0
Not implemented
Publications
Native publications: 0
International publications: 2 Publications Web of science: 1 Publications Scopus: 1
Patents Amount of funding Code of the program
0 8000000 AP14972733
Name of work
Разработка физико-технологических процессов создания светоизлучающих и фотоприёмных приборов, а также систем энергонезависимой резистивной памяти на кремнии
Type of work Source of funding Report authors
Fundamental Альжанова Алия Ермековна
0
0
0
0
Customer МНВО РК
Information on the executing organization
Short name of the ministry (establishment) МНВО РК
Full name of the service recipient
Некоммерческое акционерное общество "Евразийский Национальный университет имени Л.Н. Гумилева"
Abbreviated name of the service recipient НАО "ЕНУ им.Л.Н.Гумилева"
Abstract

Тонкие пленки оксида, нитрида и оксинитрида кремния

Кремний оксиді, нитрид және оксинитридтің жұқа қабықшалары

Разработать и исследовать физико-технологические режимы формирования светоизлучающих приборов, приборных структур с мемристорной памятью на основе тонких пленок оксида, нитрида и оксинитрида кремния, а также фотоприемных структур видимого и ближнего ИК-диапазонов на кремнии, гипердопированном атомами селена или теллура.

Жарық шығаратын аспаптардың, кремний оксидінің, нитридінің және оксинитридінің жұқа қабықшалары негізінде мемристорлық жады бар аспаптық құрылымдардың, сондай-ақ селен немесе теллур атомдарымен гипердопирленген кремнийдегі көрінетін және жақын ИҚ-диапазондарының фотоқабылдағыш құрылымдарының қалыптасуының физика-технологиялық режимдерін әзірлеу және зерттеу.

Исследования проводятся в лаборатории инженерного профиля (ЕНУ имени Л.Н. Гумилева), Национальной Нанотехнологической Лаборатории Открытого Типа (ННЛОТ) (КазНУ имени аль-Фараби) и в лаборатории элионики Института прикладных физических проблем (БГУ, г. Минск, Беларусь). Основополагающим является сотрудничество с НИИ Прикладных физических проблем им. А. Севченко Белорусского государственного университета. На базе Национальной Нанотехнологической Лаборатории Открытого Типа (КазНУ имени аль-Фараби) проводилось измерение спектров комбинационного рассеяния, фотолюминесценции и XRD экспериментальных образцов до и после изменения среды (отжига). На базе Института прикладных физических проблем (БГУ, г. Минск, Беларусь) были проведены разработка математической модели и выполнено моделирование процессов захвата внедренных атомов Se и Te в узлы решетки Si и сегрегации их в условиях импульсных термообработок с расплавлением и без расплавления легированного слоя.

Зерттеулер инженерлік зертханада (Л.Н. Гумилев атындағы ЕҰУ), Ашық үлгідегі ұлттық нанотехнологиялық зертханада (ҰНЛОТ) (әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті) және Қолданбалы физикалық мәселелер институтының Элионика зертханасында жүргізіледі. (БМУ, Минск, Беларусь). атындағы Қолданбалы физикалық мәселелер ғылыми-зерттеу институтымен ынтымақтасу негізі болып табылады. А.Севченко атындағы Беларусь мемлекеттік университеті. Ұлттық ашық типті нанотехнологиялар зертханасының (әл-Фараби атындағы ҚазҰУ) базасында қоршаған ортаны өзгерткенге дейін және кейін (жандандыру) эксперименттік үлгілердің Раман спектрлері, фотолюминесценциясын мен XRD өлшеу жүргізілді. Қолданбалы физикалық есептер институтының негізінде (БМУ, Минск, Беларусь) математикалық моделі әзірленді және енгізілген Se және Te атомдарын Si торларының учаскелеріне түсіру және оларды импульстік термиялық өңдеу жағдайында және онсыз сегрегациялау процестері жасалды. легирленген қабаттың балқуы имитацияланды.

К основным результатам на текущий момент можно отнести: 1. Разработана физико-математическая модель и получены результаты моделирования процесса диффузионного перераспределения имплантированных атомов Se и Te в условиях секундной, микро- и наносекундной термообработки. Данные исследования проводились при параллельном анализе реальных экспериментальных данных полученных при проведении измерений. Все результаты по этой работе опубликованы в журнале прикладной спектроскопии (РИНЦ). 2. Получены результаты моделирования процессов захвата внедренных атомов Se и Te в узлы решетки Si и сегрегации их в условиях выбранных импульсных термообработок с расплавлением и без расплавления легированного слоя. Данные исследования проводились на основе экспериментальных исследований над образцами с имплантированными атомами Se и Te в том числе при смене среды (отжиг). 3. Опубликована 1 (одна) статья в журнале Applied Surface Science (базы данных Web of Science, Q1).

Бүгінгі таңдағы негізгі нәтижелерге мыналар жатады:1. Физика-математикалық модель әзірленді және екінші, микро- және наносекундтық термиялық өңдеу жағдайында имплантацияланған Se және Te атомдарының диффузиялық қайта бөлу процесін модельдеу нәтижелері алынды. Бұл зерттеулер өлшеулер кезінде алынған нақты эксперименттік мәліметтерді параллельді талдау арқылы жүргізілді. Бұл жұмыстың барлық нәтижелері Қолданбалы спектроскопия журналында (RSCI) жарияланды. 2. Енгізілген Se және Te атомдарын Si торларының учаскелеріне түсіру және легирленген қабаттың балқымасы бар және балқытпай таңдалған импульстік термиялық өңдеулер жағдайында оларды сегрегациялау процестерін модельдеу нәтижелері алынды. Бұл зерттеулер имплантацияланған Se және Te атомдары бар үлгілерде, соның ішінде қоршаған ортаны өзгерту кезінде (жандандыру) эксперименталды зерттеулер негізінде жүргізілді. 3. Бір (1) мақала Applied Surface Science (Web of Science базасында, Q1) журналында жарияланған.

Проект имеет выраженный социальный и экономический эффект – проект направлен на разработку новых применений кремния и основных диэлектриков на его основе (нитрида и оксида кремния) для изготовления светоизлучающих и фотоприемных структур УФ-видимого и ближнего ИК-диапазонов (до 3 мкм) длин волн и элементов памяти нового поколения на принципах резистивного переключения. Экономический эффект: предлагаемые разработки на основе проведенного по проекту фундаментального исследования в перспективе позволят предложить альтернативные активные элементы для нового класса оптоэлектронных приборов на кремнии и по кремниевой технологии. Социальный эффект: исследование выполняется на основе результатов PhD диссертационных исследований Альжановой А.Е., опыта работ лаборатории элионики Института прикладных физических проблем имени А.Н.Севченко Белорусского госуниверситета в области кремниевой фотоники, возглавляемой профессором Комаровым Ф.Ф. (научный консультант в проекте) выполняются комплексные исследования по разработке оригинальных физико-технологических процессов изготовления нового класса оптоэлектронных приборов на кремнии и по кремниевой технологии. Таким образом, проект способствует усилению международных научных связей

Жоба Айқын Әлеуметтік және экономикалық әсерге ие-жоба резистивті коммутация принциптері бойынша ультракүлгін көрінетін және жақын ИҚ диапазондарының (3 мкм-ге дейін) жарық шығаратын және фотоқабылдағыш құрылымдарын жасау үшін кремнийдің және оның негізіндегі негізгі диэлектриктердің (нитрид пен кремний оксиді) жаңа қолданыстарын әзірлеуге бағытталған. Экономикалық әсер: жоба бойынша жүргізілген іргелі зерттеулер негізінде ұсынылған әзірлемелер болашақта кремнийде және кремний технологиясында оптоэлектрондық аспаптардың жаңа класы үшін балама белсенді элементтерді ұсынуға мүмкіндік береді. Әлеуметтік әсер: зерттеу PhD диссертациялық зерттеулерінің нәтижелері, А.Е. Алжанова, Беларуссия мемлекеттік университетінің а. н. Севченко атындағы қолданбалы физикалық проблемалар институтының элионика зертханасының профессор Ф. Ф. Комаров басқаратын кремний фотоникасы саласындағы жұмыс тәжірибесі негізінде жүзеге асырылады. (жобадағы ғылыми кеңесші) оптоэлектрондардың жаңа класын дайындаудың өзіндік физика-технологиялық процестерін әзірлеу бойынша кешенді зерттеулер жүргізілуде. кремнийдегі және кремний технологиясы бойынша аспаптар. Осылайша, жоба Халықаралық ғылыми байланыстарды нығайтуға ықпал етеді.

не внедрено

енгізілген жоқ

нет внедрения, т.к. исследование фундаментальное, соответственно эффективность не может учитываться

іске асыру жоқ, өйткені зерттеу іргелі болып табылады, тиісінше тиімділікті ескеру мүмкін емес

Создание эффективного источника света на основе кремния позволит обеспечить выпуск значительно более дешевых светоизлучающих устройств (светодиодов, плоских полноцветных дисплеев и т.д.), а также заменить металлические межсоединения в интегральных схемах на оптическую межэлементную коммутацию.

Кремний негізінде тиімді жарық көзін құру айтарлықтай арзан жарық шығаратын құрылғылардың (жарықдиодты, жалпақ түсті дисплейлер және т.б.) шығарылуын қамтамасыз етеді, сондай-ақ интегралды схемалардағы металл өзара байланыстарды оптикалық жасушааралық коммутациямен алмастырады.

UDC indices
29.19.22; 38.39.15; 59.35.33
International classifier codes
29.19.22; 38.39.15; 59.35.33;
Key words in Russian
нанотехнологии; наноматериал; светоизлучающий прибор; диоксид кремния; мемристорная память;
Key words in Kazakh
нанотехнология; наноматериал; жарық шығаратын құрылғы; кремний диоксиді; мемристорлық жады;
Head of the organization Сыдыков Ерлан Батташевич доктор исторических наук / Профессор
Head of work Альжанова Алия Ермековна Доктор философии (PhD) по физике / И.о. ассоциированного профессора