Inventory number IRN Number of state registration
0323РК00603 AP19174589-KC-23 0123РК00086
Document type Terms of distribution Availability of implementation
Краткие сведения Gratis Number of implementation: 0
Not implemented
Publications
Native publications: 0
International publications: 0 Publications Web of science: 0 Publications Scopus: 0
Patents Amount of funding Code of the program
0 7992779 AP19174589
Name of work
Влияние дефектов на атомные и электронные свойства дихалькогенидов переходных металлов на основе платины
Type of work Source of funding Report authors
Fundamental Жусупбеков Куаныш
0
0
0
0
Customer МНВО РК
Information on the executing organization
Short name of the ministry (establishment) МНВО РК
Full name of the service recipient
НАО "Атырауский университет имени Халела Досмухамедова"
Abbreviated name of the service recipient НАО "Атырауский университет имени Х.Досмухамедова"
Abstract

Влияние дефектов на атомные и электронные свойства дихалькогенидов переходных металлов на основе платины

Платина негізіндегі дихалкогенидті өтпелі металдардың атомдық және электрондық қасиеттеріне ақаулардың әсері

Изучить атомною и электронную структуру ДПМ

ДПМ атомдық және электрондық құрылымын оқу

Экспериментальным методом исследования, точнее с помощью СТМ и СТС

Экспериментальдық әдістемені пайдалану СTM және СТС

На данный момент получены результаты атомной структуры ДПМ на основе Pt с помощью СТМ с пикометровым разрешением при температуре 77 K согласно ожидаемому результату календарного плана договора. Кроме того, с помощью СТМ были атомарно разрешены края ступеней PtSe2. Так же получены результаты электроных свойств ДПМ на основе Pt с помощью СТС с разрешением в миллиэВ при температуре 77 K согласно ожидаемому результату календарного плана договора. Кроме того, были обнаружены краевые состояния на ступенях PtSe2.

Қазіргі уақытта келісім-шарт кестесінің күтілетін нәтижесіне сәйкес 77 К температурадағы пикометрлік рұқсаты бар STM көмегімен Pt негізіндегі TDM атомдық құрылымының нәтижелері алынды. Сонымен қатар, PtSe2 қадамдарының жиектері STM көмегімен атомдық түрде шешілді. Pt негізіндегі TMD электрондық қасиеттерінің нәтижелері келісім-шарт кестесінің күтілетін нәтижесіне сәйкес 77 К температурада миллиеВ рұқсатымен STS көмегімен де алынды. Сонымен қатар, PtSe2 қадамдарында шеткі күйлер анықталды.

Результаты могут помочь развитию исследований в области энергоэффективных наноматериалов и/или квантовых вычислений. Это будет способствовать формированию собственных передовых технологий в Казахстане в будущем.

Нәтижелер энергияны үнемдейтін наноматериалдар немесе/немесе кванттық есептеулер саласындағы зерттеулерді дамытуға көмектесуі мүмкін. Бұл болашақта Қазақстанда өзіміздің озық технологиялардың қалыптасуына ықпал етеді.

полупроводники и транзисторы

жартыоткизгиштер и транзисторлар

UDC indices
3937
International classifier codes
29.19.11; 29.19.00; 29.19.03; 29.19.04; 29.19.24;
Key words in Russian
Физика конденсированного состояния; Теория конденсированного состояния; Физика твердого тела; Сканирующая туннельная микроскопия; Теория функционала плотности; 2D материалы; Тонкие пленки и нанотехнологии; Дефекты; Сканирующая Туннельная Спектроскопия;
Key words in Kazakh
Конденсацияланған заттар физикасы; Конденсацияланған заттар теориясы; Қатты дене физикасы; Сканерлеуші туннельдік микроскопия; Тығыздықтың функционалдық теориясы; 2D материалдар; Жұқа пленкалар және нанотехнология; Ақаулар; Сканерлеуші Туннельдік Спектроскопия;
Head of the organization Идрисов Саламат Нурмуханович Кандидат педагогических наук, доцент / нет
Head of work Жусупбеков Куаныш / PhD