The object of research, development or design (in Russian) : Объектами исследования являются тонкие монокристаллические и поликристаллические слои, а также наноструктурированные фазы SiC в рабочем интервале температур 1200-1300°С, структурных фаз SiC в условиях высоких температур >1300°С, а также пленкии ZnO различной толщины, осажденных методом магнетронного распыления.

The object of research, development or design (in Kazakh) : Зерттеу объектілері – жұқа монокристалды және поликристалды қабаттар, сонымен қатар жұмыс температурасының 1200-1300°С диапазонындағы наноқұрылымды SiC фазалары, >1300°С жоғары температурадағы құрылымдық SiC фазалары, сонымен қатар әртүрлі қалыңдықтағы ZnO қабықшалары. магнетронды шашырау арқылы тұндырылады.

Aim of work (in Russian) : Цель работы: синтез и исследование наноструктурированных поликристаллических, монокристаллических слоев SiC и оксидов металлов, синтезированных физико-химическими методами для полупроводниковой наноэлектроники. Основная идея проекта заключается в изучении влияния температуры на формирование различных структурных фаз SiC. Будет изучено влияние структуры буферного слоя SiC на улучшение структурного качества пленок ZnO.

Aim of work (in Kazakh) : Жұмыстың мақсаты: жартылай өткізгіш наноэлектроника үшін физика-химиялық әдістермен синтезделген SiC және металл оксидтерінің наноқұрылымды поликристалды, монокристалды қабаттарын синтездеу және зерттеу. Жобаның негізгі идеясы - SiC әртүрлі құрылымдық фазаларының қалыптасуына температураның әсерін зерттеу. ZnO қабықшаларының құрылымдық сапасын жақсартуға SiC буферлік қабатының құрылымының әсері зерттеледі.

Методы исследования (на русском) : Методы исследования: инфракрасная спектроскопия, рентгеновская рефлектометрия, рентгеновская дифракция, Метод Холла, Сканирующая электронная микроскопия

Методы исследования (на казахском) : Зерттеу әдістері: инфрақызыл спектроскопия, рентгендік рефлексометрия, рентгендік дифракция, Холл әдісі, сканерлеуші электрондық микроскопия

Obtained results and novelty (in Russian) : В специальной высокотемпературной электропечи, разработанной и изготовленной в лаборатории, позволяющей поднимать температуры до 1500°С, осуществлен синтез наноструктурированных, поликристаллических и монокристаллических пленок карбида кремния (SiC) методом замещения атомов в атмосфере газа монооксида углерода (СО). Осаждение пленок ZnO осуществлялось магнетронным распылением мишени ZnO в атмосфере аргона. Синтезированные пленки изучены структурными методами рентгеновской дифракции, рентгеновской рефлектометрии и инфракрасной спектроскопии. Также изучены фазовый состав и параметры структуры пленок. Завершены работы по изучению особенностей формирования различных структурных фаз SiC в условиях высоких температур >1300°С, и проанализировано влияние различных параметров синтеза на формирование структур.

Obtained results and novelty (in Kazakh) : Температураны 1500°C-қа дейін көтеруге мүмкіндік беретін зертханада жобаланған және дайындалған арнайы жоғары температуралы электр пешінде көміртегі атмосферасында атомдарды алмастыру арқылы наноқұрылымды, поликристалды және монокристалды кремний карбиді (SiC) пленкалары синтезделді. монооксид (СО) газы. ZnO қабықшалары аргон атмосферасында ZnO нысанасының магнетронды шашырауымен тұндырылды. Синтезделген пленкалар рентгендік дифракцияның, рентгендік рефлексометрияның және инфрақызыл спектроскопияның құрылымдық әдістерімен зерттелді. Сонымен қатар пленкалардың фазалық құрамы мен құрылымдық параметрлері зерттелді. 1300°С жоғары температурада әртүрлі SiC құрылымдық фазаларының түзілу ерекшеліктерін зерттеу жұмыстары аяқталып, құрылымдардың түзілуіне әртүрлі синтез параметрлерінің әсері талданған.

The main constructive and technical economic indicators (in Russian) : Основные конструктивные и технико-экономические показатели: полученные результаты интересны организациям и исследовательским центрам, работающим в области широкозонных полупроводников. Показано, что методом магнетронного распыления возможно формирование качественного слоя ZnO на поверхности SiC.

The main constructive and technical economic indicators (in Kazakh) : Негізгі конструкторлық және техникалық-экономикалық көрсеткіштер: алынған нәтижелер кең аралық жартылай өткізгіштер саласында жұмыс істейтін ұйымдар мен ғылыми орталықтарды қызықтырады. Магнетронды шашырауды қолдану арқылы SiC бетінде жоғары сапалы ZnO қабатын түзуге болатыны көрсетілген.

Level of implementation (in Russian) :

Level of implementation (in Kazakh) :

Efficiency (in Russian) :

Efficiency (in Kazakh) :

Field of application (in Russian) : Потенциальными потребителями могут выступать предприятия с областью интересов в наноэлектронике, альтернативной энергетике и др.

Field of application (in Kazakh) : Потенциалды тұтынушылар наноэлектроника, баламалы энергия және т.б. қызығушылықтары бар кәсіпорындар болуы мүмкін.